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公开(公告)号：CN105225926B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201510367912.7
申请日：2015-06-29
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/0218 , C23C16/30 , C23C16/4408 , C23C16/45523 , C23C16/52 , H01L21/02126 , H01L21/0228
Abstract: 清洁方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制由进行清洁处理导致的排气管的腐蚀。交替地重复：通过向处理衬底的处理室内供给清洁气体，并经由排气管排出处理室内的清洁气体而清洁处理室内的工序；和通过维持实质停止了清洁气体向排气管内的流通的状态而冷却排气管的工序。
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公开(公告)号：CN105261552A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510397375.0
申请日：2015-07-08
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02263 , H01L21/02109 , H01L21/6719
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法和衬底处理装置，可抑制在绝缘膜上进行成膜处理时的潜伏期的产生、转变层的形成。包含如下工序：通过对在表面形成有绝缘膜的衬底供给包含第一元素以及卤族元素的原料，来对所述绝缘膜的表面进行预处理；和将非同时地进行对所述衬底供给所述原料的工序和对所述衬底供给包含第二元素的反应物的工序作为一循环，通过以规定次数进行该循环，在进行了所述预处理的所述绝缘膜的表面上形成包含所述第一元素以及所述第二元素的膜。
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公开(公告)号：CN105225926A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510367912.7
申请日：2015-06-29
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/0218 , C23C16/30 , C23C16/4408 , C23C16/45523 , C23C16/52 , H01L21/02126 , H01L21/0228 , H01L21/02046 , H01L21/67017
Abstract: 清洁方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制由进行清洁处理导致的排气管的腐蚀。交替地重复：通过向处理衬底的处理室内供给清洁气体，并经由排气管排出处理室内的清洁气体而清洁处理室内的工序；和通过维持实质停止了清洁气体向排气管内的流通的状态而冷却排气管的工序。
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公开(公告)号：CN105489473B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201510543534.3
申请日：2015-08-28
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/30 , C23C16/4408 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02208 , H01L21/02211 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法及衬底处理装置，能够抑制在衬底上形成膜时的颗粒的产生。所述半导体器件的制造方法包括下述工序：将非同时地进行对处理室内的衬底供给原料气体的工序、从处理室内排出原料气体的工序、对处理室内的衬底供给含氧气体的工序、从处理室内排出含氧气体的工序、对处理室内的衬底供给含氢气体的工序、及从处理室内排出含氢气体的工序作为一循环，通过以规定次数进行该循环，在衬底上形成膜；所述半导体器件的制造方法中，使排出含氧气体的工序及排出含氢气体的工序中的气体排出效果及气体排出效率中的至少任一个比排出原料气体的工序中大。
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公开(公告)号：CN105489473A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510543534.3
申请日：2015-08-28
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/30 , C23C16/4408 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/02208 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/02104 , C23C16/4412 , C23C16/45502 , C23C16/45593 , C23C16/54 , H01L21/02057 , H01L21/67011
Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法及衬底处理装置，能够抑制在衬底上形成膜时的颗粒的产生。所述半导体器件的制造方法包括下述工序：将非同时地进行对处理室内的衬底供给原料气体的工序、从处理室内排出原料气体的工序、对处理室内的衬底供给含氧气体的工序、从处理室内排出含氧气体的工序、对处理室内的衬底供给含氢气体的工序、及从处理室内排出含氢气体的工序作为一循环，通过以规定次数进行该循环，在衬底上形成膜；所述半导体器件的制造方法中，使排出含氧气体的工序及排出含氢气体的工序中的气体排出效果及气体排出效率中的至少任一个比排出原料气体的工序中大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102034702A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010500176.5
申请日：2010-09-30
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/31 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31608 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/401 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3145 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。
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公开(公告)号：CN105261552B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510397375.0
申请日：2015-07-08
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法和衬底处理装置，可抑制在绝缘膜上进行成膜处理时的潜伏期的产生、转变层的形成。包含如下工序：通过对在表面形成有绝缘膜的衬底供给包含第一元素以及卤族元素的原料，来对所述绝缘膜的表面进行预处理；和将非同时地进行对所述衬底供给所述原料的工序和对所述衬底供给包含第二元素的反应物的工序作为一循环，通过以规定次数进行该循环，在进行了所述预处理的所述绝缘膜的表面上形成包含所述第一元素以及所述第二元素的膜。
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公开(公告)号：CN106463395A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580033446.7
申请日：2015-06-24
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/318 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 具有：准备表面形成有氧化膜的衬底的工序，对所述氧化膜的表面进行前处理的工序，和通过如下处理而在所述前处理后的所述氧化膜的表面上形成含碳的氮化膜的工序，即，将非同时进行下述工序的循环进行规定次数：对所述衬底供给原料气体的工序、对所述衬底供给含碳气体的工序、和对所述衬底供给含氮气体的工序；或者将非同时进行下述工序的循环进行规定次数：对所述衬底供给原料气体的工序、和对所述衬底供给含碳和氮的气体的工序；或者将非同时进行下述工序的循环进行规定次数：对所述衬底供给含碳的原料气体的工序、和对所述衬底供给含氮气体的工序。
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公开(公告)号：CN106356289A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610526212.2
申请日：2016-07-05
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/205 , H01L21/31 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法。本发明提供能够提高衬底间的膜厚均匀性的技术。本发明提供一种技术，其具有：喷嘴基端部，其以沿铅垂方向延伸的方式设置于对衬底进行处理的处理室内，并供对所述衬底进行处理的处理气体导入；喷嘴前端部，其呈U字状构成，并在靠所述衬底侧的侧面设置有将所述处理气体供给至所述处理室内的气体供给孔；和气体滞留抑制孔，其设置于所述喷嘴前端部的下游端，并具有比所述气体供给孔大的直径。
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公开(公告)号：CN102915910B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210407086.0
申请日：2010-09-30
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/02 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/455 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/40
CPC classification number: H01L21/31608 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/401 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3145 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。
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