公开(公告)号：CN204101765U

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201420447592.7

申请日：2014-08-08

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 新井敏成 ,  桥本和重

IPC: G02B5/30 ,  G02B27/28 ,  G02F1/1337

Abstract: 本实用新型提供一种偏光元件单元以及使用偏光元件单元的偏光照射装置，偏光元件单元能够防止未偏振光等泄露，并减少未偏振光照射于光取向膜用抗蚀剂，并减少曝光光的照射不均，还提供一种使用该单元的偏光照射装置。本实用新型提供的偏光照射装置(10)对取向膜用抗蚀剂(W1)照射偏振光，进行光取向，其特征在于，包括：光源部(11)，其用于对抗蚀剂(W1)照射光；以及偏光元件单元(1)，其由平行四边形的单位偏光元件构成，用于使来自该光源的光偏振成规定的偏振光。光源部(11)的光源(12)为平行于偏光元件单元(1)的单位偏光元件(2)的排列方向配置的线状光源。

公开(公告)号：CN115461834A

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202180030902.8

申请日：2021-05-31

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  新井敏成 ,  松本隆德 ,  竹下琢郎

IPC: H01J37/18 ,  H01J37/16 ,  H01J37/244 ,  H01J37/317

Abstract: 加工装置具备：差动排气装置，其在头部中的与被处理基板对置的面形成有多个环状槽，该多个环状槽围绕所述头部的中心，在比所述多个环状槽中的最内侧的所述环状槽靠内侧的区域设置有开口部，该开口部形成能够对所述被处理面进行处理的处理用空间，在多个所述环状槽中的至少一个所述环状槽连结真空泵，在使所述对置面与所述被处理面对置的状态下，通过来自所述环状槽的吸气作用将所述处理用空间设为高真空度；以及聚焦离子束柱状体，其具备与所述开口部连结而能够与所述处理用空间连通的镜筒，在所述镜筒内内置有聚焦离子束光学系统而使聚焦离子束穿过所述开口部内而射出，在最内侧的所述环状槽连结原料气体供给部，从该环状槽朝向所述被处理面喷出原料气体而能够使原料气体沿着该被处理面向所述处理用空间移动。

公开(公告)号：CN111164502A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201880063181.9

申请日：2018-11-08

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 新井敏成 ,  桥本和重

IPC: G02F1/1337

Abstract: 提供一种光照射装置等，不需将照射光线的光照射部倾斜，而可以使膜带生成光对准。本发明的一实施形态之中的光照射装置是包含对膜带照射偏光光线的光照射装置、及多个的运送装置，被设置在对膜带的偏光光线的照射位置的前后，用于运送膜带，其中可以改变多个的运送装置的各运送装置相对于偏光光线的照射方向的位置。

公开(公告)号：CN110998450A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880051589.4

申请日：2018-08-06

Applicant: 株式会社V技术 ,  夏普株式会社

Inventor： 吉田祐治 ,  池田聪 ,  新井敏成 ,  三宅敢 ,  片山崇 ,  平井明

IPC: G03F7/20 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1337

Abstract: 一种用于体现预倾角而进行倾斜曝光的光取向用曝光装置，其能够使用廉价的散射光源即体积光源，并且以紧凑的方式获得均匀的照度分布。通过对被照射面向一个方向进行扫描曝光来进行光取向处理的光取向用曝光装置(1)，其具备：光源(2)，朝向被照射面(10S)射出散射光；光学滤波器(3)，在从光源(2)射出的光中选择性地射出紫外线；及照射角度限制部件(4)，在从光学滤波器(3)射出的光中选择性地射出相对于扫描方向倾斜照射的光，在照射角度限制部件(4)中，使平板状的光方向限制板(40)相对于被照射面(10S)以一定角度倾斜并沿扫描方向按设定间隔平行排列多个。

公开(公告)号：CN104412152B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201380034672.8

申请日：2013-03-29

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  桥本和重 ,  新井敏成

IPC: G02F1/1337 ,  G02F1/13

CPC classification number: G02F1/133788 ,  G02F1/133753 ,  G02F2001/133757

Abstract: 本发明提供一种光取向曝光方法及光取向曝光装置。将取向曝光方式适用于多域法时，消除单位图像区域的分割区域的边界附近的取向混乱。一种光取向曝光方法，其将液晶显示元件的各单位图像区域(Pa)分割为多个分割区域(Da1、Da2)，并分别向不同方向对各分割区域(Da1、Da2)的取向材料膜进行光取向，所述光取向曝光方法具有：第1曝光工序，相对于整个单位图像区域(Pa)的被曝光面以倾斜的光照射角度(θ1)照射光；及第2曝光工序，相对于分割区域(Da1、Da2)中的一个区域即第2分割区域(Da2)，用以与第1曝光工序中的光照射角度(θ1)不同的角度倾斜的光照射角度(θ2)照射光。第2曝光工序经由与分割区域(Da1、Da2)中的一个区域即第2分割区域(Da2)对应的掩模图案照射光，通过聚光机构(13)对掩模图案的透射光进行聚光并照射于所曝光的第2分割区域(Da2)。

