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公开(公告)号：CN113472310B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110685427.X
申请日：2016-10-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及水晶振动元件、以及具备该水晶振动元件的水晶振子。具备：水晶片(11)，其具有规定的结晶方位且在俯视时具有第一方向以及第二方向；以及激励电极(14a、14b)，其分别设置在水晶片(11)的表背面以便在施加交变电场时对水晶片(11)激励厚度剪切振动，水晶片(11)中的以厚度剪切振动为主要振动的振动分布具有在水晶片(11)的第二方向上呈带状地延伸的振动区域(40)、和在水晶片(11)的第一方向上分别与振动区域(40)的两侧邻接的非振动区域(50)。
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公开(公告)号：CN105379115B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201480026919.6
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/21
Abstract: 本发明提供一种不导致k2Q的降低地增大静电电容，并可降低谐振电阻的振动装置。振动装置(1)的在Y方向上延伸的2N根(N是2以上的整数)音叉臂(3)～(6)在X方向上并排，在设置有2N根音叉臂(3)～(6)的区域中，相对于通过X方向中心且在Y方向上延伸的虚拟线A，一侧的N根音叉臂(3)、(4)的弯曲振动的相位与另一侧的N根音叉臂(6)、(5)的弯曲振动的相位对称。
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公开(公告)号：CN105210294A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201480026840.3
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/083 , H03H9/02448 , H03H9/0595 , H03H9/2452 , H03H2009/155
Abstract: 本发明提供可充分减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在俯视时，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并利用在上述短边方向伸缩振动模式的振动装置，包含由简并半导体构成的Si层(2)、氧化硅层(3)、压电体层(5)、以及对压电体层(5)施加电压的第一、第二电极(6、7)，在将Si层的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(3)的厚度的总和设为T2、将未设置有氧化硅层(3)的情况下的振动装置的TCF设为x(ppm/K)时，T2/(T1+T2)处于(-0.0003x2-0.0256x+0.0008)±0.05的范围内。
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公开(公告)号：CN101931339A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010206764.8
申请日：2010-06-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H02N2/00 , H01L41/083 , H01L41/09
Abstract: 本发明提供一种小型且具有大变位量的压电致动器。致动器主体(10)具有：柱状的压电体(20)；平衡锤(40)，其与压电体(20)的第一端面(20a)接合，密度高于压电体(20)且具有导电性。第一导电层(31)在第一侧面(20c、40c)上形成。第二导电层(32)在第二侧面(20d、40d)上形成。通过相对于第一端面(20a)平行地形成有从第一导电层(31)的表面直到致动器主体(10)内部的第一槽(35)，将第一导电层(31)分割为：与第一内部电极(21)连接但不和平衡锤(40)连接的部分(31a)；与平衡锤(40)连接但不和第一内部电极(21)连接的部分(31b)。
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公开(公告)号：CN1957528A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200680000282.9
申请日：2006-02-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/17 , H03H9/02 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/22
CPC classification number: H03H9/177 , H03H9/02102
Abstract: 提供了一种具有优良频率－温度特性的厚度纵向压电谐振器，其中在广泛温度范围上难以发生频率特性的变化。在使用厚度纵向振动模式的能量捕获厚度纵向压电谐振器(1)中，具有：在其厚度方向上极化的压电基片(2)的上表面和下表面的多个部分上形成的第一和第二谐振电极(3，4)，其中第一和第二谐振电极(3，4)彼此相对的部分形成为能量捕获型振动部分，其中为了抑制作为使用谐振特性的主响应的、由温度引起的厚度纵向振动模式的频率变化，使具有用于抑制由温度引起的主响应的频率变化的、具有频率－温度－变化倾向的对抑制的响应靠近该主响应，以便于抑制由温度引起的主响应的频率变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105340177B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201480031140.3
申请日：2014-07-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
CPC classification number: H01L41/053 , H01L41/0933 , H02N2/0055 , H03H9/02244 , H03H9/02448 , H03H2009/02385 , H03H2009/0244 , H03H2009/02511 , H03H2009/2442
