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公开(公告)号：CN108701571B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201680082576.4
申请日：2016-11-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J1/304 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J9/02
Abstract: 本发明提供可稳定地加热闪蒸的六硼化物单结晶场致发射电子源，因此，本场致发射电子源具包括：金属丝(107)、与其接合的金属管(108)、发射电子的六硼化物电极头(104)、独立于金属管和六硼化物电极头的石墨片(109)，六硼化物电极头配置成因石墨片而在结构上不与金属管接触，且具有六硼化物电极头、石墨片和金属管机械接触且电接触的结构。
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公开(公告)号：CN110235217B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201780085216.4
申请日：2017-12-08
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供一种即使在使用六硼化物的情况下，也能够长时间稳定地使用的电子源和使用它的电子束装置。电子源包括：金属制的灯丝(103)；金属管(112)，其被固定在灯丝(103)上，在外周具有以包围中心轴的方式配置在至少2轴方向上的多个凹部(117)；和柱状的六硼化物的针头(104)，其发射电子，从金属管(112)的内部向灯丝(103)的相反一侧突出地配置，且与金属管(112)的多个凹部(117)各自的底部接触。
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公开(公告)号：CN109804450B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201680089774.3
申请日：2016-10-13
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/073 , H01J1/30 , H01J9/02
Abstract: 即使在对CFE电子源使用CeB6并进行低加速观察的情况下，也能够提供一种稳定地获得高空间分辨率的电子束装置。在具备CFE电子源(929)的电子束装置中，CFE电子源的电子束(931)的发射部是Ce的六硼化物或者比Ce重的镧系元素金属的六硼化物，六硼化物从{310}面发射电子束，{310}面的镧系元素金属的原子数比由{310}面的六个硼构成的硼分子数多。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110235217A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201780085216.4
申请日：2017-12-08
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供一种即使在使用六硼化物的情况下，也能够长时间稳定地使用的电子源和使用它的电子束装置。电子源包括：金属制的灯丝(103)；金属管(112)，其被固定在灯丝(103)上，在外周具有以包围中心轴的方式配置在至少2轴方向上的多个凹部(117)；和柱状的六硼化物的针头(104)，其发射电子，从金属管(112)的内部向灯丝(103)的相反一侧突出地配置，且与金属管(112)的多个凹部(117)各自的底部接触。
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公开(公告)号：CN115428114A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202080099514.0
申请日：2020-04-23
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提供能够抑制引出电极中的不均匀的温度分布的电子枪(901)以及测长SEM(900)。电子枪(901)具备：带电粒子源(1)；引出电极(3)，其从带电粒子源(1)引出带电粒子，并且使带电粒子的一部分通过，遮蔽带电粒子的另一部分；以及辅助结构(5)，其与引出电极(3)接触。测长SEM(900)具备上述的电子枪(901)和控制电子枪(901)的计算机系统(920)。
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公开(公告)号：CN109804450A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201680089774.3
申请日：2016-10-13
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/073 , H01J1/30 , H01J9/02
Abstract: 即使在对CFE电子源使用CeB6并进行低加速观察的情况下，也能够提供一种稳定地获得高空间分辨率的电子束装置。在具备CFE电子源(929)的电子束装置中，CFE电子源的电子束(931)的发射部是Ce的六硼化物或者比Ce重的镧系元素金属的六硼化物，六硼化物从{310}面发射电子束，{310}面的镧系元素金属的原子数比由{310}面的六个硼构成的硼分子数多。
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公开(公告)号：CN119137705A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202280095706.3
申请日：2022-06-20
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/073 , H01J9/02 , H01J1/304
Abstract: 提高将六硼化物单晶、过渡金属碳化物单晶的(100)面用作电子发射面的场致发射电子源的放射角电流密度相对于总电流的比率，提高电流稳定性。在构成电子源的 轴的六硼化物单晶或过渡金属碳化物单晶的针尖的前端形成由侧部小面包围的第一(100)面的顶部小面，并且在该第一(100)面的顶部小面的面内形成具有第二(100)面的顶部小面的微小晶体，主要从该第二(100)面的顶部小面发射电子，该侧部小面由n＝1、2、3的整数的至少4面的{n11}面和至少4面的{n10}面构成，且{n11}面的侧部小面的合计面积＞{n10}的侧部小面的合计面积。
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公开(公告)号：CN108701571A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082576.4
申请日：2016-11-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J1/304 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J9/02
Abstract: 本发明提供可稳定地加热闪蒸的六硼化物单结晶场致发射电子源，因此，本场致发射电子源具包括：金属丝(107)、与其接合的金属管(108)、发射电子的六硼化物电极头(104)、独立于金属管和六硼化物电极头的石墨片(109)，六硼化物电极头配置成因石墨片而在结构上不与金属管接触，且具有六硼化物电极头、石墨片和金属管机械接触且电接触的结构。
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