公开(公告)号：CN107407893A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680020108.4

申请日：2016-03-30

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 青木保夫

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/683

CPC classification number: G03F7/2037 ,  G03F7/201 ,  G03F7/707 ,  G03F7/70716 ,  G03F7/70775 ,  H01L21/6838

Abstract: 一种曝光装置，借助投影光学系统向基板(P)照射照明光，相对于照明光相对地驱动基板(P)，分别对玻璃基板(P)的多个区域进行扫描曝光，该曝光装置包括：基板保持件(68)，其对基板(P)的第1区域进行悬浮支承；基板载具(70)，其保持由基板保持件(68)悬浮支承的玻璃基板(P)；X粗调台(40)，其对基板保持件(68)进行驱动；X音圈马达(84x)和Y音圈马达(84y)，二者对基板载具(70)进行驱动；以及控制装置，其在扫描曝光中对X粗调台(40)、X音圈马达(84x)等进行控制，以分别驱动基板保持件(68)和基板载具(70)。由此，能够提供一种物体位置控制性得到了提高的曝光装置。

公开(公告)号：CN107003625A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580068502.0

申请日：2015-11-26

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： J·M·芬德尔斯

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/201 ,  G02B17/0652 ,  G02B17/0657 ,  G03F1/72 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/705

Abstract: 一种方法包括：测量光刻图案形成装置的三维形貌的属性，所述图案形成装置包括图案且被构造和布置成在光刻投影系统中的投影辐射束的横截面中产生图案；计算由所测量的属性导致的波前相位效应；将所计算的波前相位效应合并到光刻投影系统的光刻模型中；和基于包括所计算的波前相位效应的光刻模型来确定用在使用光刻投影系统的成像操作中的参数。

公开(公告)号：CN105929641A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610552553.7

申请日：2016-07-13

Applicant: 无锡宏纳科技有限公司

Inventor： 吕耀安

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/201 ,  G03F7/70358

Abstract: 本发明公开了一种透镜可移动的光刻机，包括成45°角放置的第一分光镜；所述第一分光镜的水平光出射方向放置有与所述第一分光镜垂直的第一折射镜；所述第一分光镜的垂直光出射方向放置有与所述第一分光镜平行的第二折射镜，所述第二折射镜的光出射方向放置有观测目镜；所述第一折射镜的光出射方向放置有准直装置；所述准直装置的光出射方向放置有第三折射镜；所述第三折射镜的对称方向放置有第四折射镜；所述第三折射镜的光出射方向放置有凹面折射镜；所述凹面折射镜的焦点之处放置有凸面折射镜；所述第四折射镜固定在所述移动装置之上。使用本发明所述的装置，只移动折射镜，移动路程短，则所需的操作空间减小，有利于减小光刻机的体积。

公开(公告)号：CN104169798B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201280071476.3

申请日：2012-03-19

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70191 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70891

Abstract: 本发明的曝光头包含以下部分：透明基板；多个曝光光源，其形成于上述透明基板，辐射曝光光；聚光透镜，其使来自上述曝光光源的曝光光会聚到上述曝光对象物上；摄像机构，其配置于隔着上述透明基板与上述聚光透镜相反的一侧，对上述曝光对象物进行摄像；以及控制机构，其基于由上述摄像机构摄像得到的图像信息，控制上述曝光光源的点亮。另外，本发明的曝光装置包含本发明的曝光头。根据这样的构成，能够提高曝光对象物的对位精度，使曝光对象物的曝光精度提高。

公开(公告)号：CN103403621B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180068248.6

申请日：2011-12-20

Applicant: 尤利塔股份公司

Inventor： H.索拉克 ,  F.克鲁贝

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/201 ,  G03F7/70408

Abstract: 一种用于向光敏层中印刷周期性特征的期望图案的方法和设备，包括步骤：提供承载所述层的衬底，提供掩膜，将衬底布置成使得其相对于衬底在与之正交的第一平面中具有倾斜角，提供用于对所述掩膜图案进行照明的基本准直光，从而在分隔开泰伯距离的泰伯平面之间产生由一范围的横向强度分布组成的透射光场，并且使得所述透射光场在第一平面中具有强度包络，用所述光对掩膜进行照明同时使衬底在平行于第一平面且平行于衬底的方向上相对于掩膜移位，其中，所述倾斜角和所述强度包络被布置成使得所述层暴露于横向强度分布的范围的平均。