Abstract: 本发明提供一种能够将振动部的振动可靠地封闭于振动部侧的振动装置。在振动装置(1)中，支承部(4)的第一端部连结于振动部(2)，框状的基部(3)与支承部(4)的第二端部相连接，被设置成包围振动部(2)，在基部(3)形成有向与支承部(4)延伸的方向交叉的方向延伸的狭缝(3a)，以便在支承部(4)与基部(3)的连结于支承部(4)的第二端部的部分之间设置弯曲振动部(5)，弯曲振动部(5)的两端与基部(3)的剩余部分连续，连续的部分被作为弯曲振动部(5)的固定端，当将与振动部(2)中的固有振动的频率对应的该弯曲振动的波长设为λ时，弯曲振动部(5)的连结于支承部(4)的第二端部的部分与弯曲振动部(5)的固定端之间的长度被设为λ/4。
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公开(公告)号：CN105210294B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480026840.3
申请日：2014-05-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01L41/09 , H01L41/047 , H01L41/083 , H03H9/02448 , H03H9/0595 , H03H9/2452 , H03H2009/155
Abstract: 本发明提供可充分减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在俯视时，具有具备长边和短边的矩形板状的形状，并利用在上述短边方向伸缩振动模式的振动装置，包含由简并半导体构成的Si层(2)、氧化硅层(3)、压电体层(5)、以及对压电体层(5)施加电压的第一、第二电极(6、7)，在将Si层的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(3)的厚度的总和设为T2、将未设置有氧化硅层(3)的情况下的振动装置的TCF设为x(ppm/K)时，T2/(T1+T2)处于(‑0.0003x2‑0.0256x+0.0008)±0.05的范围内。
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公开(公告)号：CN105340177A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480031140.3
申请日：2014-07-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/24
CPC classification number: H01L41/053 , H01L41/0933 , H02N2/0055 , H03H9/02244 , H03H9/02448 , H03H2009/02385 , H03H2009/0244 , H03H2009/02511 , H03H2009/2442
Abstract: 本发明提供一种能够将振动部的振动可靠地封闭于振动部侧的振动装置。在振动装置(1)中，支承部(4)的第一端部连结于振动部(2)，框状的基部(3)与支承部(4)的第二端部相连接，被设置成包围振动部(2)，在基部(3)形成有向与支承部(4)延伸的方向交叉的方向延伸的狭缝(3a)，以便在支承部(4)与基部(3)的连结于支承部(4)的第二端部的部分之间设置弯曲振动部(5)，弯曲振动部(5)的两端与基部(3)的剩余部分连续，连续的部分被作为弯曲振动部(5)的固定端，当将与振动部(2)中的固有振动的频率对应的该弯曲振动的波长设为λ时，弯曲振动部(5)的连结于支承部(4)的第二端部的部分与弯曲振动部(5)的固定端之间的长度被设为λ/4。
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公开(公告)号：CN100590970C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200680000282.9
申请日：2006-02-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/17 , H03H9/02 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/22
CPC classification number: H03H9/177 , H03H9/02102
Abstract: 提供了一种具有优良频率-温度特性的厚度纵向压电谐振器，其中在广泛温度范围上难以发生频率特性的变化。在使用厚度纵向振动模式的能量捕获厚度纵向压电谐振器(1)中，具有：在其厚度方向上极化的压电基片(2)的上表面和下表面的多个部分上形成的第一和第二谐振电极(3，4)，其中第一和第二谐振电极(3，4)彼此相对的部分形成为能量捕获型振动部分，其中为了抑制作为使用谐振特性的主响应的、由温度引起的厚度纵向振动模式的频率变化，使具有用于抑制由温度引起的主响应的频率变化的、具有频率-温度-变化倾向的对抑制的响应靠近该主响应，以便于抑制由温度引起的主响应的频率变化。
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公开(公告)号：CN100477515C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200580000251.9
申请日：2005-04-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/17
Abstract: 一种压电谐振器，为利用厚度纵向振动模式的谐波的能量约束型压电谐振器，能够有效地抑制在厚度纵向振动模式下附加寄生的基波，但不会明显抑制所用的三次谐波。所述能量约束型压电谐振器具有，设在沿厚度方向极化的压电基板(2)的主表面上的第一激发电极(3)、设在下表面上的第二激发电极(4)、以及设在压电基板(2)的上表面和/或下表面中至少一个表面上的至少一个浮动电极，使所述浮动电极相对于电位分布的一个节点在朝向和离开第一激发电极(3)的方向延伸，所述电位分布是基于当激励其中所述激发电极(3、4)相互对置的能量约束振动部分时传播的基波所产生的电荷的。
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