公开(公告)号：CN101692444A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910126115.4

申请日：2009-02-27

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 武藤邦治 ,  团野忠敏 ,  高桥浩幸

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L24/41 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/84 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00015

Abstract: 实现一种其中密封功率MOSFET等的、导通电阻低的小尺寸表面安装封装。在模制树脂的一侧中密封两个硅芯片。在模制树脂的一侧上布置三个源极引线和一个栅极引线。三个源极引线在模制树脂内部相互接合，而接合的部分和硅芯片的源极焊盘经由两个铝带相互电耦合。另外，硅芯片的栅极焊盘经由一个金导线电耦合到栅极引线。

公开(公告)号：CN101794758A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010002087.8

申请日：2010-01-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 河野贤哉 ,  芦田喜章 ,  武藤邦治 ,  清水一男 ,  井上富文

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78703 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。通过销钉加工在源极引线(14)上设置突起(7)，以在突起(7)上连接接合线(4)时防止超声波衰减为目的，在源极引线(14)的背面的凹部(20)设置支柱(16)，从而防止接合线(4)与源极引线(14)的连接强度不够。另外，围绕源极引线(14)和接合线(4)的连接部而在突起(7)上设置连续的台阶(17)，防止由树脂(6)和源极引线(14)的分离引起的接合线(4)的断线。根据本发明，能够使用可简单加工且廉价制造的装置来实现防止由树脂(6)和引线框的界面分离引起的接合线(4)的断线、以及连接强度的提高。

公开(公告)号：CN101295687A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810093595.4

申请日：2008-04-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 武藤邦治 ,  波多俊幸 ,  佐藤仁久 ,  冈浩伟 ,  池田靖

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。本发明的目的是实现其中密封功率MOSFET的小表面安装封装的导通电阻的减小。硅芯片安装在与构成漏极引线的引线集成的芯片焊盘部上。硅芯片的主表面上具有源极焊盘和栅极焊盘。硅芯片的背面构成功率MOSFET的漏极，并经由Ag浆料键合至芯片焊盘部的顶表面。构成源极引线的引线经由Al带电耦合至源极焊盘，而构成栅极引线的引线经由Au线电耦合至栅极焊盘。