公开(公告)号：CN1819157A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510138044.1

申请日：2005-11-15

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  松本雅弘 ,  森本升 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/58 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：在内部形成了铜布线(19)的低介电常数膜(5a～5c)；配置在低介电常数膜(5c)的上侧的氧化硅膜(6，7a)；配置在氧化硅膜(6，7a)的上侧的表面保护膜(43)；围绕电路形成区域的周围而形成的密封环(23)；平视时形成在密封环(23)的外侧的槽部(22)。槽部(22)形成为其底部位于比低介电常数膜(5c)更上侧的位置，其底部为比铜布线(19)的上端更低。

公开(公告)号：CN101661900A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910158694.0

申请日：2009-07-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 福井胜一 ,  森本升 ,  西冈康隆 ,  泉谷淳子 ,  石井敦司

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。为了提供一种可以提高半导体器件可靠性的半导体器件制造方法，通过热CVD方法等形成用于覆盖半导体衬底中形成的半导体元件的、具有良好嵌入性质的第一绝缘膜。通过等离子体CVD方法形成具有优良抗潮性的第二绝缘膜以覆盖第一绝缘膜。形成塞以穿透第一绝缘膜和第二绝缘膜。包括介电常数相对低的低k膜的第三绝缘膜形成于第二绝缘膜之上。布线通过大马士革技术形成于第三绝缘膜中以电耦合到塞。