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发明公开
半导体器件失效转让

公开(公告)号：CN101295687A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810093595.4

申请日：2008-04-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 武藤邦治 , 波多俊幸 , 佐藤仁久 , 冈浩伟 , 池田靖

IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/495 , H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现其中密封功率MOSFET的小表面安装封装的导通电阻的减小。硅芯片安装在与构成漏极引线的引线集成的芯片焊盘部上。硅芯片的主表面上具有源极焊盘和栅极焊盘。硅芯片的背面构成功率MOSFET的漏极，并经由Ag浆料键合至芯片焊盘部的顶表面。构成源极引线的引线经由Al带电耦合至源极焊盘，而构成栅极引线的引线经由Au线电耦合至栅极焊盘。

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