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公开(公告)号：CN112526773B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202011449803.7
申请日：2020-12-09
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种电光调制器，包括：射频电极和光波导；其中，所述射频电极包括第一电极和第二电极，所述光波导位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述射频电极用于对所述光波导中的光波进行调制；所述光波导相对于所述射频电极具有第一结构关系，以使所述光波导和所述射频电极的群折射率相匹配；其中，所述第一结构关系基于所述光波导的群折射率和所述射频电极的群折射率确定。
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公开(公告)号：CN111883608B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202010652114.X
申请日：2020-07-08
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法，锗硅雪崩光电探测器包括埋氧层、底层、本征锗层、覆盖层、P电极和N电极，底层依次包括本征底层硅区，过渡底层硅区、倍增区、N型重掺杂底层硅区；本征锗层设于底层上；覆盖层覆盖于本征锗层上，覆盖层依次包括P型重掺覆盖层硅区、本征覆盖层硅区、过渡覆盖层硅区，过渡覆盖层硅区远离本征覆盖层硅区的一端与过渡底层硅区接触，以形成电荷过渡区；P电极与P型重掺覆盖层硅区相连；N电极与N型重掺杂底层硅区相连。本申请的锗硅雪崩光电探测器，不采用层叠结构，便于与其他功能元件集成，可大规模生产。
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公开(公告)号：CN109557686B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811467078.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于提高消光比并降低驱动电压的系统，涉及光通信器件领域，包括：电光调制器，其包括电光调制器输入端、电光调制器输出端和电光调制器芯片；光放大器，其包括光放大器输入端和光放大器输入端，光放大器输入端与电光调制器输出端相连；以及电驱动芯片，其用于同步驱动电光调制器芯片和光放大器。本发明结构简单、易于批量制造又成本低廉，且可以在实现降低电光调制器驱动电压的同时提高信号消光比。
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公开(公告)号：CN110989214A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911338345.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电光调制器，涉及光通信器件技术领域，从下往上依次包括基底层、衬底层、集成波导和覆盖层，且所述覆盖层两侧均设有一金属电极；同时，所述集成波导包括铌酸锂波导和导电层，所述铌酸锂波导位于所述衬底层上，所述导电层位于所述覆盖层和铌酸锂波导之间，且所述导电层位于两个所述金属电极之间，并与两个所述金属电极保持一定间距。本发明提供的电光调制器，具有结构尺寸小、调制带宽高、调节效率高、且工作状态和调节效率不受热释电效果影响的优点。
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公开(公告)号：CN110649455A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910941092.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
IPC: H01S3/098
Abstract: 本发明公开了一种片上集成石墨烯二氧化硅光波导饱和吸收体及制备方法，其包括衬底、二氧化硅光波导和石墨烯薄膜，衬底长度、宽度及高度方向分别定义为X、Y、Z方向，所述衬底上表面开设有收容槽，所述收容槽沿X方向延伸至衬底两端；二氧化硅光波导位于所述收容槽内且底部与所述收容槽槽底不接触，所述二氧化硅光波导通过悬臂梁连接于所述收容槽槽侧壁上，所述二氧化硅光波导两端分别用于与输入光器件和输出光器件耦合；石墨烯薄膜覆盖于所述二氧化硅光波导上，且沿Y方向，其两侧均至少部分覆盖所述衬底上表面。本发明不仅能够增强石墨烯薄膜与光波导传输模式的相互作用力，而且还能够提高饱和吸收消光比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112433295B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202011248773.3
申请日：2020-11-10
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种超宽带分合束器，包括：衬底以及依次叠置在衬底上的第一波导层和第二波导层；第一波导层的上表面与第二波导层的下表面直接接触；第二波导层包括进行光信号耦合的输入耦合渐变波导区和输出耦合渐变波导区；输入耦合渐变波导区包括若干第一矩形单元，其沿着光传输的方向分立排列以构成第一光栅结构；输出耦合渐变波导区包括若干第二矩形单元，其沿着光传输的方向分立排列以构成第二光栅结构；输入耦合渐变波导区在垂直于衬底的方向上的第一投影、输出耦合渐变波导区在垂直于衬底的方向上的第二投影以及第一波导层在垂直于衬底的方向上的第三投影满足以下关系：第一投影和第二投影完全落入第三投影的范围内。
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公开(公告)号：CN109375389B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201811549302.9
申请日：2018-12-18
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电光调制器及其制备方法，涉及电光调制器领域，其包括衬底以及形成于衬底上的马赫泽德干涉仪结构；所述马赫泽德干涉仪结构包括石墨烯垂直混合等离子光波导；所述石墨烯垂直混合等离子光波导包括：第一高折射率材料层、第二高折射率材料层、第二金属电极材料层、第一低折射率材料层、第二低折射率材料层、第二石墨烯材料层、绝缘材料层、第一石墨烯材料层以及第三石墨烯材料层。该调制器可实现高调节效率和带宽。
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公开(公告)号：CN109407349B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201811526548.4
申请日：2018-12-13
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种片上集成改变石墨烯能带的结构及其制备方法，涉及片上集成光电子器件领域，该结构包括衬底，其宽度、长度和高度方向分别定义为第I方向、第II方向和第III方向；形成于衬底表面上的高折射率光波导层以及未被高折射率光波导层覆盖的衬底表面上的第一低折射率材料层；形成于高折射率光波导层与第一低折射率材料层表面上的第一氮化硼材料层；形成于第一氮化硼材料层表面上的石墨烯材料层；形成于石墨烯材料层表面上的第二氮化硼材料层；形成于第二氮化硼材料层表面上的第二低折射率材料层；形成于第二低折射率材料层表面上的金属热电极；以及光输入端和光输出端。本发明提供的片上集成改变石墨烯能带的结构的制备方法简单、成本较低。
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公开(公告)号：CN112394447A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011248785.6
申请日：2020-11-10
Applicant: 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司 , 武汉邮电科学研究院有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种超宽带分合束器，包括：衬底以及依次叠置在所述衬底上的第一波导层和第二波导层；其中，所述第一波导层的上表面与所述第二波导层的下表面直接接触；所述第二波导层包括进行光信号耦合的输入渐变波导区和输出渐变波导区；所述输入渐变波导区在垂直于所述衬底的方向上的第一投影、所述输出渐变波导区在垂直于所述衬底的方向上的第二投影以及所述第一波导层在垂直于所述衬底的方向上的第三投影满足以下关系：所述第一投影和所述第二投影完全落入所述第三投影的范围内。
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公开(公告)号：CN109491011B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201811543364.9
申请日：2018-12-17
Applicant: 武汉邮电科学研究院有限公司 , 武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种波导光有源增益的实现方法、波导及光器件，涉及光通信器件技术领域。波导位于光子芯片上或者晶圆上，实现方法包括：在波导的指定区段上方制备窗口，使得指定区段暴露在光子芯片或者晶圆的表面上；对指定区段进行离子掺杂。本发明对波导的指定区段进行离子掺杂，与光子芯片或者晶圆的制造工艺兼容性好，易于实现，制作成本低，可以实现晶圆级大规模制造。
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