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公开(公告)号：CN102301437B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201080005746.1
申请日：2010-01-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 熊谷昭伸
IPC: H01F17/00
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F2017/002
Abstract: 在内置有由具有一圈的长度的线圈导体构成的线圈的层叠电感中，能够抑制分层的产生。层叠体(11)由多层磁性体层(12)层叠而成。线圈导体(14)在磁性体层(12)上以一圈的长度在环状的轨道(R)上环绕，且具有包含位于环状轨道(R)的端部(t3、t6、t7、t10)的连接部(17b～17e)以及包含位于该环状轨道(R)内侧的端部(t4、t5、t8、t9)的连接部(16b～16e)。连接盘部(18a～18d)以下述方式设置在绝缘体层(14)上，即从z轴方向俯视时，与被连接部(16b～16e)及连接部(17b～17e)包围的区域重叠。
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公开(公告)号：CN1906716B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200580001752.9
申请日：2005-04-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/18 , H01C17/0656 , H01F17/0013 , H01G4/105 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子元件及其制造方法。向硼硅酸盐玻璃中混合含有重量百分比为10％到14％的Al2O3的陶瓷合成物，以准备含有重量百分比为60％到76％的硼硅酸盐玻璃和重量百分比为24％到40％的陶瓷合成物的陶瓷混合物。陶瓷体(1)由上述混合物形成，陶瓷体(1)中含有外电极组(5)。陶瓷合成物还含有存在于重量百分比为4.0％到70.0％SiO2中的Si和存在于重量百分比为4.0％到40.0％的BaO中的Ba。所述陶瓷体(1)还包含相对于硼硅酸盐玻璃的重量百分比为0.5％到3％的着色剂，例如氧化铬。这样，可以增加陶瓷体(1)的机械强度，而不需要损坏其低温烧结性能和电学特性，并且，可以快速而精确地鉴别合格产品和残品。
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公开(公告)号：CN102301437A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005746.1
申请日：2010-01-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 熊谷昭伸
IPC: H01F17/00
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F2017/002
Abstract: 在内置有由具有一圈的长度的线圈电极构成的线圈的层叠电感中，能够抑制分层的产生。层叠体(11)由多层磁性体层(12)层叠而成。线圈导体(14)在磁性体层(12)上以一圈的长度在环状的轨道(R)上环绕，且具有包含位于环状轨道(R)的端部(t3、t6、t7、t10)的连接部(17b～17e)以及包含位于该环状轨道(R)内侧的端部(t4、t5、t8、t9)的连接部(16b～16e)。连接盘部(18a～18d)以下述方式设置在绝缘体层(14)上，即从z轴方向俯视时，与被连接部(16b～16e)及连接部(17b～17e)包围的区域重叠。
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公开(公告)号：CN1906716A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001752.9
申请日：2005-04-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/18 , H01C17/0656 , H01F17/0013 , H01G4/105 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子元件及其制造方法。向硼硅酸盐玻璃中混合含有重量百分比为10％到 14％的Al2O3的陶瓷合成物，以准备含有重量百分比为60％到74％的硼硅酸盐玻璃和重量百分比为24％到60％的陶瓷合成物的陶瓷混合物。陶瓷体(1)由上述混合物形成，陶瓷体(1)中含有外电极组(5)。陶瓷合成物还含有存在于重量百分比为4.0％到70.0％SiO2中的Si和存在于重量百分比为4.0％到40.0％的BaO中的Ba。所述陶瓷体(1)还包含相对于硼硅酸盐玻璃的重量百分比为0.5％到3％的着色剂，例如氧化铬。这样，可以增加陶瓷体(1)的机械强度，而不需要损坏其低温烧结性能和电学特性，并且，可以快速而精确地鉴别合格产品和残品。
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