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公开(公告)号：CN1620702A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02828175.6
申请日：2002-11-26
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Inventor： 坎德克尔·N·夸德尔 , 卡恩·T·纽因 , 潘锋 , 朗·C·凡姆 , 亚历山大·K·马克
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/3486
Abstract: 本发明提供一种多电平非易失性存储单元编程/闭锁方法及系统(100)。该非易失性存储单元包括：第一组的一个或多个存储单元，其被选择用于保存等于或大于第一预定电荷电平(504)的电荷；第二组的一个或多个存储单元，其被选择用于保存等于或大于第二预定电荷电平的电荷；将该存储设备配置成对第一和第二组存储单元同时编程，并禁止对任何已经达到或超过第一预定电荷电平的存储单元进行编程，直到第一组中所有的存储单元都已经达到或超过第一预定电荷电平。
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公开(公告)号：CN101031978B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580030164.8
申请日：2005-07-08
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Abstract: 在一种非易失性存储器系统(20)中，当发现由一电荷泵(32)提供的用于编程存储器单元的电压泵脉冲与一参考电压不匹配时，将所述电压泵脉冲的编程时间周期调节为一值，所述值保持大体上不变直到编程循环结束为止。以此方式，在所述编程循环的其余部分期间防止编程脉冲的有效编程时间周期中的波动，使得将不发生或减小阈值电压分布的一加宽。此特征允许为所述编程脉冲指定一短编程时间周期以便增强性能，同时当所述电荷泵正在促使其变慢且/或变弱的状况下操作时允许增加的编程时间周期的灵活性。
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公开(公告)号：CN100538896C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN02828175.6
申请日：2002-11-26
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Inventor： 坎德克尔·N·夸德尔 , 卡恩·T·纽因 , 潘锋 , 朗·C·凡姆 , 亚历山大·K·马克
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/3486
Abstract: 本发明提供一种多电平非易失性存储单元编程/闭锁方法及系统(100)。该非易失性存储单元包括：第一组的一个或多个存储单元，其被选择用于保存等于或大于第一预定电荷电平(504)的电荷；第二组的一个或多个存储单元，其被选择用于保存等于或大于第二预定电荷电平的电荷；将该存储设备配置成对第一和第二组存储单元同时编程，并禁止对任何已经达到或超过第一预定电荷电平的存储单元进行编程，直到第一组中所有的存储单元都已经达到或超过第一预定电荷电平。
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公开(公告)号：CN101031978A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200580030164.8
申请日：2005-07-08
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Abstract: 在一种非易失性存储器系统(20)中，当发现由一电荷泵(32)提供的用于编程存储器单元的电压泵脉冲与一参考电压不匹配时，将所述电压泵脉冲的编程时间周期调节为一值，所述值保持大体上不变直到编程循环结束为止。以此方式，在所述编程循环的其余部分期间防止编程脉冲的有效编程时间周期中的波动，使得将不发生或减小阈值电压分布的一加宽。此特征允许为所述编程脉冲指定一短编程时间周期以便增强性能，同时当所述电荷泵正在促使其变慢且/或变弱的状况下操作时允许增加的编程时间周期的灵活性。
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