公开(公告)号：CN101661900A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910158694.0

申请日：2009-07-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 福井胜一 ,  森本升 ,  西冈康隆 ,  泉谷淳子 ,  石井敦司

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。为了提供一种可以提高半导体器件可靠性的半导体器件制造方法，通过热CVD方法等形成用于覆盖半导体衬底中形成的半导体元件的、具有良好嵌入性质的第一绝缘膜。通过等离子体CVD方法形成具有优良抗潮性的第二绝缘膜以覆盖第一绝缘膜。形成塞以穿透第一绝缘膜和第二绝缘膜。包括介电常数相对低的低k膜的第三绝缘膜形成于第二绝缘膜之上。布线通过大马士革技术形成于第三绝缘膜中以电耦合到塞。

公开(公告)号：CN101593738A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910203111.1

申请日：2009-05-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 千叶原宏幸 ,  石井敦司 ,  和泉直生 ,  松本雅弘

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L23/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。