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公开(公告)号：CN102474234B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201080028605.1
申请日：2010-06-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社电装
CPC classification number: H03H3/02 , C23C14/0036 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , H01L41/316 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明的具备含钪的氮化铝薄膜的压电体薄膜的制造方法包含在至少含有氮气的环境下用钪和铝进行溅射的溅射工序。在本发明的制造方法的溅射工序中，在基板温度为5℃～450℃的范围下，以使钪含有率处于0.5原子％～50原子％的范围内的形式，进行溅射。
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公开(公告)号：CN105229810A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480026406.5
申请日：2014-05-22
Applicant: 株式会社电装 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L41/316 , C23C14/06 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/18 , C23C14/0052 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/46 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 一种压电体薄膜(1)，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子％以下。在压电体薄膜(1)的制造时，在至少含有氮气的气氛下，从碳原子含有率为5原子％以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外，也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外，也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此，能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101325240A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810099857.8
申请日：2008-05-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社电装
Abstract: 本发明涉及一种压电体薄膜、压电体及其制造方法、使用该压电体薄膜的压电体谐振子、执行器元件以及物理传感器。其中，压电体薄膜包括含有钪的氮化铝薄膜，氮化铝薄膜中的钪的含有率在钪的原子数和铝的原子数的总量设定为100原子％时为0.5～50原子％。由此，本发明的压电体薄膜不会失去氮化铝薄膜所具有的弹性波的传播速度、Q值以及频率温度系数等特性，从而能提高压电响应性。
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公开(公告)号：CN105229810B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201480026406.5
申请日：2014-05-22
IPC: H01L41/316 , C23C14/06 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/18 , C23C14/0052 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/3464 , C23C14/46 , H01L41/187 , H01L41/316
Abstract: 一种压电体薄膜(1)，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的。其碳原子含有率为2.5原子％以下。在压电体薄膜(1)的制造时，在至少含有氮气的气氛下，从碳原子含有率为5原子％以下的钪铝合金靶材(10)向基板上(21)同时溅射钪和铝。另外，也可以对合金靶材的相对面倾斜地照射离子束(31)来进行溅射。另外，也可以从Sc靶材和Al靶材向基板上同时溅射铝和钪。由此，能够提供可发挥优良的压电特性的压电体薄膜及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102474234A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080028605.1
申请日：2010-06-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社电装
CPC classification number: H03H3/02 , C23C14/0036 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , H01L41/316 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明的具备含钪的氮化铝薄膜的压电体薄膜的制造方法包含在至少含有氮气的环境下用钪和铝进行溅射的溅射工序。在本发明的制造方法的溅射工序中，在基板温度为5℃～450℃的范围下，以使钪含有率处于0.5原子％～50原子％的范围内的形式，进行溅射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101325240B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200810099857.8
申请日：2008-05-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社电装
Abstract: 本发明涉及一种压电体薄膜、压电体及其制造方法、使用该压电体薄膜的压电体谐振子、执行器元件以及物理传感器。其中，压电体薄膜包括含有钪的氮化铝薄膜，氮化铝薄膜中的钪的含有率在钪的原子数和铝的原子数的总量设定为100原子％时为0.5～50原子％。由此，本发明的压电体薄膜不会失去氮化铝薄膜所具有的弹性波的传播速度、Q值以及频率温度系数等特性，从而能提高压电响应性。
