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公开(公告)号：CN1440949A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN03106126.5
申请日：2003-02-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/46 , C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/64 , H01B3/12 , H01P7/10 , H01P1/20
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/462 , C04B35/468 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , H01P1/2056 , H01P7/10
Abstract: 一种高频介电陶瓷构件，其由包含Mg，Ba，Re，Ti，和O的氧化物陶瓷组成，其中Re是选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Dy，和Er的至少一种元素。所述氧化物陶瓷由化学式aMgO－bBaO－cRe2On－(100－a－b－c)TiO2表示，其中当Re是La，Nd，Sm，Eu，Dy，或Er时，n＝3，当Re是Pr时，n＝11/3，和当Re是Ce时，n＝4，其中a，b和c以摩尔百分比的形式满足关系式10.0≤a≤62.0，0＜b≤14.0，和0＜c≤16.5。也公开了各自都包括所述高频介电陶瓷构件的一种介电谐振器，一种介电滤波器，一种介电双工器，和一种通讯装置。
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公开(公告)号：CN1189421C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN03106126.5
申请日：2003-02-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/46 , C04B35/462 , C04B35/465 , C04B35/64 , H01B3/12 , H01P7/10 , H01P1/20
CPC classification number: C04B35/465 , C04B35/462 , C04B35/468 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , H01P1/2056 , H01P7/10
Abstract: 一种高频介电陶瓷构件，其由包含Mg，Ba，Re，Ti，和O的氧化物陶瓷组成，其中Re是选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Dy，和Er的至少一种元素。所述氧化物陶瓷由化学式aMgO-bBaO-cRe2On-(100-a-b-c)TiO2表示，其中当Re是La，Nd，Sm，Eu，Dy，或Er时，n＝3，当Re是Pr时，n＝11/3，和当Re是Ce时，n＝4，其中a，b和c以摩尔百分比的形式满足关系式10.0≤a≤62.0，0＜b≤14.0，和0＜c≤16.5。也公开了各自都包括所述高频介电陶瓷构件的一种介电谐振器，一种介电滤波器，一种介电双工器，和一种通讯装置。
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公开(公告)号：CN1303106A
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：CN00133772.6
申请日：2000-10-30
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/4686 , H01P1/2056 , H01P1/2136 , H01P7/04
Abstract: 本发明提供一种高强介电陶瓷成份,它在微波波段具有较高的介电常数(εr)和Q值,可以将谐振频率(τf)的温度系数控制在零附近(ppm/℃),并且具有令人满意的抗热冲击能力,本发明还提供利用介电陶瓷成份的介电谐振器、介电滤波器、介电双工器和通信系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1433102A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03101026.1
申请日：2003-01-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/2056 , H01P7/10
Abstract: 本发明提供一种在容易获得任意电特性的同时，提高镀膜结合强度的使用高频用电介体陶瓷的电介体谐振器，使用镀膜结合强度大于70(N/2mm2)的第1陶瓷和镀膜结合强度小于(N/2mm2)的第2陶瓷，在用A表示第1陶瓷的体积、用B表示第2陶瓷的体积时，按照10≤{A/(A+B)}×100＜100式所表示的体积比率进行混合。本发明还提供使用该电介体谐振器的装置。
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公开(公告)号：CN1906716B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200580001752.9
申请日：2005-04-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/18 , H01C17/0656 , H01F17/0013 , H01G4/105 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子元件及其制造方法。向硼硅酸盐玻璃中混合含有重量百分比为10％到14％的Al2O3的陶瓷合成物，以准备含有重量百分比为60％到76％的硼硅酸盐玻璃和重量百分比为24％到40％的陶瓷合成物的陶瓷混合物。陶瓷体(1)由上述混合物形成，陶瓷体(1)中含有外电极组(5)。陶瓷合成物还含有存在于重量百分比为4.0％到70.0％SiO2中的Si和存在于重量百分比为4.0％到40.0％的BaO中的Ba。所述陶瓷体(1)还包含相对于硼硅酸盐玻璃的重量百分比为0.5％到3％的着色剂，例如氧化铬。这样，可以增加陶瓷体(1)的机械强度，而不需要损坏其低温烧结性能和电学特性，并且，可以快速而精确地鉴别合格产品和残品。
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公开(公告)号：CN1205620C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN00133772.6
申请日：2000-10-30
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/4686 , H01P1/2056 , H01P1/2136 , H01P7/04
Abstract: 本发明提供一种高强介电陶瓷成份，它在微波波段具有较高的介电常数(εr)和Q值，可以将谐振频率(τf)的温度系数控制在零附近(ppm/℃)，并且具有令人满意的抗热冲击能力，本发明还提供利用介电陶瓷成份的介电谐振器、介电滤波器、介电双工器和通信系统。
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公开(公告)号：CN1906716A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001752.9
申请日：2005-04-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01C7/18 , H01C17/0656 , H01F17/0013 , H01G4/105 , H01G4/30
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子元件及其制造方法。向硼硅酸盐玻璃中混合含有重量百分比为10％到 14％的Al2O3的陶瓷合成物，以准备含有重量百分比为60％到74％的硼硅酸盐玻璃和重量百分比为24％到60％的陶瓷合成物的陶瓷混合物。陶瓷体(1)由上述混合物形成，陶瓷体(1)中含有外电极组(5)。陶瓷合成物还含有存在于重量百分比为4.0％到70.0％SiO2中的Si和存在于重量百分比为4.0％到40.0％的BaO中的Ba。所述陶瓷体(1)还包含相对于硼硅酸盐玻璃的重量百分比为0.5％到3％的着色剂，例如氧化铬。这样，可以增加陶瓷体(1)的机械强度，而不需要损坏其低温烧结性能和电学特性，并且，可以快速而精确地鉴别合格产品和残品。
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公开(公告)号：CN1209850C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03101026.1
申请日：2003-01-08
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/2056 , H01P7/10
Abstract: 本发明提供一种在容易获得任意电特性的同时，提高镀膜结合强度的使用高频用电介体陶瓷的电介体谐振器，使用镀膜结合强度大于70(N/2mm2)的第1陶瓷和镀膜结合强度小于70(N/2mm2)的第2陶瓷，在用A表示第1陶瓷的体积、用B表示第2陶瓷的体积时，按照10≤{A/(A+B)}×100＜100式所表示的体积比率进行混合。本发明还提供使用该电介体谐振器的装置。
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