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公开(公告)号：CN117069053B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202311130271.4
申请日：2023-09-04
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括正面和背面；对所述衬底的正面刻蚀凹槽，并在所述凹槽内填充预埋牺牲层；其中，所述预埋牺牲层的边界与背腔结构的边界对应；对所述衬底的背面进行刻蚀，形成第一背腔结构，所述第一背腔结构露出所述预埋牺牲层；完全释放所述预埋牺牲层，形成第二背腔结构，所述第一背腔结构和所述第二背腔结构构成所述背腔结构。本发明实施例改善了背腔边界，提升了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN116055968B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310244911.8
申请日：2023-03-14
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
IPC: H04R17/00
Abstract: 一种压电扬声器及其制备方法、电子设备，涉及扬声器技术领域。该扬声器包括衬底、设于衬底相对两面的第一振膜和第二振膜、设于第一振膜上的第一有源发声区、设于第二振膜上的第二有源发声区以及两端分别与第一振膜和第二振膜连接的驱动推杆；第一有源发声区和第二有源发声区均包括层叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层；第一电极层、压电层、第二电极层和声腔在衬底上的正投影的重合区域形成发声有源区；第一振膜具有围绕发声有源区设置的第一褶皱结构，第一褶皱结构通过在第一振膜的相对两个表面分别凹设第一凹槽得到，且所述第一振膜的相对两个表面的第一凹槽呈交错设置。该压电扬声器能够提高发声声压级、工作相对带宽。
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公开(公告)号：CN117069053A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311130271.4
申请日：2023-09-04
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括：提供衬底，所述衬底包括正面和背面；对所述衬底的正面刻蚀凹槽，并在所述凹槽内填充预埋牺牲层；其中，所述预埋牺牲层的边界与背腔结构的边界对应；对所述衬底的背面进行刻蚀，形成第一背腔结构，所述第一背腔结构露出所述预埋牺牲层；完全释放所述预埋牺牲层，形成第二背腔结构，所述第一背腔结构和所述第二背腔结构构成所述背腔结构。本发明实施例改善了背腔边界，提升了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN116320959A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310259846.6
申请日：2023-03-14
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种微扬声器的制备方法以及微扬声器。该方法包括：首先，提供第一衬底，第一衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；之后，于第一表面上形成第一压电结构；对第一压电结构进行刻蚀，形成第一驱动结构；之后，于第二表面上形成图案化的掩膜版；之后，以图案化的掩膜版为掩膜，对第一衬底的第二表面进行背腔刻蚀，形成至少两个空气腔体及至少一个振动连杆；最后，在第一衬底的第二表面上形成密封膜层。该方法使得第一驱动结构接收驱动信号发生形变，通过振动连杆驱动密封膜层振动，从而推动空气而发声，从而减小了未密封第一驱动结构的缝隙带来的声学损耗，进而解决了现有技术中微扬声器的声学损耗较大导致性能较低的问题。
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公开(公告)号：CN116193342A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310025566.9
申请日：2023-01-09
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
IPC: H04R19/01
Abstract: 本申请公开了一种电容‑压电式耦合麦克风，提高了MEMS麦克风的性能。该麦克风包括：信号处理电路、偏置电压输出电路、背板，以及依次沉积在背板上表面的第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、第三电极层、压电材料和第四电极层；其中，第一绝缘层为环形支撑件，第一绝缘层、第一电极层和第二电极层围设形成空腔；空腔、第一电极层和第二电极层组成电容式麦克风的主体结构，偏置电压输出电路向其施加偏置电压；第三电极层、压电材料和第四电极层组成压电式麦克风的主体结构；信号处理电路将两主体结构输出的电信号进行放大后再叠加在一起。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116055968A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310244911.8
申请日：2023-03-14
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
IPC: H04R17/00
Abstract: 一种压电扬声器及其制备方法、电子设备，涉及扬声器技术领域。该扬声器包括衬底、设于衬底相对两面的第一振膜和第二振膜、设于第一振膜上的第一有源发声区、设于第二振膜上的第二有源发声区以及两端分别与第一振膜和第二振膜连接的驱动推杆；第一有源发声区和第二有源发声区均包括层叠设置的第一电极层、压电层和第二电极层；第一电极层、压电层、第二电极层和声腔在衬底上的正投影的重合区域形成发声有源区；第一振膜具有围绕发声有源区设置的第一褶皱结构，第一褶皱结构通过在第一振膜的相对两个表面分别凹设第一凹槽得到，且所述第一振膜的相对两个表面的第一凹槽呈交错设置。该压电扬声器能够提高发声声压级、工作相对带宽。
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公开(公告)号：CN114666717B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210565797.4
申请日：2022-05-24
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
IPC: H04R17/02
Abstract: 本申请公开了一种压电MEMS麦克风芯片及压电MEMS麦克风，涉及压电器件技术领域。压电MEMS麦克风芯片包括衬底框架，以及在衬底框架上设置的多个收声梁，收声梁包括连接梁和悬臂梁，连接梁和悬臂梁在圆周上交错设置，多个收声梁朝向几何中心的一端在衬底框架围合的中心位置相互固定连接，连接梁远离几何中心的一端与衬底框架固定连接。其不仅能够使悬臂梁的电信号通过连接梁引出，而且能够提高悬臂梁固定的稳定性，同时也增强了压电MEMS麦克风的输出灵敏度。
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公开(公告)号：CN110255489B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201910468431.3
申请日：2019-05-31
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本发明属于MEMS系统集成制造技术领域，公开了一种三维单片集成传感器系统，包括：集成电路晶圆、传感器层、薄膜封装层；传感器层包括多个传感器，传感器集成在集成电路晶圆上，薄膜封装层位于传感器层之上；集成电路晶圆包括：衬底、电路模块层、第一绝缘层。本发明解决了现有技术中传感器系统体积较大、不易高度集成化、成品率较低的问题，能够满足高度集成化和小型化的传感器系统制作需求。
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公开(公告)号：CN111337119B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010027154.5
申请日：2020-01-10
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
IPC: G01H11/08
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度的振动传感器，包括具有空腔的衬底和多个压电悬臂梁，空腔的底面中心设置有固定柱，多个悬臂梁围成信号接收区域，通过固定柱固定在衬底上方；压电悬臂梁包括固定端和自由端，自由端的宽度大于固定端，固定端固定在固定柱上，自由端悬置于空腔上方，且相邻的压电悬臂梁之间设置有间隙；该传感器还包括带有凹槽的封帽，封帽的槽沿与压电悬臂梁的自由端相连接。凹槽的截面可为任意形状，优选底面与侧壁夹角大于90°的梯形。本发明通过封帽将振动信号产生载荷集中在压电悬臂梁自由端，会使压电悬臂梁受到的弯矩更大，压电悬臂梁的挠曲程度更大，且夹角大于90°时能够产生较大的横向载荷，有效提高振动传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN119767238A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411888378.X
申请日：2024-12-19
Applicant: 武汉敏声新技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发声装置及其制备方法，涉及微机电系统技术领域，本申请的发声装置，包括衬底以及设置于衬底上的器件层，在器件层内，设置有第一发声单元以及多个围合在第一发声单元外周的第二发声单元，第一发声单元受驱振动发声，第二发声单元用于在调制信号的作用下振动发声，第一发声单元在器件层内占用的面积大于每个第二发声单元在器件层内占用的面积，且第一发声单元的发声频率大于第二发声单元的发声频率。本申请提供的发声装置及其制备方法，能够实现全频带内高的声压级响应。
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