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发明公开
引入较低蚀刻速率的材料以形成T形SDBSTI结构无效

公开(公告)号：CN107452670A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710177358.5

申请日：2017-03-23

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 彭建伟 , 吴旭升

IPC: H01L21/762 , H01L21/3065 , H01L21/308

Abstract: 本发明涉及引入较低蚀刻速率的材料以形成T形SDB STI结构，其提供一种在形成t形单扩散中断的浅沟槽隔离(SDB STI)结构期间引入具有较低蚀刻速率的单扩散中断(SDB)材料的方法。实施例包括在硅(Si)衬底中设置浅沟槽隔离(STI)区域；在该STI区域及该硅衬底上方形成硬掩膜；穿过该STI区域上方的该硬掩膜形成腔体，该腔体具有大于该STI区域的宽度的宽度；在该腔体中沉积具有低于高密度等离子体(HDP)氧化物的蚀刻速率的单扩散中断材料，以形成t形SDB STI结构；以及移除该硬掩膜。

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