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公开(公告)号：CN100439571C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03801815.2
申请日：2003-07-18
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25D21/12
CPC classification number: C25D21/12 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/008
Abstract: 本发明提供电镀装置，其特征在于具有：电镀槽(40)，用于保持镀液(10)；阳极(56)，其浸入并设置在上述电镀槽(40)内的镀液(10)中；调整板(60)，其设置在上述阳极(56)以及设置成与该阳极(56)相对置的基片(W)之间；以及电镀电源(24)，其用于在上述阳极(56)和基片(W)之间通电进行电镀；上述调整板(60)，其设置状态是把保存在上述电镀槽(40)内的镀液(10)遮断在上述阳极和被镀体侧，内部设置了由多个通孔(66)构成的通孔群(68)。
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公开(公告)号：CN101812711B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010144713.7
申请日：2004-03-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D17/008 , C23C18/1628 , C25D5/08 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D21/10 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置，其包括：用于保持镀液的镀槽；和具有搅拌叶片的搅拌机构，所述搅拌叶片浸在镀槽的镀液中并且布置在面对工件的待镀表面的位置，所述搅拌叶片可平行于工件的待镀表面往复运动以搅拌镀液；其中所述搅拌叶片具有相对于工件的待镀表面的一个角度，当所述搅拌叶片的运动方向变化时该角度可变，从而使与待镀表面接触的镀液的流动更加均匀和有效，在待镀表面上形成膜厚一致性更好的镀膜。
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公开(公告)号：CN101369533A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810166115.2
申请日：2004-03-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/288 , C25D7/12 , C25D5/08 , C25D21/10
CPC classification number: H01L2924/01078
Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置，该镀覆装置用于在半导体晶片的表面中限定的沟槽、通孔、或者保护层开口中形成镀膜，和在半导体晶片上形成突出部以电连接到封装的电极。该镀覆装置(170)具有用于保持镀液(188)的镀槽(186)；用于保持工件(W)和使工件的待镀表面与镀槽(186)中的镀液(188)接触的支座(160)；和布置在镀槽(186)中的环形喷管(220)或具有搅拌叶片的搅拌机构，其中该喷管具有多个镀液注入喷嘴(222)，以用于朝着由支座(160)保持的工件的待镀表面注入镀液(188)，从而将镀液(188)供应到镀槽(186)中。
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公开(公告)号：CN100436643C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200480004248.X
申请日：2004-03-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L2924/01078
Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置，该镀覆装置用于在半导体晶片的表面中限定的沟槽、通孔、或者保护层开口中形成镀膜，和在半导体晶片上形成突出部以电连接到封装的电极。该镀覆装置(170)具有用于保持镀液(188)的镀槽(186)；用于保持工件(W)和使工件的待镀表面与镀槽(186)中的镀液(188)接触的支座(160)；和布置在镀槽(186)中的环形喷管(220)或具有搅拌叶片的搅拌机构，其中该喷管具有多个镀液注入喷嘴(222)，以用于朝着由支座(160)保持的工件的待镀表面注入镀液(188)，从而将镀液(188)供应到镀槽(186)中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1732291B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200380107475.0
申请日：2003-12-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L24/12 , C25D3/60 , C25D5/505 , C25D21/14 , H01L21/2885 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/11462 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01092 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种通过将调整了镀膜中的Ag浓度的Sn-Ag类焊锡合金镀膜进行回流得到的抑制空隙产生的无铅凸点及该凸点的形成方法。本发明的无铅凸点是通过电镀形成Ag含量比Sn-Ag的共晶形成浓度低的Sn-Ag类合金膜，并通过回流该合金镀膜得到的。
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公开(公告)号：CN101812711A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010144713.7
申请日：2004-03-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C25D17/008 , C23C18/1628 , C25D5/08 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D21/10 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/1147 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置，其包括：用于保持镀液的镀槽；和具有搅拌叶片的搅拌机构，所述搅拌叶片浸在镀槽的镀液中并且布置在面对工件的待镀表面的位置，所述搅拌叶片可平行于工件的待镀表面往复运动以搅拌镀液；其中所述搅拌叶片具有相对于工件的待镀表面的一个角度，当所述搅拌叶片的运动方向变化时该角度可变，从而使与待镀表面接触的镀液的流动更加均匀和有效，在待镀表面上形成膜厚一致性更好的镀膜。
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公开(公告)号：CN101369533B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810166115.2
申请日：2004-03-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/288 , C25D7/12 , C25D5/08 , C25D21/10
CPC classification number: H01L2924/01078
Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置，其包括：用于保持镀液的镀槽；和具有搅拌叶片的搅拌机构，所述搅拌叶片浸在镀槽的镀液中并且布置在面对工件的待镀表面的位置，所述搅拌叶片可平行于工件的待镀表面往复运动以搅拌镀液；其中所述搅拌叶片在其至少一侧上具有不规则部，所述不规则部包括连续的三角形或矩形锯齿不规则部，从而使与待镀表面接触的镀液的流动更加均匀和有效，在待镀表面上形成膜厚一致性更好的镀膜。
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公开(公告)号：CN1751382A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004248.X
申请日：2004-03-09
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/288 , C25D7/12 , C23C18/54 , C25D5/02 , C25D5/08
CPC classification number: H01L2924/01078
Abstract: 本发明涉及一种镀覆装置，该镀覆装置用于在半导体晶片的表面中限定的沟槽、通孔、或者保护层开口中形成镀膜，和在半导体晶片上形成突出部以电连接到封装的电极。该镀覆装置(170)具有用于保持镀液(188)的镀槽(186)；用于保持工件(W)和使工件的待镀表面与镀槽(186)中的镀液(188)接触的支座(160)；和布置在镀槽(186)中的环形喷管(220)或具有搅拌叶片的搅拌机构，其中该喷管具有多个镀液注入喷嘴(222)，以用于朝着由支座(160)保持的工件的待镀表面注入镀液(188)，从而将镀液(188)供应到镀槽(186)中。
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公开(公告)号：CN1732291A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107475.0
申请日：2003-12-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L24/12 , C25D3/60 , C25D5/505 , C25D21/14 , H01L21/2885 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/056 , H01L2224/11462 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01092 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种通过将调整了镀膜中的Ag浓度的Sn－Ag类焊锡合金镀膜进行回流得到的抑制空隙产生的无铅凸点及该凸点的形成方法。本发明的无铅凸点是通过电镀形成Ag含量比Sn－Ag的共晶形成浓度低的Sn－Ag类合金膜，并通过回流该合金镀膜得到的。
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