一种正比计数管中子吸收电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN112921290A

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202110098754.5

    申请日:2021-01-25

    Abstract: 本发明公开了一种正比计数管中子吸收电极及其制备方法,涉及正比计数管技术领域,其技术方案要点是:将正比计数管壁展开为平板状或切开为半圆筒状;采用磁控溅射技术在基体表面沉积一层过渡涂层;在不破坏真空、保持Ar气总流量不变的情况下,采用磁控10B靶来沉积中子吸收层;将步制备的带过渡涂层、中子吸收层的基体以模具压卷方式进行弯卷,将弯卷后的基体沿管件接口处进行密封焊接。本发明在沉积中子吸收层之前增加了过渡涂层的制备,提高了不锈钢或铝合金金属基体与中子吸收层之间的结合强度;本发明采用磁控溅射技术,可较好地解决手工刷涂和浸酯涂硼引起的涂层结合性、均匀性、重复性差及有机介质引起的离子能量损失等缺点。

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