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公开(公告)号：CN109075183A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780022414.6
申请日：2017-03-29
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L27/15 , H05B33/08 , H01L33/50 , H01L25/075
Abstract: 本发明涉及一种发光模块(1)，其具有：多个发射区域，所述发射区域构成为用于：在运行中发射光，所述发射区域包括至少一个第一类型的第一发射区域(101)和第二发射区域(102)，所述第一类型的第一和第二发射区域发射第一色坐标的光，和包括至少一个第二类型的第一发射区域(201)和第二发射区域(202)，所述第二类型的第一发射区域和第二发射区域发射第二色坐标的光；和用于对发射区域通电的操控设备(2)，其中：多个发射区域设置在共同的半导体芯片上，第一色坐标与第二色坐标不同，第一类型的第一发射区域(101)和第二发射区域(102)彼此相邻，第二类型的第一发射区域(201)和第二发射区域(202)彼此相邻，操控设备(2)构成为用于：将全部发射区域彼此分开地运行，操控设备(2)构成为用于：冗余地运行第一类型的发射区域(101，102)，和操控设备(2)构成为用于：冗余地运行第二类型的发射区域(201，202)。
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公开(公告)号：CN105594002A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480053518.X
申请日：2014-08-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01L33/54 , H01L21/568 , H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/2518 , H01L2224/82 , H01L2224/96 , H01L2924/1815 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供一种具有光电子半导体芯片的光电子半导体器件。尤其光电子半导体器件是发射辐射的半导体器件，所述半导体器件构成为侧向发射器。此外，提出一种用于制造这种光电子半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN105531835A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480050633.1
申请日：2014-08-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/24 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出一种光电子半导体组件，具有：-光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片包括透光的载体(10)、在透光的载体(10)上的半导体层序列(11)和在半导体层序列(11)的背离透光的载体(10)的下侧上的电连接部位(12)；-透光的包覆材料(3)，所述包覆材料局部地包围光电子半导体芯片(1)；和-散射光的和/或反射光的材料的颗粒(41)，其中-半导体层序列(11)的下侧至少局部地不具有透光的包覆材料(3)，并且-颗粒(41)局部地覆盖半导体层序列(11)的下侧和包覆材料(3)的外面。
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公开(公告)号：CN105229802A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480017946.7
申请日：2014-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 于尔根·莫斯布格尔 , 阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔 , 马西亚斯·沃尔夫 , 格奥尔格·迪舍尔
IPC: H01L33/00 , H01L33/50 , H01L25/075
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L2933/0041
Abstract: 在不同的实施例中提供一种用于制造发射电磁辐射的组件的方法。在此，提供器件复合件(10)，所述器件复合件具有发射电磁辐射的器件(12)，所述器件在器件复合件(10)中在物理上彼此耦联。对于器件(12)分别确定至少一个器件单独的特性。根据器件(12)的所确定的特性，构成用于覆盖器件复合件(10)中的器件(12)的结构掩模(22)，其中结构掩模(22)与器件(12)相对应地具有结构掩模凹部(24)，所述结构掩模凹部根据相应的器件(12)的特性器件单独地构成。结构掩模凹部(24)将在结构掩模凹部(24)中露出的发光材料区域(26)预设在器件(12)上。将第一发光材料层(28)构成到器件(12)的发光材料区域(26)上。将结构掩模(22)从器件复合件(10)移除。从器件复合件(10)中分割器件(12)，其中由分割的器件(12)中的至少一个和由至少一个在其上构成的第一发光材料层(28)构成组件。
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公开(公告)号：CN102971872A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032886.2
申请日：2011-06-29
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 安德烈亚斯·比贝尔斯多夫 , 克里斯特·贝格内克 , 于尔根·莫斯布格尔
Abstract: 本发明提出一种光电子组件（100），所述光电子组件具有-至少一个发射辐射的半导体器件（1）；-至少一个转换元件（2），所述转换元件用于转换由半导体器件（1）发射的电磁辐射；-至少一个过滤机构（3），所述过滤机构包括过滤颗粒（31）或由所述过滤颗粒形成，其中-过滤机构（3）将由半导体器件（1）发射的电磁辐射中的至少一个可预设的波长范围与和该可预设的波长范围不同的波长范围相比更强地散射和/或吸收，并且-过滤颗粒（31）具有以Q0测量的最低0.5nm至最高500nm的d50值和/或-过滤颗粒（31）至少局部地丝状地构成并且在丝状的区域（31A）中具有最低为0.5nm并且最高为500nm的直径（D）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116978920A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310772727.0
