-
公开(公告)号：CN116525477A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310079601.5
申请日：2023-01-17
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供芯片的检查方法，能够适当地评价通过被加工物的分割而形成的芯片。该芯片的检查方法包含如下的步骤：分割步骤，按照规定的分割加工条件对被加工物进行加工，由此将被加工物分割成多个芯片；拍摄步骤，对芯片的侧面进行拍摄，由此获取表现芯片的侧面的侧面图像；以及检查步骤，将从侧面图像抽取的评价值与阈值进行比较，由此对芯片的状态进行检查。
-
公开(公告)号：CN109664414A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811176879.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供刀具切削装置，将维护的频率抑制得较低。刀具切削装置具有从收纳有卡盘工作台、刀具轮和清洗喷嘴的加工室中吸引包含清洗液和加工屑的氛围气而排出的吸引单元，吸引单元包含：第1吸引路，其一端侧与加工室连接；分离室，其与第1吸引路的另一端侧连接，从自加工室排出的氛围气中分离出清洗液和加工屑；第2吸引路，其一端侧与分离室连接，另一端侧与吸引源连接；门，其设置于分离室的底部，将在分离室中分离出的清洗液和加工屑积存于上部；和开闭机构，其对门进行开闭从而使积存于门的上部的清洗液和加工屑落下而排出至分离室外，开闭机构按照规定时机使门开闭，在除规定时机以外的期间限制分离室外的氛围气从分离室的底部向第2吸引路流入。
-
公开(公告)号：CN116572102A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310119682.7
申请日：2023-02-02
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供磨削装置和磨削方法，即使在从侧部沿水平方向磨削晶片的情况下，也无需再磨削磨削面整体，生产率优异。磨削装置的控制单元执行如下的步骤：临时定位步骤，使Z轴进给单元动作，将磨削单元临时定位于未到达期望的厚度的Z轴位置；临时磨削步骤，使Y轴进给单元动作，通过磨削磨具从侧部临时磨削晶片的一部分；厚度测量步骤，使厚度测量单元动作，测量被临时磨削的晶片的区域的厚度；计算步骤，计算期望的厚度与通过厚度测量步骤测量的晶片的厚度的差；正式定位步骤，根据差的值使Z轴进给单元动作，将磨削单元定位于到达期望的厚度的Z轴位置；精磨削步骤，使Y轴进给单元动作，通过磨削磨具磨削晶片而将晶片的厚度精加工成期望的厚度。
-
公开(公告)号：CN115597973A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210716008.2
申请日：2022-06-23
Applicant: 株式会社迪思科(JP)
Inventor： 小林真
IPC: G01N3/12
Abstract: 本发明提供试验装置和试验方法，提供能够缩短测量时间并且能够避免由于压头的移动距离不足而无法破坏试验片的不良情况的试验装置。试验装置包含：支承单元，其对试验片的下表面侧进行支承；按压单元，其具有按压支承单元所支承的试验片的压头；驱动单元，其使按压单元升降；载荷测量器，其测量压头按压支承单元所支承的试验片时产生的载荷；以及控制器，其控制按压单元的升降。控制器构成为：在压头开始按压试验片之后，当载荷测量器的测量值从上升转为下降时能够使压头停止移动。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110867396B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201910710463.X
申请日：2019-08-02
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的保护方法，不会使器件的品质降低。根据本发明，提供晶片的保护方法，在晶片(10)的面上配设片状的保护部件(22a)而对晶片(10)进行保护，其中，该晶片的保护方法至少包含如下的工序：片准备工序，准备作为保护部件(22a)的基材的聚烯烃系的片或聚酯系的片；粘接力生成工序，对片(20)的面进行加热而生成粘接力；片压接工序，将生成了粘接力的片(20)的面敷设于要保护的晶片(10)的面(正面(10a))上并赋予按压力，从而将片(20)压接在晶片(10)的面(10a)上；以及粘接力强化工序，对压接在晶片(10)的面上的片(20)进行加热而使粘接力强化。
-
公开(公告)号：CN109664414B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201811176879.X
申请日：2018-10-10
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供刀具切削装置，将维护的频率抑制得较低。刀具切削装置具有从收纳有卡盘工作台、刀具轮和清洗喷嘴的加工室中吸引包含清洗液和加工屑的氛围气而排出的吸引单元，吸引单元包含：第1吸引路，其一端侧与加工室连接；分离室，其与第1吸引路的另一端侧连接，从自加工室排出的氛围气中分离出清洗液和加工屑；第2吸引路，其一端侧与分离室连接，另一端侧与吸引源连接；门，其设置于分离室的底部，将在分离室中分离出的清洗液和加工屑积存于上部；和开闭机构，其对门进行开闭从而使积存于门的上部的清洗液和加工屑落下而排出至分离室外，开闭机构按照规定时机使门开闭，在除规定时机以外的期间限制分离室外的氛围气从分离室的底部向第2吸引路流入。
-
公开(公告)号：CN110867396A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910710463.X
申请日：2019-08-02
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的保护方法，不会使器件的品质降低。根据本发明，提供晶片的保护方法，在晶片(10)的面上配设片状的保护部件(22a)而对晶片(10)进行保护，其中，该晶片的保护方法至少包含如下的工序：片准备工序，准备作为保护部件(22a)的基材的聚烯烃系的片或聚酯系的片；粘接力生成工序，对片(20)的面进行加热而生成粘接力；片压接工序，将生成了粘接力的片(20)的面敷设于要保护的晶片(10)的面(正面(10a))上并赋予按压力，从而将片(20)压接在晶片(10)的面(10a)上；以及粘接力强化工序，对压接在晶片(10)的面上的片(20)进行加热而使粘接力强化。
-
公开(公告)号：CN110858537A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910711029.3
申请日：2019-08-02
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 提供晶片的保护方法、保护部件和保护部件的生成方法，不会使器件的品质降低。根据本发明，提供晶片的保护方法，在晶片(10)的面上配设片状的保护部件(22a)而对晶片(10)进行保护，其中，该晶片的保护方法至少包含如下的工序：片准备工序，准备作为保护部件(22a)的基材的聚烯烃系的片或聚酯系的片；粘接力生成工序，对该片(20)的面进行加热而生成粘接力；以及片压接工序，将生成了粘接力的片(20)的面敷设于要保护的晶片(10)的面(正面(10a))上并赋予按压力，从而将片(20)压接在晶片(10)的面(10a)上。
-
公开(公告)号：CN112530866A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010959310.1
申请日：2020-09-14
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供晶片的处理方法和芯片测量装置。该晶片在正面的由交叉的多条分割预定线划分的各区域内分别形成有器件，该晶片的处理方法包含如下的步骤：晶片单元形成步骤，将带粘贴在晶片的背面上并将带的外周安装于环状框架，形成具有晶片、带和环状框架的晶片单元；分割步骤，将晶片沿着分割预定线分割而形成多个芯片(器件芯片)；拾取步骤，从晶片单元拾取芯片；和测量步骤，对通过拾取步骤而拾取的芯片进行测量。在实施拾取步骤之前，实施如下的判别步骤：分别对器件的特性进行检查而判别出良好器件和不良器件并存储判别结果。在测量步骤中，根据判别结果，在通过拾取步骤而拾取的器件芯片包含不良器件的情况下，将芯片破坏而测量抗弯强度。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.03 seconds)
