超声波换能器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115315962A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202080098947.4

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 超声波换能器包括第1声换能器(110)、第2声换能器(120)以及有底筒状的壳体(130)。第2声换能器(120)还具有:环状部(121),其与第2膜片部(122)的周缘整周接触且支承第2膜片部(122);以及声匹配板(123),其与第2膜片部(122)隔开间隔地相对,并且与周壁部(130s)连接而在与壳体(130)之间形成密闭空间。在上述密闭空间内形成有由第1膜片部(112)和第2膜片部(122)夹着的超声波传送路径(T1)。超声波传送路径(T1)的最大内宽(H1)比周壁部(130s)的最大内宽(H2)小。

    光调制器
    3.
    发明公开
    光调制器 审中-实审

    公开(公告)号:CN119948390A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202380070802.7

    申请日:2023-06-21

    Abstract: 光调制器(10)具备光波导(1)、第1电极(2)、第2电极(3)、以及第1低介电常数层(4)。光波导(1)包含具有电光效应的材料。第1电极(2)包含半导体材料,与光波导(1)空开间隙进行配置。第2电极(3)配置为与第1电极(2)形成电位差而对光波导施加电场。第1低介电常数层(4)具有比光波导(1)的折射率小的折射率,设置在第1电极(2)和光波导(1)的间隙。

    超声波换能器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN115315962B

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202080098947.4

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 超声波换能器包括第1声换能器(110)、第2声换能器(120)以及有底筒状的壳体(130)。第2声换能器(120)还具有:环状部(121),其与第2膜片部(122)的周缘整周接触且支承第2膜片部(122);以及声匹配板(123),其与第2膜片部(122)隔开间隔地相对,并且与周壁部(130s)连接而在与壳体(130)之间形成密闭空间。在上述密闭空间内形成有由第1膜片部(112)和第2膜片部(122)夹着的超声波传送路径(T1)。超声波传送路径(T1)的最大内宽(H1)比周壁部(130s)的最大内宽(H2)小。

    微机电系统器件以及微机电系统器件的制造方法

    公开(公告)号:CN118434669A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202280084509.1

    申请日:2022-12-05

    Abstract: 本发明提供一种能够防止寄生电容的形成、消耗电力的增加的微机电系统器件。微机电系统器件包括:第1基板,其包含微机电系统构造体;第2基板,其与第1基板隔开间隔地在相对方向上相面对;第1接合部,其具有以多个种类的金属的共晶合金作为主材料的共晶层,以在从相对方向观察时包围微机电系统构造体的方式设在第1基板和第2基板之间,且接合于第1基板和第2基板;导电性的接触层,其设在第1基板和第2基板之间,与第1基板和第2基板接触,该接触层在所述多个种类的金属进行金属共晶反应时的温度时不熔化;以及绝缘层,其层叠于接触层,并且电绝缘。

    压电膜以及压电振子
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107112977B

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201680004869.0

    申请日:2016-01-05

    Abstract: 本发明提供能够充分地确保压电特性并降低应力的压电膜以及压电振子。压电膜含有AlN结晶、在AlN结晶中与Al进行置换的至少一种第一元素、以及具有比第一元素的离子半径小且,Al的离子半径大的离子半径并被添加到AlN结晶的第二元素。

    压电膜以及压电振子
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107112977A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201680004869.0

    申请日:2016-01-05

    Abstract: 本发明提供能够充分地确保压电特性并降低应力的压电膜以及压电振子。压电膜含有AlN结晶、在AlN结晶中与Al进行置换的至少一种第一元素、以及具有比第一元素的离子半径小且,Al的离子半径大的离子半径并被添加到AlN结晶的第二元素。

    光调制器
    9.
    发明公开
    光调制器 审中-实审

    公开(公告)号:CN119923588A

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN202380070791.2

    申请日:2023-06-21

    Abstract: 光调制器(10)具备包含具有电光效应的材料的光波导(1)、第1电极(2)、以及第2电极(3)。第1电极(2)包含半导体材料。第2电极(3)包含金属材料,配置为与第1电极(2)形成电位差而对光波导(1)施加电场。

    光调制器
    10.
    发明公开
    光调制器 审中-实审

    公开(公告)号:CN118591759A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202280089433.1

    申请日:2022-11-28

    Abstract: 光调制器(100)具备光波导(2)、第一电极(3)、第二电极(4)以及低介电常数层(5)。光波导(2)包括具有电光效应的材料。第一电极(3)及第二电极(4)相互形成电位差。在与光波导(2)的延伸方向垂直的剖视中,第一电极(3)设置在光波导(2)的宽度方向的一侧且光波导(2)的厚度方向的一侧,第二电极(4)设置在光波导(2)的宽度方向的另一侧且光波导(2)的厚度方向的另一侧,在第一电极(3)与光波导(2)之间夹设有低介电常数层(5),第一电极(3)中的接近光波导(2)的部分埋设于低介电常数层(5)。

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