公开(公告)号：CN107086189A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710076980.7

申请日：2017-02-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 藤野敏树 ,  藤井优磨 ,  野野村一树 ,  马场美德 ,  竹林雄二 ,  寿崎健一

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种能抑制喷嘴的黑色化并改善膜质的表面间的均匀性的衬底处理装置。具有：搭载并收纳多个衬底的处理室；以规定温度加热处理室的加热系统；原料气体供给系统，具有原料气体喷嘴，并且从原料气体喷嘴向处理室供给原料气体，原料气体喷嘴在处理室的衬底搭载方向上延伸并且具有多个供给孔和多个减压孔，多个供给孔在与衬底的搭载区域对应的高度开口，多个减压孔在比多个供给孔更靠下部且原料气体喷嘴内变得比规定温度低的位置开口并降低原料气体喷嘴内的压力；反应气体供给系统，向处理室供给与原料气体反应的反应气体；和控制部，构成为以在衬底上形成膜的方式控制加热系统、原料气体供给系统和反应气体供给系统。

公开(公告)号：CN106356289A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610526212.2

申请日：2016-07-05

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 高木康祐 ,  笹岛亮太 ,  小仓慎太郎 ,  赤江尚德 ,  山腰莉早 ,  藤野敏树 ,  寺崎昌人 ,  南政克

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法。本发明提供能够提高衬底间的膜厚均匀性的技术。本发明提供一种技术，其具有：喷嘴基端部，其以沿铅垂方向延伸的方式设置于对衬底进行处理的处理室内，并供对所述衬底进行处理的处理气体导入；喷嘴前端部，其呈U字状构成，并在靠所述衬底侧的侧面设置有将所述处理气体供给至所述处理室内的气体供给孔；和气体滞留抑制孔，其设置于所述喷嘴前端部的下游端，并具有比所述气体供给孔大的直径。

公开(公告)号：CN303969774S

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201530450680.2

申请日：2015-11-12

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 藤野敏树 ,  高木康祐 ,  笹岛亮太

Abstract: 1.本外观设计产品的名称为基板处理装置用气体供给喷管。
2.本外观设计产品如使用状态参考图所示，是使用于对在反应管内部沿垂直方向多级
保持的基板进行处理的基板处理装置的气体供给喷管。
3.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。
4.指定立体图为最能表明设计要点的视图。
5.本外观设计产品的材质为透明的石英。

公开(公告)号：CN303980052S

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201630275933.1

申请日：2016-06-24

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 藤野敏树 ,  藤井优磨 ,  野野村一树 ,  马场美德 ,  竹林雄二 ,  寿崎健一

Abstract: 1.本外观设计产品的名称为基板处理装置用气体供给喷管。
2.本外观设计产品用于对基板进行处理的基板处理装置，如使用状态参考图所示，是
使用于对在反应管内部沿垂直方向多级保持的基板进行处理的基板处理装置的气体供给
喷管。
3.本外观设计产品的设计要点在于产品的形状。
4.指定立体图为最能表明设计要点的视图。