公开(公告)号：CN1870175B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200610084114.4

申请日：2006-05-23

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 新居浩二 ,  大林茂树 ,  牧野博之 ,  石桥孝一郎 ,  筱原寻史

IPC: G11C11/416 ,  G11C11/419 ,  G11C11/413

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C5/063 ,  G11C11/412

Abstract: 按每个存储器单元列配置单元电源线(PVL0-PVLn)，根据对应列的位线(BL0、/BL0-BLn、/BLn)的电压电平调整单元电源线的阻抗或电压电平。在数据写入时，根据选择列的位线电位，将单元电源线设成浮置状态，变更其电压电平，并减小所选择的存储器单元的锁存能力，高速写入数据。从而，实现在低电源电压下也能稳定进行数据的写入/读出的静态型半导体存储装置。

公开(公告)号：CN101150113A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710006908.3

申请日：2007-01-30

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 岩本猛 ,  河野和史 ,  荒川政司 ,  米津俊明 ,  大林茂树

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01H85/041 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 所提供的是一种具有电熔断器结构的半导体器件，所述电熔断器结构接收电流的供给以便可以在不损坏熔断器周围部分的情况下被切断。电熔断器电连接在电路和作为备用电路的冗余电路之间。在利用树脂密封这些电路之后，熔断器可以通过从外部接收电流的供给而被切断。电熔断器形成在精细层中，且由主布线和阻挡膜制成。主布线和阻挡膜中每一个的线性膨胀系数大于每一个绝缘层的线性膨胀系数。主布线和阻挡膜中每一个的熔点低于每一个绝缘层的熔点。

公开(公告)号：CN101853698A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010157113.4

申请日：2006-05-23

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 新居浩二 ,  大林茂树 ,  牧野博之 ,  石桥孝一郎 ,  筱原寻史

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C5/063 ,  G11C11/412

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。按每个存储器单元列配置单元电源线(PVL0-PVLn)，根据对应列的位线(BL0、/BL0-BLn、/BLn)的电压电平调整单元电源线的阻抗或电压电平。在数据写入时，根据选择列的位线电位，将单元电源线设成浮置状态，变更其电压电平，并减小所选择的存储器单元的锁存能力，高速写入数据。从而，实现在低电源电压下也能稳定进行数据的写入/读出的静态型半导体存储装置。

公开(公告)号：CN101488501A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910000170.9

申请日：2009-01-14

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 藤井理子 ,  大林茂树 ,  森野直纯 ,  平岩笃 ,  渡会慎一 ,  吉田岳司 ,  越久和俊 ,  杉山雅夫 ,  近藤由宪 ,  江川雄一 ,  金子义之

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/52 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明提供一种在具有三重阱构造的半导体装置中可以提高制造成品率及产品可靠性的技术。本发明的半导体装置，在p型基板1内形成的深n型阱200内具备逆变器电路INV1，该逆变器电路INV1是由浅p型阱252内形成的n通道型场效应晶体管254n以及浅n型阱251内形成的p通道型场效应晶体管254p构成，且对于电路动作并无贡献，将浅p型阱252使用第1层配线253(M1)与基板1接线，将p通道型场效应晶体管254p的栅电极及n通道型场效应晶体管254n的栅电极使用最上层的配线255(M8)与浅n型阱251接线。

公开(公告)号：CN1870175A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610084114.4

申请日：2006-05-23

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 新居浩二 ,  大林茂树 ,  牧野博之 ,  石桥孝一郎 ,  筱原寻史

IPC: G11C11/416 ,  G11C11/419 ,  G11C11/413

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C5/063 ,  G11C11/412

Abstract: 按每个存储器单元列配置单元电源线(PVL0－PVLn)，根据对应列的位线(BL0、/BL0－BLn、/BLn)的电压电平调整单元电源线的阻抗或电压电平。在数据写入时，根据选择列的位线电位，将单元电源线设成浮置状态，变更其电压电平，并减小所选择的存储器单元的锁存能力，高速写入数据。从而，实现在低电源电压下也能稳定进行数据的写入/读出的静态型半导体存储装置。

公开(公告)号：CN101241900A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710136231.5

申请日：2007-07-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 米津俊明 ,  岩本猛 ,  大林茂树 ,  荒川政司 ,  河野和史

IPC: H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明旨在提供能使用电熔丝执行可靠援救处理的半导体集成电路。本发明设置有熔丝布线、第一电极焊盘、第二电极焊盘、污染控制层及第一通孔布线和第二通孔布线。而且熔丝布线由超过预定电流值通过而切断。第一电极焊盘与熔丝布线的一侧连接。第二电极焊盘与熔丝布线的另一侧连接。经由绝缘层在熔丝布线的上层和下层中形成污染控制层。在熔丝布线的侧面，经由绝缘层形成一对第一通孔布线，它与污染控制层连接并且包围熔丝布线。关于熔丝布线，在第一通孔布线的外侧形成一对第二通孔布线，使得可以包围第一通孔布线。

公开(公告)号：CN101079420A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710104279.8

申请日：2007-05-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 大林茂树 ,  米津俊明 ,  岩本猛 ,  河野和史 ,  荒川政司 ,  内田孝裕

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/525

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C17/165 ,  G11C29/027 ,  G11C29/028 ,  G11C29/785 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/101 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在熔丝程序电路(FPK1－FPKn)中，使用多层金属布线的第3层以上的金属布线(M(i))来实现熔丝元件FS。在各熔丝程序电路中，使用扫描触发器(FSSR和PSR)来依次传输程序信息和熔丝选择信息，有选择地逐个电切断熔丝。可以低功耗且低占有面积地实现具备即便在封装安装后也可进行编程的熔丝元件的熔丝程序电路。

公开(公告)号：CN1956098A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610148683.0

申请日：2006-08-02

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 新居浩二 ,  大林茂树 ,  塚本康正 ,  薮内诚

IPC: G11C8/08 ,  G11C11/408 ,  G11C11/415

Abstract: 对应于各字线设置根据存储器单元晶体管的阈值电压的变动来调整字线选择时的电压电平的电平移动元件。该电平移动元件降低驱动器电源电压，并向选择字线上传输。另外，代替该电平移动元件，也可以设置根据存储器单元晶体管的阈值电压电平来下拉字线电压的下拉元件。在任何一种情况下，都能够根据存储器单元晶体管的阈值电压的变动，不使用另外的电源系统来调整选择字线电压电平，无需使电源系统复杂化，即使在低电源电压下也能够实现可稳定地进行数据的写入/读出的半导体存储装置。