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公开(公告)号：CN115826673A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211057389.4
申请日：2022-08-31
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光电混合张量卷积运算系统和方法，该系统采用同频双光频梳，结合波分复用和解复用技术，结合IQ调制器阵列，利用光学混频器进行混频，利用光电平衡探测器进行光电转换，最后利用示波器等数据采集装置输出张量卷积运算结果。本发明，数据分组后调制到不同的光频梳信道，在频域上拼接成的总信号频谱较宽，同时降低了单通道对调制电信号的带宽要求，具有较高的信噪比和较大的带宽；另外，数据分组后在不同通道同时调制，经由混频器和平衡探测器一次运算能够得到完全的卷积结果，吞吐量大且配置可调，操作简单，调节方便灵活；系统采用全光纤器件，可集成化，适合后续的片上集成。
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公开(公告)号：CN111883608B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010652114.X
申请日：2020-07-08
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法，锗硅雪崩光电探测器包括埋氧层、底层、本征锗层、覆盖层、P电极和N电极，底层依次包括本征底层硅区，过渡底层硅区、倍增区、N型重掺杂底层硅区；本征锗层设于底层上；覆盖层覆盖于本征锗层上，覆盖层依次包括P型重掺覆盖层硅区、本征覆盖层硅区、过渡覆盖层硅区，过渡覆盖层硅区远离本征覆盖层硅区的一端与过渡底层硅区接触，以形成电荷过渡区；P电极与P型重掺覆盖层硅区相连；N电极与N型重掺杂底层硅区相连。本申请的锗硅雪崩光电探测器，不采用层叠结构，便于与其他功能元件集成，可大规模生产。
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公开(公告)号：CN111025468A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911414652.9
申请日：2019-12-31
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 一种模式复用解复用器、模式解复用方法及模式复用方法，涉及光通信器件技术领域，包括：呈非对称形且宽度变化的多模干涉波导、连接在所述多模干涉波导左侧的多模波导以及连接在所述多模干涉波导右侧的两个传输波导，所述多模波导的左端形成第一端口，每个所述传输波导的右端的单模波导处分别形成第二端口。本发明的有益效果：通过调整多模干涉波导的形状即可调整内部的干涉点，实现模式复用和解复用，结构工艺容差大，尺寸小，没有精细的波导结构，加工精度要求不高，制作成本低。
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公开(公告)号：CN110989214A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911338345.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电光调制器，涉及光通信器件技术领域，从下往上依次包括基底层、衬底层、集成波导和覆盖层，且所述覆盖层两侧均设有一金属电极；同时，所述集成波导包括铌酸锂波导和导电层，所述铌酸锂波导位于所述衬底层上，所述导电层位于所述覆盖层和铌酸锂波导之间，且所述导电层位于两个所述金属电极之间，并与两个所述金属电极保持一定间距。本发明提供的电光调制器，具有结构尺寸小、调制带宽高、调节效率高、且工作状态和调节效率不受热释电效果影响的优点。
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公开(公告)号：CN110649455A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910941092.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: H01S3/098
Abstract: 本发明公开了一种片上集成石墨烯二氧化硅光波导饱和吸收体及制备方法，其包括衬底、二氧化硅光波导和石墨烯薄膜，衬底长度、宽度及高度方向分别定义为X、Y、Z方向，所述衬底上表面开设有收容槽，所述收容槽沿X方向延伸至衬底两端；二氧化硅光波导位于所述收容槽内且底部与所述收容槽槽底不接触，所述二氧化硅光波导通过悬臂梁连接于所述收容槽槽侧壁上，所述二氧化硅光波导两端分别用于与输入光器件和输出光器件耦合；石墨烯薄膜覆盖于所述二氧化硅光波导上，且沿Y方向，其两侧均至少部分覆盖所述衬底上表面。本发明不仅能够增强石墨烯薄膜与光波导传输模式的相互作用力，而且还能够提高饱和吸收消光比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068736B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111210578.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/102
