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公开(公告)号：CN103374708B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201310164475.X
申请日：2013-04-12
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/02164 , C07F7/10 , C23C16/402 , C23C16/45527 , C23C16/45553 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 公开了以＞500℃的温度形成氧化硅的原子层沉积(ALD)方法。使用的硅前体具有通式：I.R1R2mSi(NR3R4)nXp其中R1、R2和R3各自独立地选自氢、直链或支链C1‑C10烷基和C6‑C10芳基；R4选自直链或支链C1‑C10烷基、C6‑C10芳基和C3‑C10烷基甲硅烷基；其中R3和R4连接形成环结构或R3和R4不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是0‑3；n是0‑2；和p是0‑2且m+n+p＝3；和II.R1R2mSi(OR3)n(OR4)qXp其中R1和R2各自独立地选自氢、直链或支链C1‑C10烷基和C6‑C10芳基；R3和R4各自独立地选自直链或支链C1‑C10烷基和C6‑C10芳基；其中R3和R4连接形成环结构或R3和R4不连接形成环结构；X是选自Cl、Br和I的卤素；m是0‑3；n是0‑2；q是0‑2和p是0‑2且m+n+p+q＝3。
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公开(公告)号：CN103582719B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280027268.3
申请日：2012-06-01
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: H01L21/02211 , C07F7/0896 , C07F7/10 , C09D5/00 , C09D7/63 , C23C16/30 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/0228
Abstract: 本文描述用于沉积碳?掺杂含硅膜的组合物，其中所述组合物包含第一前体，该第一前体包括至少一种选自下述的化合物：具有式R5Si(NR3R4)xH3?x的有机氨基烷基硅烷，其中x=1、2、3；具有式R6Si(OR7)xH3?x的有机烷氧基烷基硅烷，其中x=1、2、3；具有式R8N(SiR9(NR10R11)H)2的有机氨基硅烷，具有式R8N(SiR9LH)2的有机氨基硅烷，及其组合；和任选的第二前体，其包含具有式∶Si(NR1R2)H3的化合物。本文还描述了使用所述组合物沉积碳?掺杂含硅膜的方法，其中所述方法是选自下述的一种：循环化学气相沉积(CCVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强ALD(PEALD)和等离子体增强CCVD(PECCVD)。
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公开(公告)号：CN105801616A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610162014.2
申请日：2013-12-11
Applicant: 气体产品与化学公司
Abstract: 本发明描述了具有下述式A或式B的烷氧基甲硅烷基胺前体：其中R1和R4独立地选自直链或支链C1至C10烷基、C3至C12烯基、C3至C12炔基、C4至C10环烷基和C6至C10芳基，并且其中R2、R3、R5和R6独立地选自氢、直链或支链C1至C10烷基、C2至C12烯基、C2至C12炔基、C4至C10环烷基、C6至C10芳基以及直链或支链C1至C10烷氧基。本文还描述了使用至少一种具有本文所述的式A和/或B的前体的沉积工艺。
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公开(公告)号：CN105801612A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610141031.8
申请日：2013-06-03
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C07F7/10 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法。本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面，提供式I的前体：其中R1选自直链或支链C3?C10烷基、直链或支链C3?C10烯基、直链或支链C3?C10炔基、C1?C6二烷基氨基、吸电子基团和C6?C10芳基；R2选自氢、直链或支链C1?C10烷基、直链或支链C3?C6烯基、直链或支链C3?C6炔基、C1?C6二烷基氨基、C6?C10芳基、直链或支链C1?C6氟化烷基、吸电子基团和C4?C10芳基；任选地其中R1和R2连接在一起形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环；且n＝1或2。
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公开(公告)号：CN103451619B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310220937.5
申请日：2013-06-03
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: H01L21/02211 , C07F7/025 , C07F7/10 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45542 , C23C16/45553
Abstract: 本文描述的是用于形成含硅薄膜的前体和方法。在一个方面中，存在如下式I的前体：其中R1和R3独立地选自直链或支链C3-C10烷基、直链或支链C3-C10烯基、直链或支链C3-C10炔基、C1-C6二烷基氨基、吸电子基团和C6-C10芳基；R2和R4独立地选自氢、直链或支链C3-C10烷基、直链或支链C3-C10烯基、直链或支链C3-C10炔基、C1-C6二烷基氨基、吸电子基团和C6-C10芳基；并且其中R1和R2、R3和R4、R1和R3或者R2和R4中的任一组、全部或没有一组连接在一起以形成环。