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公开(公告)号：CN106062238A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011354.9
申请日：2015-03-02
Applicant: 株式会社村田制作所 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C23C14/06 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H01L41/39 , H03H3/02 , H03H9/17
CPC classification number: H01L41/18 , C04B35/581 , C04B35/62218 , C04B2235/3865 , C04B2235/40 , C23C14/0042 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , C23C14/14 , C23C14/3435 , C23C14/3464 , G10K9/125 , H01L41/0805 , H01L41/081 , H01L41/0831 , H01L41/0973 , H01L41/187 , H01L41/27 , H01L41/316 , H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/588 , H03H2003/023
Abstract: 本发明提供一种氮化铝压电薄膜及其制造方法、压电材、压电部件。可得出呈氮极性且量产性优越的氮化铝压电薄膜。提供使含有锗的氮化铝压电薄膜(3)以及在基材(2)上通过溅射而含有锗的氮化铝压电薄膜生长的氮化铝压电薄膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN103998568B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201280062378.3
申请日：2012-11-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
Inventor： 秋山守人
CPC classification number: C03C14/008 , C03C4/02 , C03C2204/00 , C03C2214/08 , C03C2214/17 , C09K11/602 , C09K11/625 , C09K11/646 , C09K11/666 , C09K11/676 , C09K11/685 , C09K11/698 , C09K11/706 , C09K11/7442 , C09K11/757 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , G03C1/725
Abstract: 本发明提供一种毒性较低，且在可见光区域表现优异的感光性，且变色较深、退色速度较慢，且还具有化学稳定及热稳定性而耐久性优异的光致变色物质。该光致变色物质具有由“Ba(a-b)CabMgcSidOe:FefMgM'h”所表达的组分(式中，1.8≤a≤2.2，0≤b≤0.1，1.4≤c≤3.5，1.8≤d≤2.2，e＝(a+c+2d)，0.0001≤f，0.0001≤g，0≤h，M为Al及Eu中的至少1种元素，M'为选自由Na、K、Nd、Li、S、C、Ti、V、Mn、Cr、Cu、Ni、Co、Ge、Zn、Ga、Zr、Y、Nb、In、Ag、Mo、Sn、Sb、Bi、Ta、W、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Er、Ho、Tb、Tm、Yb、Lu、P、Cd及Pb所组成的群中的至少1种元素)。
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公开(公告)号：CN1656623A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03812317.7
申请日：2003-05-29
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 一种使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件及其制造方法。本发明的目的在于，提供一种在玻璃基板等廉价的基板上不介入密接层而直接由W层形成下部电极，由此形成没有隆起或裂纹或剥离、而且构成c轴超高取向的氮化铝薄膜的高性能的压电元件。本发明的使用超高取向氮化铝薄膜的压电元件具有在基板上顺序形成下部电极、压电体薄膜、上部电极的叠层结构，并且没有隆起、裂纹或剥离，其特征在于，下部电极由W的(111)面与基板面平行的取向性W层形成，而且压电体薄膜由摇摆曲线半价宽度(RCFWHM)为小于等于2.5°的c轴取向氮化铝薄膜形成。
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公开(公告)号：CN103998568A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062378.3
申请日：2012-11-01
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
Inventor： 秋山守人
CPC classification number: C03C14/008 , C03C4/02 , C03C2204/00 , C03C2214/08 , C03C2214/17 , C09K11/602 , C09K11/625 , C09K11/646 , C09K11/666 , C09K11/676 , C09K11/685 , C09K11/698 , C09K11/706 , C09K11/7442 , C09K11/757 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , G03C1/725
Abstract: 本发明提供一种毒性较低，且在可见光区域表现优异的感光性，且变色较深、退色速度较慢，且还具有化学稳定及热稳定性而耐久性优异的光致变色物质。该光致变色物质具有由“Ba(a-b)CabMgcSidOe:FefMgM'h”所表达的组分(式中，1.8≤a≤2.2，0≤b≤0.1，1.4≤c≤3.5，1.8≤d≤2.2，e＝(a+c+2d)，0.0001≤f，0.0001≤g，0≤h，M为Al及Eu中的至少1种元素，M'为选自由Na、K、Nd、Li、S、C、Ti、V、Mn、Cr、Cu、Ni、Co、Ge、Zn、Ga、Zr、Y、Nb、In、Ag、Mo、Sn、Sb、Bi、Ta、W、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Er、Ho、Tb、Tm、Yb、Lu、P、Cd及Pb所组成的群中的至少1种元素)。
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