研磨装置及其程序
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101663739A

    公开(公告)日:2010-03-03

    申请号:CN200880012830.9

    申请日:2008-04-17

    Abstract: 研磨装置具备:载置部(14),载置容纳有多个研磨对象物的盒(12);第一研磨线(20)及第二研磨线(30),对研磨对象物进行研磨;清洗线(40),具备对研磨后的研磨对象物进行清洗的清洗机(42a、42b、42c、42d)和输送研磨对象物的输送单元(44);输送机构(50),在载置部(14)、研磨线(20、30)及清洗线(40)之间输送研磨对象物;控制部,控制研磨线(20、30)、清洗线(40)及输送机构(50)。控制部基于第一及第二研磨线(20、30)的预测研磨时间、输送机构(50)的预测输送时间、清洗线(40)的预测清洗时间及驱动清洗线(40)的输送单元(44)而开始进行清洗的清洗开始预测时刻,决定第一或第二研磨线(20、30)的研磨开始时刻。

    基板处理装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104972386B

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201510167195.3

    申请日:2015-04-09

    CPC classification number: B24B53/007

    Abstract: 本发明提供一种削减从被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止的期间的基板的待机状态的基板处理装置。CMP装置具备晶片的研磨单元(3)、晶片的清洗单元(4)、将基板向研磨单元(3)交接并且从清洗单元(4)接收基板的装载/卸载单元(2)、晶片的搬送单元、及控制将晶片向CMP装置投入的投入时序的控制部(5)。控制部(5)以从晶片被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止都不会产生待机状态的方式,制作按照投入至CMP装置的多个晶片的每一个晶片,将研磨部、清洗部、及搬送部中的处理结束时刻或处理结束预定时刻建立了对应关系的时刻表,且根据时刻表来控制多个晶片对CMP装置的投入时序。

    基板处理装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104972386A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201510167195.3

    申请日:2015-04-09

    Abstract: 本发明提供一种削减从被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止的期间的基板的待机状态的基板处理装置。CMP装置具备晶片的研磨单元(3)、晶片的清洗单元(4)、将基板向研磨单元(3)交接并且从清洗单元(4)接收基板的装载/卸载单元(2)、晶片的搬送单元、及控制将晶片向CMP装置投入的投入时序的控制部(5)。控制部(5)以从晶片被投入至CMP装置起直到清洗处理结束为止都不会产生待机状态的方式,制作按照投入至CMP装置的多个晶片的每一个晶片,将研磨部、清洗部、及搬送部中的处理结束时刻或处理结束预定时刻建立了对应关系的时刻表,且根据时刻表来控制多个晶片对CMP装置的投入时序。

    基板处理装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104617012A

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201410612632.3

    申请日:2014-11-04

    CPC classification number: H01L21/67219 H01L21/67276

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置,该基板处理装置有效地抑制对基板处理装置内的基板产生损伤。该基板处理装置具备:对基板进行研磨的研磨单元、对通过研磨单元进行了研磨处理后的基板进行清洗以及干燥的清洗单元、以及在研磨单元以及清洗单元内进行基板的输送的输送单元。另外,基板处理装置具备:计测部(5A),其按每一基板来计测在研磨单元、清洗单元以及输送单元中的停留时间;以及判定部(5B),其将由计测部(5A)计测出的停留时间与针对各单元分别独立地设定的设定时间进行比较,并且如果停留时间超过了设定时间则判定为发生了错误。

    基板处理装置的异常检测装置、及基板处理装置

    公开(公告)号:CN104779185B

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201510018900.3

    申请日:2015-01-14

    Abstract: 本发明提供一种使基板处理装置的异常的检测精度提高的基板处理装置的异常检测装置、及基板处理装置。异常检测装置(520)包括数据收集部(522),数据收集部(522)收集由设于CMP装置的传感器(270‑1~270‑a、370‑1~370‑b、470‑1~470‑c)所检测的数据。此外,异常检测装置(520)包括判定部(524),判定部(524)从储存有规定关于CMP装置的基板处理工序或方法的选单数据的选单存储部(512)读取选单数据,比较读取的选单数据与由数据收集部(522)所收集的数据,存在差异的情况下,判定为CMP装置有异常。

    研磨装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101663739B

    公开(公告)日:2011-10-26

    申请号:CN200880012830.9

    申请日:2008-04-17

    Abstract: 研磨装置具备:载置部(14),载置容纳有多个研磨对象物的盒(12);第一研磨线(20)及第二研磨线(30),对研磨对象物进行研磨;清洗线(40),具备对研磨后的研磨对象物进行清洗的清洗机(42a、42b、42c、42d)和输送研磨对象物的输送单元(44);输送机构(50),在载置部(14)、研磨线(20、30)及清洗线(40)之间输送研磨对象物;控制部,控制研磨线(20、30)、清洗线(40)及输送机构(50)。控制部基于第一及第二研磨线(20、30)的预测研磨时间、输送机构(50)的预测输送时间、清洗线(40)的预测清洗时间及驱动清洗线(40)的输送单元(44)而开始进行清洗的清洗开始预测时刻,决定第一或第二研磨线(20、30)的研磨开始时刻。

    抛光装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1708378A

    公开(公告)日:2005-12-14

    申请号:CN200380102402.2

    申请日:2003-11-04

    CPC classification number: B24B47/22 B24B37/30 B24B49/16 H01L21/30625

    Abstract: 本发明涉及一种抛光装置,所述抛光装置具有一个其上具有一抛光面(10)的抛光工作台(12)和一个使得一个工件(W)得以压靠于所述抛光面(10)上的顶环(20)。所述顶环(20)具有一个壳体(40)和一个可在所述壳体(20)中垂直移动以支撑所述工件(W)之外周缘的限位环(44)。所述抛光装置具有一个可使得所述顶环(20)垂直移动的移动机构,一个可连同所述顶环(20)垂直移动的支架(28),一个其垂直位置可被调节以阻止所述支架(28)之下移的挡块(32)以及一个用以检测所述挡块(32)和所述支架(28)之间距离的传感器(36)。所述抛光装置还包括一个基于来自所述传感器(36)之距离信号调节所述挡块(32)之所述垂直位置的控制总成(34)。

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