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公开(公告)号：CN103864837A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310698533.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: B65D25/14 , C07F7/10 , C07F7/1804 , C23C16/00
Abstract: 本发明描述了具有下述式A或式B的烷氧基甲硅烷基胺前体：其中R1和R4独立地选自直链或支链C1至C10烷基、C3至C12烯基、C3至C12炔基、C4至C10环烷基和C6至C10芳基，并且其中R2、R3、R5和R6独立地选自氢、直链或支链C1至C10烷基、C2至C12烯基、C2至C12炔基、C4至C10环烷基、C6至C10芳基以及直链或支链C1至C10烷氧基。本文还描述了使用至少一种具有本文所述的式A和／或B的前体的沉积工艺。
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公开(公告)号：CN101469006A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810178688.7
申请日：2008-11-27
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C07F19/00 , C07C215/14 , C07C213/08 , C23C16/18
CPC classification number: C23C16/18 , C07F3/003 , C23C16/403 , C23C16/404 , C23C16/405 , C23C16/406
Abstract: 本发明公开了三齿β－酮亚胺化物的金属络合物，其一个实施方案由下列结构所示，其中M是如钙、锶、钡、钪、钇、镧、钛、锆、钒、钨、锰、钴、铁、镍、钌、锌、铜、钯、铂、铱、铼、锇的金属；R1选自具有1至10个碳原子的烷基、烷氧基烷基、氟烷基、脂环族基团和芳基；R2选自氢、烷基、烷氧基、脂环族基团和芳基；R3是选自烷基、烷氧基烷基、氟烷基、脂环族基团和芳基的直链或支链基团；R4是具有至少一个手性中心的支链烷基或亚烷基桥；R5－6独立地为选自烷基、氟烷基、脂环族基团、芳基的直链或支链基团，并可以连接形成含有碳、氧或氮原子的环；n是等于金属M的化合价的整数。
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公开(公告)号：CN106048557A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610536821.6
申请日：2012-06-01
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本文描述用于沉积碳‑掺杂含硅膜的组合物，其中所述组合物包含第一前体，该第一前体包括至少一种选自下述的化合物：具有式R5Si(NR3R4)xH3‑x的有机氨基烷基硅烷，其中x＝1、2、3；具有式R6Si(OR7)xH3‑x的有机烷氧基烷基硅烷，其中x＝1、2、3；具有式R8N(SiR9(NR10R11)H)2的有机氨基硅烷，具有式R8N(SiR9LH)2的有机氨基硅烷，及其组合；和任选的第二前体，其包含具有式∶Si(NR1R2)H3的化合物。本文还描述了使用所述组合物沉积碳‑掺杂含硅膜的方法，其中所述方法是选自下述的一种：循环化学气相沉积(CCVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强ALD(PEALD)和等离子体增强CCVD(PECCVD)。
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公开(公告)号：CN105906660A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610256473.7
申请日：2016-02-14
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: C07F7/10 , C01B21/0823 , C01B21/0828 , C01B32/90 , C01B33/181 , C07F7/1804 , C07F7/188 , C08J5/18 , C08L83/04 , C09D7/63 , C23C16/308 , C23C16/45553 , C23C16/30 , C23C16/325 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/402
Abstract: 本文描述式I的双氨基烷氧基硅烷以及其使用方法：R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I其中R1选自氢、C1至C10直链烷基、C3至C10支链烷基、C3至C10环烷基、C3至C10烯基、C3至C10炔基、C4至C10芳族烃基；R2、R3、R4和R5各自独立地选自氢、C4至C10支链烷基、C3至C10环烷基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳族烃基；R6选自C1至C10直链烷基、C3至C10支链烷基、C3至C10环烷基、C3至C10烯基、C2至C10炔基和C4至C10芳族烃基。
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公开(公告)号：CN103224510B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310051550.1
申请日：2013-01-28
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: C09D7/1233 , C07F7/10 , C07F7/188 , C09D7/63
Abstract: 本文描述了具有式I的烷氧基氨基硅烷化合物以及用于沉积含硅薄膜的方法和组合物：(R1R2)NSiR3OR4OR5 式(I)其中R1独立地选自直链或支链C1?C10烷基、C2?C12烯基、C2?C12炔基、C4?C10环烷基和C6?C10芳基；R2和R3各自独立地选自氢、直链或支链C1?C10烷基、C3?C12烯基、C3?C12炔基、C4?C10环烷基和C6?C10芳基；且R4和R5各自独立地选自直链或支链C1?C10烷基、C2?C12烯基、C2?C12炔基、C4?C10环烷基和C6?C10芳基。
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