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公开(公告)号：CN105229810A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480026406.5
申请日：2014-05-22
Applicant: 株式会社电装 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L41/316 , C23C14/06 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/18 , C23C14/0052 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/46 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 一种压电体薄膜(1)，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子％以下。在压电体薄膜(1)的制造时，在至少含有氮气的气氛下，从碳原子含有率为5原子％以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外，也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外，也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此，能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101325240A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810099857.8
申请日：2008-05-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社电装
Abstract: 本发明涉及一种压电体薄膜、压电体及其制造方法、使用该压电体薄膜的压电体谐振子、执行器元件以及物理传感器。其中，压电体薄膜包括含有钪的氮化铝薄膜，氮化铝薄膜中的钪的含有率在钪的原子数和铝的原子数的总量设定为100原子％时为0.5～50原子％。由此，本发明的压电体薄膜不会失去氮化铝薄膜所具有的弹性波的传播速度、Q值以及频率温度系数等特性，从而能提高压电响应性。
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公开(公告)号：CN105229810B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201480026406.5
申请日：2014-05-22
IPC: H01L41/316 , C23C14/06 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/18 , C23C14/0052 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/46 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 一种压电体薄膜(1)，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子％以下。在压电体薄膜(1)的制造时，在至少含有氮气的气氛下，从碳原子含有率为5原子％以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外，也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外，也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此，能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101325240B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200810099857.8
申请日：2008-05-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社电装
Abstract: 本发明涉及一种压电体薄膜、压电体及其制造方法、使用该压电体薄膜的压电体谐振子、执行器元件以及物理传感器。其中，压电体薄膜包括含有钪的氮化铝薄膜，氮化铝薄膜中的钪的含有率在钪的原子数和铝的原子数的总量设定为100原子％时为0.5～50原子％。由此，本发明的压电体薄膜不会失去氮化铝薄膜所具有的弹性波的传播速度、Q值以及频率温度系数等特性，从而能提高压电响应性。
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公开(公告)号：CN111742421A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201980014068.6
申请日：2019-02-04
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L41/187 , C23C14/06 , C30B29/38 , H01L41/319 , H03H3/02 , H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种压电膜(1)，其含有AlN晶体和添加至AlN晶体中的第1元素及第2元素。第1元素为离子半径大于Al的元素。第2元素为离子半径小于Al的元素。另外，一种压电膜层叠体及其制造方法，所述压电膜层叠体可具有基底层和由ScAlN形成的压电膜。基底层具有6次对称或3次对称的结晶晶格。另外，一种压电膜及其制造方法，所述压电膜由具有六方晶与立方晶的层叠型的晶体结构的ScAlN形成。在立方晶中添加了3价以外的元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114843392A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210078029.6
申请日：2022-01-24
IPC: H01L41/39 , H01L41/083 , H01L41/187
Abstract: 一种压电膜层叠结构，包括基材(11、25、27、32、34、41、54)和形成在基材上的ScAlN膜。ScAlN薄膜具有的未成对电子密度在1.7×1018个电子/cm3(含)和1.1×1019个电子/cm3(含)之间的范围内。
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公开(公告)号：CN114762141A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080080179.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L41/35 , H04R17/00 , H04R31/00 , H01L41/113 , H01L21/265 , H01L21/266
Abstract: 进行以下步骤：准备具有多个芯片形成区域(101)的半导体晶片(100)；在半导体晶片(100)上形成薄层(110)；设薄层(110)中的构成芯片形成区域(101)中的各个元件的部分为元件构成部分(110a)，调整应力以使元件构成部分(110a)的应力成为规定值。并且，在调整应力的步骤中，进行以下步骤：在薄层(110a)上配置抗蚀剂(120)；利用形成有开口部(201)的光掩模(200)将抗蚀剂(120)曝光；将抗蚀剂(120)显影而在该抗蚀剂(120)中形成开口部；以抗蚀剂(120)为掩模进行离子注入；在将抗蚀剂(120)曝光的步骤中，利用基于在元件构成部分(110a)中产生的应力调整了开口部的比率的光掩模。
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公开(公告)号：CN111742421B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201980014068.6
申请日：2019-02-04
Applicant: 株式会社电装
IPC: H10N30/853 , C23C14/06 , C30B29/38 , H10N30/079 , H03H3/02 , H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种压电膜(1)，其含有AlN晶体和添加至AlN晶体中的第1元素及第2元素。第1元素为离子半径大于Al的元素。第2元素为离子半径小于Al的元素。另外，一种压电膜层叠体及其制造方法，所述压电膜层叠体可具有基底层和由ScAlN形成的压电膜。基底层具有6次对称或3次对称的结晶晶格。另外，一种压电膜及其制造方法，所述压电膜由具有六方晶与立方晶的层叠型的晶体结构的ScAlN形成。在立方晶中添加了3价以外的元素。
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公开(公告)号：CN117222301A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310646405.1
申请日：2023-06-02
IPC: H10N30/50 , H10N30/853 , H10N30/00 , H10N30/05
Abstract: 本发明提供一种压电膜层叠体，其具备SiN膜(14)和ScAlN膜(15)。SiN膜(14)具有衬底表面(14a)。ScAlN膜(15)与衬底表面(14a)相接地配置。衬底表面(14a)的表面粗糙度按算术平均粗糙度的值计为0.5nm以下。
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