申请日：2017-03-29
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种发光模块，其具有：多个发射区域，构成为用于：在运行中发射光，发射区域包括至少一个第一类型的第一发射区域和第二发射区域，第一类型的第一和第二发射区域发射第一色坐标的光，和包括至少一个第二类型的第一发射区域和第二发射区域，第二类型的第一发射区域和第二发射区域发射第二色坐标的光；和用于对发射区域通电的操控设备，其中：多个发射区域设置在共同的半导体芯片上，第一色坐标与第二色坐标不同，第一类型的第一发射区域和第二发射区域彼此相邻，第二类型的第一发射区域和第二发射区域彼此相邻，操控设备构成为用于：将全部发射区域彼此分开地运行，冗余地运行第一类型的发射区域，和冗余地运行第二类型的发射区域。
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公开(公告)号：CN109906519A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201780067141.7
申请日：2017-10-25
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Abstract: 一种用于转移半导体芯片的方法，所述方法包括如下步骤：提供转移工具，所述转移工具具有多个区段，其中每个区段具有液体容纳区域；以在源载体上规则布置的方式提供多个半导体芯片；提供目标载体；选择性地将液滴设置在所述区段中的至少一些区段的液滴容纳区域上；将转移工具靠近源载体，其中每个液滴与一个半导体芯片接触并且将其润湿；将转移工具从源载体提起，其中利用转移工具将通过液滴润湿的半导体芯片从源载体提起；将转移工具靠近目标载体，其中设置在转移工具上的半导体芯片与目标载体接触；和将转移载体从目标载体提起，其中与目标载体接触的半导体芯片保留在目标载体上。
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公开(公告)号：CN107112343A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580061728.8
申请日：2015-10-21
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 于尔根·莫斯布格尔 , 安德烈亚斯·普洛斯尔
Abstract: 提出一种光电子半导体器件(1)，其具有：发射区域(3)，所述发射区域具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的设为用于产生辐射的有源区域(20)；保护二极管区域(4)，其中‑半导体器件具有用于外部电接触半导体器件(1)的接触部(6)；‑接触部具有第一接触区域(61)，所述第一接触区域与发射区域导电连接；‑接触部具有第二接触区域(62)，所述第二接触区域与第一接触区域间隔开并且与保护二极管区域导电连接；和‑第一接触区域和第二接触区域能够借助于连接线路(9)的共同的端部(95)外部电接触。此外，提出一种具有光电子半导体器件的设备。
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公开(公告)号：CN105242484A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510568085.8
申请日：2010-09-14
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 于尔根·莫斯布格尔 , 斯特凡·莫戈特 , 诺温·文马尔姆 , 乌尔里希·施特雷佩尔 , 米夏埃尔·布兰德尔
IPC: G03B15/05 , H01L25/075 , H04N5/225 , H01L33/38
CPC classification number: G03B15/05 , F21V23/04 , G03B2215/0571 , G03B2215/0592 , H01L25/0753 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H04N5/2256 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及用于摄影机的照明装置(10)，具有：发光半导体芯片(1)，所述半导体芯片包括多个能够单独激励的发射区域(2、2A、2B、2B’)；和光学元件(15)，所述光学元件构成用于将从所述发射区域发射的光(210、220)成形为射束，所述照明装置构成为使得借助于能够单个激励的所述发射区域能够设置所述射束的不同的辐射特性，以及所述半导体芯片(1)具有带有用于设置用于产生光的有源区的半导体层序列，其中切开所述有源区以构成各个发射区域，或所述有源区横向延伸穿过所有发射区域并且为了所述发射区域的电去耦在所述发射区域之间构成结构化的接触部。此外，提出一种摄影机和一种用于照明装置的工作方法。
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公开(公告)号：CN102549746B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080044052.9
申请日：2010-09-10
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , H01L27/15
CPC classification number: H01L27/153 , G01R31/318516 , H01H85/0417 , H01H85/32 , H01L23/5256 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L33/62 , H01L51/50 , H01L2224/73265 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H02H3/046 , H03K17/74 , H03K19/17728 , H05B33/083 , H05B33/0893 , Y10T29/49204
Abstract: 一种光电子半导体芯片，包括具有第一端子(211)和第二端子(212)的第一半导体功能区域(21)，以及导电地与第一半导体功能区域(21)连接的、用于电接触光电子半导体芯片的接触结构(4)。接触结构(4)具有可分开的导体结构(41、71、42)，其中-在导体结构未分开的情况下通过第一半导体功能区域的第一端子和第二端子确定工作电流路径，所述工作电流路径在导体结构分开的情况下中断，或者-在导体结构(41、71、42)分开的情况下通过第一半导体功能区域(21)的第一端子(211)和第二端子(212)确定工作电流路径，其中在导体结构(41、71、42)未分开的情况下导体结构(41、71、42)将第一端子(211)与第二端子(212)连接并且将第一半导体功能区域(21)短路。
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