公开(公告)号：CN104284997A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380024532.2

申请日：2013-03-08

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： A·麦利卡尔珠南 ,  A·D·约翰森 ,  王美良 ,  R·N·弗尔蒂斯 ,  韩冰 ,  雷新建 ,  M·L·奥尼尔

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/443 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7869 ,  C23C16/401 ,  H01L29/78651

Abstract: 本文描述了低温加工的高质量含硅膜。还公开了在低温下形成含硅膜的方法。在一个方面，提供了具有约2nm至约200nm的厚度和约2.2g/cm3或更大的密度的含硅膜，其中所述含硅薄膜通过选自化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、循环化学气相沉积(CCVD)、等离子体增强循环化学气相沉积(PECCVD)、原子层沉积(ALD)和等离子体增强原子层沉积(PEALD)的沉积工艺沉积，并且所述气相沉积使用选自二乙基硅烷、三乙基硅烷以及它们的组合的烷基硅烷前体在约25℃至约400℃范围的一个或多个温度下进行。

公开(公告)号：CN104284997B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201380024532.2

申请日：2013-03-08

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： A·麦利卡尔珠南 ,  A·D·约翰森 ,  王美良 ,  R·N·弗尔蒂斯 ,  韩冰 ,  雷新建 ,  M·L·奥尼尔

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/443 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/51 ,  H01L29/7869

Abstract: 本文描述了低温加工的高质量含硅膜。还公开了在低温下形成含硅膜的方法。在一个方面，提供了具有约2nm至约200nm的厚度和约2.2g/cm3或更大的密度的含硅膜，其中所述含硅薄膜通过选自化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、循环化学气相沉积(CCVD)、等离子体增强循环化学气相沉积(PECCVD)、原子层沉积(ALD)和等离子体增强原子层沉积(PEALD)的沉积工艺沉积，并且所述气相沉积使用选自二乙基硅烷、三乙基硅烷以及它们的组合的烷基硅烷前体在约25℃至约400℃范围的一个或多个温度下进行。

公开(公告)号：CN104672265A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410486674.7

申请日：2014-09-22

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： M·L·奥尼尔 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  R·霍 ,  H·钱德拉 ,  M·R·麦克唐纳德 ,  王美良

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/44 ,  C23C16/513

Abstract: 本文描述了形成含硅膜的前体和方法。一方面，所述前体包含由下式A-E之一表示的化合物：在一个特定的实施方式中，所述有机氨基硅烷前体对低温(例如，350℃或更低)下的氧化硅或碳掺杂的氧化硅膜的原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)有效。此外，本文描述了包含本文所述的有机氨基硅烷的组合物，其中所述有机氨基硅烷基本上不含选自胺、卤化物(例如Cl、F、I、Br)、较高分子量物质和痕量金属中的至少一种。

公开(公告)号：CN103374708A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310164475.X

申请日：2013-04-12

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： H·钱德拉 ,  王美良 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  R·M·皮尔斯泰恩 ,  M·L·奥内尔 ,  韩冰

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C07F7/10 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 公开了以＞500℃的温度形成氧化硅的原子层沉积(ALD)方法。使用的硅前体具有通式：I.R1R2mSi(NR3R4)nXp其中R1、R2和R3各自独立地选自氢、直链或支链C1-C10烷基和C6-C10芳基；R4选自直链或支链C1-C10烷基、C6-C10芳基和C3-C10烷基甲硅烷基；其中R3和R4连接形成环结构或R3和R4不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是0-3；n是0-2；和p是0-2且m+n+p＝3；和II.R1R2mSi(OR3)n(OR4)qXp其中R1和R2各自独立地选自氢、直链或支链C1-C10烷基和C6-C10芳基；R3和R4各自独立地选自直链或支链C1-C10烷基和C6-C10芳基；其中R3和R4连接形成环结构或R3和R4不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是0-3；n是0-2；q是0-2和p是0-2且m+n+p+q＝3。

公开(公告)号：CN103374708B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201310164475.X

申请日：2013-04-12

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： H·钱德拉 ,  王美良 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  R·M·皮尔斯泰恩 ,  M·L·奥内尔 ,  韩冰

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C07F7/10 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 公开了以＞500℃的温度形成氧化硅的原子层沉积(ALD)方法。使用的硅前体具有通式：I.R1R2mSi(NR3R4)nXp其中R1、R2和R3各自独立地选自氢、直链或支链C1‑C10烷基和C6‑C10芳基；R4选自直链或支链C1‑C10烷基、C6‑C10芳基和C3‑C10烷基甲硅烷基；其中R3和R4连接形成环结构或R3和R4不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是0‑3；n是0‑2；和p是0‑2且m+n+p＝3；和II.R1R2mSi(OR3)n(OR4)qXp其中R1和R2各自独立地选自氢、直链或支链C1‑C10烷基和C6‑C10芳基；R3和R4各自独立地选自直链或支链C1‑C10烷基和C6‑C10芳基；其中R3和R4连接形成环结构或R3和R4不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是0‑3；n是0‑2；q是0‑2和p是0‑2且m+n+p+q＝3。