Abstract: 本发明实施例提供的光电探测器，包括：波导结构、限光结构及吸收结构；其中，所述波导结构延伸至所述限光结构中，且所述波导结构的第一侧壁所在的第一边与所述限光结构的第二侧壁所在的第二边相切；所述波导结构用于将入射光以与所述第一边相切的方向导入所述限光结构中；通过所述限光结构侧壁的全反射将导入的光限制在限光结构内进行环形传输，并通过限光结构将导入的光耦合到吸收结构中；所述吸收结构位于所述限光结构上；通过所述吸收结构侧壁的全反射将耦合的光在水平方向上限制在吸收结构内做进行环形传输，并将耦合的光转化为电子和空穴。
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公开(公告)号：CN109541822B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201811417278.3
申请日：2018-11-26
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电光调制器及制备方法，包括：衬底，其长宽高分别定义为X、Y、Z方向；设于衬底上的绝缘材料层；沿X方向间隔地设于绝缘材料层内的光输入端和光输出端；位于光输入端和光输出端之间的亚波长光栅波导结构，包括设于绝缘材料层内且上下布置的第一石墨烯层和折射率层及设于绝缘材料层上表面上的第二石墨烯层，折射率层两端分别与光输入端和光输出端相连，第一石墨烯层自折射率层一侧向外延伸并连接有第一金属电极，第二石墨烯层自折射率层另一侧向外延伸并连接有第二金属电极，折射率层包括沿X方向周期性布置的高折射率单元，相邻两个高折射率单元之间填充低折射率单元。本发明具有高调制效率、高3dB电光调制带宽的特点。
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公开(公告)号：CN112531066B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202011595658.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232
Abstract: 本申请公开了一种光电探测器及其使用方法，涉及光通信集成器件领域，该光电探测器包括：入射波导用于传播信号光；硅层上设有锗吸收区，锗吸收区用于探测信号光，并将信号光转换为电信号；聚焦型器件用于将入射波导的信号光聚焦至锗吸收区正下方的硅层，信号光经过聚焦型器件到达锗吸收区入射端时汇聚的光束的宽度大于锗吸收区的宽度。该使用方法包括：信号光由入射波导进入聚焦型器件；聚焦型器件将信号光聚焦至锗吸收区正下方的硅层，并使信号光到达锗吸收区入射端时汇聚的光束的宽度大于锗吸收区的宽度；锗吸收区将信号光转换为电信号，本申请，不仅可提高光电探测器的饱和吸收功率，使光电转换时不会出现信号畸变，还可提高器件的响应度。
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公开(公告)号：CN112531066A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011595658.3
申请日：2020-12-29
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232
Abstract: 本申请公开了一种光电探测器及其使用方法，涉及光通信集成器件领域，该光电探测器包括：入射波导用于传播信号光；硅层上设有锗吸收区，锗吸收区用于探测信号光，并将信号光转换为电信号；聚焦型器件用于将入射波导的信号光聚焦至锗吸收区正下方的硅层，信号光经过聚焦型器件到达锗吸收区入射端时汇聚的光束的宽度大于锗吸收区的宽度。该使用方法包括：信号光由入射波导进入聚焦型器件；聚焦型器件将信号光聚焦至锗吸收区正下方的硅层，并使信号光到达锗吸收区入射端时汇聚的光束的宽度大于锗吸收区的宽度；锗吸收区将信号光转换为电信号，本申请，不仅可提高光电探测器的饱和吸收功率，使光电转换时不会出现信号畸变，还可提高器件的响应度。
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公开(公告)号：CN109358396B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201811422085.7
申请日：2018-11-27
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光学混频器，涉及相干光通信领域，包括光交叉、多模弯曲波导、2个输入分束器以及2个输出分束器；2个输入分束器用于：分别对信号光和本振光进行分束后，通过多模弯曲波导传输至光交叉；光交叉用于：对2个输入分束器的输出光进行交叉传输后，分别通过多模弯曲波导传输至2个输出分束器；多模弯曲波导用于：基模光进入多模弯曲波导后产生多模干涉，在多模弯曲波导的出口处形成基模光出射；2个输出分束器用于：接收光交叉出射并经多模弯曲波导传输的光，输出基模光。本发明能够在扩大光学混频器的带宽、降低光学混频器的插损的同时，提高光学混频器的成品率。
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