公开(公告)号：CN104395832A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380034909.2

申请日：2013-03-29

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  桥本和重 ,  新井敏成

IPC: G03F7/20 ,  G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/133788 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/133753 ,  G02F2001/133757 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70308 ,  G03F7/70325 ,  G03F7/70358

Abstract: 本发明提供一种光取向曝光装置及光取向曝光方法。将取向曝光方式适用于多域法时，消除单位图像区域的分割区域中的边界附近的取向混乱。一种光取向曝光装置(100)，其将液晶显示元件的各单位图像区域分割为多个分割区域，并分别向不同方向对各分割区域的取向材料膜进行光取向，所述光取向曝光装置具备：第1掩模(M1)及第1曝光装置(11)，用于单独接近式曝光第1分割区域(Da1)；第2掩模(M2)及第2曝光装置(12)，用于单独接近式曝光与第1分割区域(Da1)相邻的第2分割区域(Da2)；及第3掩模(M3)及第3曝光装置(13)，用于曝光第1分割区域(Da1)与第2分割区域(Da2)的边界附近的第1分割区域(Da1)侧的区域，第3曝光装置(13)相对于被曝光面Bs具备与第1曝光装置(11)或第2曝光装置(12)相同的光照射角度，在第3掩模(M3)的掩模开口与被曝光面(Bs)之间具备聚光机构(20)，其使掩模透射光聚光于边界附近的第1分割区域(Da1)侧的区域。

公开(公告)号：CN103314328A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201180064668.7

申请日：2011-10-24

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 新井敏成 ,  桥本和重

IPC: G03F9/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/20 ,  G03B27/10 ,  G03F7/70791 ,  G03F9/00 ,  Y10S430/146

Abstract: 在膜基材（20）上的曝光图案形成用区域形成有曝光材料膜（21）的膜（2）中，在其宽度方向上的两侧缘部的至少一方涂敷有色的烧结材料、有色的光固化性材料或有色的墨水而形成侧部涂敷膜（22），通过定位标记形成部（14）照射激光而形成定位标记（2a），使用该定位标记（2a）检测膜曲折，调整掩模（12）的位置。由此，在对膜基材上的曝光图案形成区域形成有曝光材料膜的膜进行连续曝光时，定位标记的形成及形成的定位标记的检测容易，能高精度地校正膜的曲折，能稳定地进行曝光。

公开(公告)号：CN103140804A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201180048221.0

申请日：2011-09-12

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  畑中诚 ,  新井敏成

IPC: G03F7/20 ,  G02B3/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02B3/0037 ,  G02B3/0062 ,  G02B26/0875 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70275

Abstract: 扫描曝光装置通过多个微透镜阵列（2），将掩模（3）的曝光图案投影于衬底（1）上。此时，通过线性CCD相机检测衬底上的图像，将衬底上的第一层图案作为基准图案，检测掩模的曝光图案是否与该基准图案一致。不一致时，使微透镜阵列从平行于衬底的方向倾斜，调整由微透镜阵列形成的衬底上的曝光区域，使掩模的曝光图案与基准图案一致。由此，即使产生曝光图案与基准图案的偏移，也能在曝光中检测该偏移，防止曝光图案的错位，能够提高重叠曝光中的曝光图案的精度。

公开(公告)号：CN203720529U

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201420091928.0

申请日：2014-02-28

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 桥本和重 ,  新井敏成

IPC: G03F7/20

Abstract: 本实用新型提供一种扫描曝光装置,其不影响节拍时间而确认基板表面上的光照射能量。本实用新型的扫描曝光装置(1)具备：基板台(2)；光照射装置(3)；照度传感器台(4)，以与基板(W)的表面相同的高度支承照度传感器(4S)；及扫描控制装置(6)，同时或分别控制基板台(2)与照度传感器台(4)的沿扫描方向的移动。照度传感器台(4)位于基板台(2)的扫描方向下游侧。

公开(公告)号：CN115461833B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202180029913.4

申请日：2021-05-31

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  新井敏成 ,  松本隆德 ,  竹下琢郎

IPC: H01J37/18 ,  H01J37/16 ,  H01J37/28 ,  H01J37/305 ,  H01J37/317 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 差动排气装置将处理用空间设为高真空度，其中，所述差动排气装置具备：位移驱动部，其能够使头部或被处理基板进行位移来调整被处理面与所述头部的对置面的平行度及距离；间隙测定部，其沿着所述头部的所述对置面的周缘分别配置在至少三个部位以上，能够检测所述对置面与所述被处理面之间的距离；以及间隙控制部，其基于所述间隙测定部检测出的所述对置面与所述被处理面之间的距离信息来控制所述位移驱动部，以使得所述对置面与所述被处理面隔开规定的距离而成为平行。