公开(公告)号：CN104662477A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380043823.6

申请日：2013-07-12

Applicant: 于利奇研究中心有限公司

Inventor： H.哈特德根 ,  M.米库利茨

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/201 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70383 ,  G03F7/70391

Abstract: 在本发明的框架内开发一种用于以光学方式将结构传输到记录介质中的方法，所述记录介质通过来自光子源的光子的照射能够局部地从第一未描画状态转变为第二描画状态。在此，记录介质的两种状态在记录介质的不同物理和/或化学特性中显现。根据本发明，选择至少一个具有少于每秒104个光子的光子流的光子源用于光子照射。已认识到，有利的是，利用这样少量的光子流能够传输特别精细的结构到记录介质中，而无需通过掩膜部分地遮挡照射。以该方式能够利用给定的光子波长（能量）来传输结构，所述结构明显小于由衍射极限预先确定的、所发出光子撞击的位置的概率分布的宽度。

公开(公告)号：CN103592727A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310357355.1

申请日：2013-08-16

Applicant: 超科技公司

Inventor： D·G·斯蒂特斯 ,  A·M·霍里鲁克

IPC: G02B6/42 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/201 ,  G03F7/70391 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有高收光效率的基于发光二极管的光刻发光器揭露于此。所述发光器使用发光二极管阵列，其中各发光二极管具有发光二极管晶粒以及散热器。发光二极管晶粒被成像在光均匀器柱的输入端以大致覆盖该输入端，而不包含发光二极管的不会发光的散热器部分。微透镜阵列用来成像发光二极管晶粒。发光器的收光效率比50%来的更好，且光均匀器的输出端的照明均匀性在+/-2%以内。

公开(公告)号：CN102566263B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201210061782.0

申请日：2006-12-20

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： S·F·伍伊斯特 ,  J·F·迪克斯曼 ,  Y·W·克鲁特-斯特格曼

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/201

Abstract: 本发明公开了一种光刻设备，其包括用来保持多个压印模板的模板保持器和用来保持基板的基板保持器，所述模板保持器位于基板保持器的下方。

公开(公告)号：CN103353710A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310259659.4

申请日：2013-06-26

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

Inventor： 万冀豫 ,  吴洪江 ,  黄常刚 ,  王耸 ,  张继凯

IPC: G03F7/24

CPC classification number: G03F7/201

Abstract: 本发明提供一种曝光装置、曝光系统及曝光方法，该曝光装置包括：提供曝光光线的光源系统，所述曝光光线为扩散光线；曝光光线经由掩模板照射到待曝光基板上，将所述掩模板的图案光刻到所述基板上。本发明的技术方案可以有效解决在大尺寸液晶显示装置基板制作过程中，因掩模板弯曲变形造成的基板上曝光图形尺寸偏差的问题，保证了基板图形关键尺寸准确性，进而改善了液晶显示装置的显示品质。

公开(公告)号：CN1811599B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510098695.2

申请日：2005-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林进祥 ,  林本坚

IPC: G03F7/20 ,  G02B27/60 ,  G03F7/26 ,  G03F7/039 ,  G03F9/00 ,  G02B27/18

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F7/001 ,  G03F7/201 ,  G03F7/203 ,  G03F7/70408

Abstract: 本发明是有关于一种在基材上制造图案的方法及系统，一种高解析度的微影系统与方法。在一实施例中，提供了一种在基材上制造图案的方法，包括将图案区分成至少一第一子图案以及一第二子图案，其中第一子图案包含朝第一方向的复数个线，且第二子图案包含朝第二方向的复数个线。利用第一驻波干涉图案形成朝第一方向的复数条线在基材上的第一光敏材料层上。消减所形成之线的一部分，以形成上述的第一子图案。在第一子图案形成后，提供第二光敏材料层在基材。利用第二驻波干涉图案形成朝第二方向的复数条线在第二光敏材料层上。消减形成在第二光敏层的这些线的一部分，以形成上述的第二子图案。