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公开(公告)号：CN100523279C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610009203.2
申请日：2006-02-15
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C22C1/0416 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C21/00 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F3/1208 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F3/24 , B22F2201/02
Abstract: 本发明提供一种可以减小制造时以及使用时所产生的翘曲(变形)，并能够高精度、高效率地制造靶，而且可以进行稳定的成膜作业的Al-Ni-稀土类元素合金溅射靶。是一种包含Ni以及1或2种以上稀土类元素的Al基合金溅射靶，其特征在于，在以倍率：2000倍以上观察与该靶平面垂直的剖面的时候，纵横尺寸比为2.5以上、且当量圆直径为0.2μm以上的化合物存在5.0×104个/mm2以上。
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公开(公告)号：CN1280446C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200410044707.9
申请日：2004-05-17
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag-Bi基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法，其特征在于，溅射靶的析出Bi强度为0.01原子%-1或以下，其是根据下式，基于X-射线衍射的分析结果计算出来的。析出Bi强度＝[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]该溅射靶的Bi固溶于Ag中。根据本发明，在使用该溅射靶形成薄膜时，可以抑制其薄膜之中Bi含量相对于溅射靶Bi含量的显著降低。
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公开(公告)号：CN102498233A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080041069.9
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: G11B7/266 , C23C14/3414 , G11B2007/24302 , G11B2007/2432
Abstract: 提供一种对于含有金属氧化物和金属的光信息记录媒体用记录层等的形成有用的金属氧化物-金属复合溅射靶。本发明的溅射靶是含有金属氧化物A和金属B的金属氧化物-金属复合溅射靶，所述金属氧化物A的当量圆直径的最大值控制在200μm以下。
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公开(公告)号：CN1823179A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020394.1
申请日：2004-07-14
CPC classification number: C22C5/06 , C22F1/14 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag系溅射靶(6)，在和溅射面平行的面上切断该溅射靶而使多个溅射面露出，在每个露出的溅射面上选择多个位置，通过下式基于全部的选择位置的结晶粒径而算出值A1以及值B1，当这些值A1以及值B1中的大的值被称为结晶粒径的3维偏差时，该结晶粒径的3维偏差为18％以下。A1＝(Dmax－Dave)/Dave×100(％)，B1＝(Dave－Dmin)/Dave×100(％)，Dmax：全部选择位置的结晶粒径D的最大值，Dmin：全部选择位置的结晶粒径D的最小值，Dave：全部选择位置的结晶粒径D的平均值。
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公开(公告)号：CN1823179B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200480020394.1
申请日：2004-07-14
CPC classification number: C22C5/06 , C22F1/14 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag系溅射靶(6)，在和溅射面平行的面上切断该溅射靶而使多个溅射面露出，在每个露出的溅射面上选择多个位置，通过下式基于全部的选择位置的结晶粒径而算出值A1以及值B1，当这些值A1以及值B1中的大的值被称为结晶粒径的3维偏差时，该结晶粒径的3维偏差为18％以下。A1＝(Dmax-Dave)/Dave×100(％)，B1＝(Dave-Dmin)/Dave×100(％)，Dmax：全部选择位置的结晶粒径D的最大值，Dmin：全部选择位置的结晶粒径D的最小值，Dave：全部选择位置的结晶粒径D的平均值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101376962B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200810145432.6
申请日：2008-08-05
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/15 , C22C5/06 , G11B7/259
Abstract: 本发明提供一种能够在膜面方向(膜面内)稳定地形成成分均匀性优异的薄膜的Ag-Ta-Cu合金溅射靶。该溅射靶由Ta含量为0.6～10.5原子％、Cu含量为2～13原子％的Ag基合金构成，对溅射靶的溅射面进行图像分析时，(1)相对于Ta粒子的整个面积，当量圆直径为10～50μm的Ta粒子的合计面积为60面积％以上，且，Ta粒子的平均重心间距离为10～50μm；(2)相对于Cu粒子的整个面积，当量圆直径为10μm～50μm的Cu粒子的合计面积为70面积％以上，且，Cu粒子的平均重心间距离为60μm～120μm。
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公开(公告)号：CN1550573A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410044707.9
申请日：2004-05-17
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag－Bi基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法，其特征在于，溅射靶的析出Bi强度为0.01原子％－1或以下，其是根据下式，基于X－射线衍射的分析结果计算出来的。析出Bi强度＝[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]该溅射靶的Bi固溶于Ag中。根据本发明，在使用该溅射靶形成薄膜时，可以抑制其薄膜之中Bi含量相对于溅射靶Bi含量的显著降低。
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公开(公告)号：CN101376963B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200810212643.7
申请日：2008-08-27
Applicant: 株式会社钢臂功科研 , 索尼碟片数位解决方案股份有限公司
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2003/244 , B22F2998/10 , C22C1/0466 , C22C5/06 , B22F3/24
Abstract: 本发明涉及一种Ag-基合金溅射靶，所述Ag-基合金溅射靶包含总量为1至15重量％的选自Ti、V、W、Nb、Zr、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al和Si的至少一种元素，其中所述Ag-基合金溅射靶在其溅射表面上具有2μm以上的算术平均粗糙度(Ra)以及20μm以上的最大高度(Rz)。
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公开(公告)号：CN102057074A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121618.0
申请日：2009-06-08
CPC classification number: C22C1/0416 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F1/0003
Abstract: 本发明提供一种能够以高成品率制造含有稀土类元素、和熔点比Al高的高熔点元素的Al基合金溅射靶材的方法。本发明涉及Al基合金溅射靶材的制造方法，包括如下工序：准备由雾化法制造的含有稀土类元素的Al基合金的第一粉末的工序、将第一粉末和含有一种以上的熔点比Al高的高熔点元素X的第二粉末进行混合的工序、和使第一粉末和第二粉末的混合粉末致密化的工序，在所述混合工序中，第一粉末的最大粒径(a)为10～200μm，所述第二粉末的最大粒径(b)为10～150μm，所述第一粉末的最大粒径(a)和所述第二粉末的最大粒径(b)的比(a)/(b)为0.5～5。
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公开(公告)号：CN101376962A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810145432.6
申请日：2008-08-05
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/15 , C22C5/06 , G11B7/259
Abstract: 本发明提供一种能够在膜面方向(膜面内)稳定地形成成分均匀性优异的薄膜的Ag－Ta－Cu合金溅射靶。该溅射靶由Ta含量为0.6～10.5原子％、Cu含量为2～13原子％的Ag基合金构成，对溅射靶的溅射面进行图像分析时，(1)相对于Ta粒子的整个面积，当量圆直径为10～50μm的Ta粒子的合计面积为60面积％以上，且，Ta粒子的平均重心间距离为10～50μm；(2)相对于Cu粒子的整个面积，当量圆直径为10μm～50μm的Cu粒子的合计面积为70面积％以上，且，Cu粒子的平均重心间距离为60μm～120μm。
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