-
公开(公告)号：CN1620702A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN02828175.6
申请日：2002-11-26
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Inventor： 坎德克尔·N·夸德尔 , 卡恩·T·纽因 , 潘锋 , 朗·C·凡姆 , 亚历山大·K·马克
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/3486
Abstract: 本发明提供一种多电平非易失性存储单元编程/闭锁方法及系统(100)。该非易失性存储单元包括：第一组的一个或多个存储单元，其被选择用于保存等于或大于第一预定电荷电平(504)的电荷；第二组的一个或多个存储单元，其被选择用于保存等于或大于第二预定电荷电平的电荷；将该存储设备配置成对第一和第二组存储单元同时编程，并禁止对任何已经达到或超过第一预定电荷电平的存储单元进行编程，直到第一组中所有的存储单元都已经达到或超过第一预定电荷电平。
-
公开(公告)号：CN1610946A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN02826593.9
申请日：2002-11-06
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Inventor： 潘锋 , 坎德克尔·N·夸德尔
IPC: G11C5/14 , H03K19/0185
CPC classification number: G11C5/145 , H03K17/063
Abstract: 本发明在设计中用一种升压带的方法来提高开关的运行性能，该方法特别有利于在低电压电路中提供高电压。一个原生性NMOS晶体管，一个PMOS晶体管，和一个电容在高压电压源和输出端间串联在一起，其中，原生性NMOS的栅极与输出端连接。在一个初始化阶段，电容的与输出端相连接的电极通过接收输入信号而被预充电，同时离输出端较远的另一极保持地电压。在随后的触发阶段，原生性NMOS和PMOS晶体管被开启，高电压值被加在输出端。
-
公开(公告)号：CN100538896C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN02828175.6
申请日：2002-11-26
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Inventor： 坎德克尔·N·夸德尔 , 卡恩·T·纽因 , 潘锋 , 朗·C·凡姆 , 亚历山大·K·马克
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/3486
Abstract: 本发明提供一种多电平非易失性存储单元编程/闭锁方法及系统(100)。该非易失性存储单元包括：第一组的一个或多个存储单元，其被选择用于保存等于或大于第一预定电荷电平(504)的电荷；第二组的一个或多个存储单元，其被选择用于保存等于或大于第二预定电荷电平的电荷；将该存储设备配置成对第一和第二组存储单元同时编程，并禁止对任何已经达到或超过第一预定电荷电平的存储单元进行编程，直到第一组中所有的存储单元都已经达到或超过第一预定电荷电平。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1791941A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200480013450.9
申请日：2004-04-08
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Inventor： 陈健 , 坎德克尔·N·夸德尔
CPC classification number: G11C7/04 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/16 , G11C16/20 , G11C16/26 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
Abstract: 在一非易失性存储器中，用来区分由负阈电压表征的数据状态与由正阈电压表征的数据状态的读取参数针对存储器的操作条件得到补偿，而非硬接线至地电位。在一实例性实施例中，对最低阈值高于地电位的数据状态的读取参数进行温度补偿，以反映所述读取参数两侧上存储元件群体的偏移。根据另一个方面，提供一种可利用操作条件经补偿的检测参数的擦除方法。由于所述检测参数不再固定在对应于0伏特的值，而是根据操作条件偏移，因此甚至在降低的工作电压下也可为各种擦除验证电平提供足够的余量。
-
公开(公告)号：CN1791941B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200480013450.9
申请日：2004-04-08
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Inventor： 陈健 , 坎德克尔·N·夸德尔
CPC classification number: G11C7/04 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/16 , G11C16/20 , G11C16/26 , G11C16/344 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
Abstract: 在一非易失性存储器中，用来区分由负阈电压表征的数据状态与由正阈电压表征的数据状态的读取参数针对存储器的操作条件得到补偿，而非硬接线至地电位。在一实例性实施例中，对最低阈值高于地电位的数据状态的读取参数进行温度补偿，以反映所述读取参数两侧上存储元件群体的偏移。根据另一个方面，提供一种可利用操作条件经补偿的检测参数的擦除方法。由于所述检测参数不再固定在对应于0伏特的值，而是根据操作条件偏移，因此甚至在降低的工作电压下也可为各种擦除验证电平提供足够的余量。
-
公开(公告)号：CN100578667C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN03823462.9
申请日：2003-08-13
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Inventor： 若尔-安德里安·瑟尼 , 坎德克尔·N·夸德尔 , 李彦 , 陈健 , 方玉品
CPC classification number: G11C16/3427 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3418
Abstract: 本发明揭示用于减少因各单元之间的电容耦合而引起存储于若干存储器单元行中的视在电荷电平的错误读数的技术。首先，对一第一行的所有页面进行第一遍编程，随后对一第二相邻行的所有页面进行第一遍编程，此后对该第一行进行第二遍编程，然后对一第三行的所有页面进行第一遍编程，随后返回来对该第二行进行第二遍编程，在一阵列中的各行之间以一来回方式依此类推。此会使因后续向相邻的存储器单元行写入数据而可能对存储于存储器单元行上的视在电荷造成的影响最小化。
-
公开(公告)号：CN100490156C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN02826593.9
申请日：2002-11-06
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Inventor： 潘锋 , 坎德克尔·N·夸德尔
IPC: H01L27/115 , H01L21/8246 , G11C11/4074 , G11C5/14
CPC classification number: G11C5/145 , H03K17/063
Abstract: 本发明在设计中用一种升压带的方法来提高开关的运行性能，该方法特别有利于在低电压电路中提供高电压。一个原生性NMOS晶体管，一个PMOS晶体管，和一个电容在高压电压源和输出端间串联在一起，其中，原生性NMOS的栅极与输出端连接。在一个初始化阶段，电容的与输出端相连接的电极通过接收输入信号而被预充电，同时离输出端较远的另一极保持地电压。在随后的触发阶段，原生性NMOS和PMOS晶体管被开启，高电压值被加在输出端。
-
公开(公告)号：CN1703757A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN03823462.9
申请日：2003-08-13
Applicant: 桑迪士克股份有限公司
Inventor： 若尔-安德里安·瑟尼 , 坎德克尔·N·夸德尔 , 李彦 , 陈健 , 方玉品
CPC classification number: G11C16/3427 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3418
Abstract: 本发明揭示用于减少因各单元之间的电容耦合而引起存储于若干存储器单元排中的视在电荷电平的错误读数的技术。首先，对一第一排的所有页面进行第一遍编程，随后对一第二相邻排的所有页面进行第一遍编程，此后对该第一排进行第二遍编程，然后对一第三排的所有页面进行第一遍编程，随后返回来对该第二排进行第二遍编程，在一阵列中的各排之间以一来回方式依此类推。此会使因后续向相邻的存储器单元排写入数据而可能对存储于存储器单元排上的视在电荷造成的影响最小化。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.025 seconds)
