公开(公告)号：CN101178930A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710142314.5

申请日：2007-08-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 薮内诚 ,  新居浩二

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/418 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C5/147 ,  G11C11/412 ,  G11C11/413

Abstract: 一种具备静态型存储单元的半导体存储装置，其中，在字线驱动器的电源节点上设置使电源电压(VDDR)降压的驱动器电源电路(10)。该驱动器电源电路(10)包括N+掺杂多晶硅非硅化物电阻元件(20)以及使驱动器电源节点(11)的电压电平降低的下拉电路。该下拉电路包含：其阈值特性与存储单元晶体管相同的将驱动器电源节点的电压电平下拉的下拉晶体管(21)；以及至少调整该下拉晶体管(21)的栅电压的栅极控制电路(30)。该栅极控制电路与存储单元晶体管的阈值电压变化联动地校正该下拉晶体管的栅极电位。

公开(公告)号：CN1956098A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610148683.0

申请日：2006-08-02

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 新居浩二 ,  大林茂树 ,  塚本康正 ,  薮内诚

IPC: G11C8/08 ,  G11C11/408 ,  G11C11/415

Abstract: 对应于各字线设置根据存储器单元晶体管的阈值电压的变动来调整字线选择时的电压电平的电平移动元件。该电平移动元件降低驱动器电源电压，并向选择字线上传输。另外，代替该电平移动元件，也可以设置根据存储器单元晶体管的阈值电压电平来下拉字线电压的下拉元件。在任何一种情况下，都能够根据存储器单元晶体管的阈值电压的变动，不使用另外的电源系统来调整选择字线电压电平，无需使电源系统复杂化，即使在低电源电压下也能够实现可稳定地进行数据的写入/读出的半导体存储装置。