公开(公告)号：CN101255548A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810088179.5

申请日：2008-02-27

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： H·思里丹达姆 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  T·R·加夫尼 ,  E·J·小卡瓦克基

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/00

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明公开了由含有Si－H3的烷氨基硅烷，优选式(R1R2N)SiH3(其中R1和R2独立地选自C2－C10)以及氮源或氧源(优选氨或氧)进行等离子体增强周期化学气相沉积氮化硅、碳氮化硅、氧氮化硅、羧基氮化硅和掺碳的氧化硅的方法，使得膜与由热化学气相沉积获得的膜相比具有改进的特性，例如蚀刻速率、氢浓度和应力。

公开(公告)号：CN1990150A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610164185.5

申请日：2006-12-08

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： C·C·董 ,  E·J·小卡瓦克基 ,  R·E·帕特里克

IPC: B23K1/20 ,  H05K3/34

CPC classification number: B23K1/206 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/3489 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是一种使用包含氢和氘的还原性气体的气体混合物通过电子附着使要焊接的一种或多种元件的金属表面干熔的检测和校准方法，该方法包含下列步骤：a)提供一种或多种与第一电极连接的、要焊接的元件作为靶组件；b)在该靶组件邻近提供一个第二电极；c)在第一和第二电极之间提供一种包含氢和氘的还原性气体的气体混合物；d)给第一和第二电极提供一个直流(DC)电压，以在这两个电极之间形成一股发射电流并向该还原性气体供给电子而形成带负电荷的离子型还原性气体和与氘键合的氢的分子；e)使该靶组件与带负电荷的离子型还原气体接触和使该靶组件上的氧化物还原，也公开相关的装置。

公开(公告)号：CN102569179B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210022734.0

申请日：2007-04-18

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： R·N·弗尔蒂斯 ,  吴定军 ,  M·L·奥奈尔 ,  M·D·比特纳 ,  J·L·文森特 ,  E·J·小卡瓦克基 ,  A·S·卢卡斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/764 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/423 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明涉及形成受控的空隙的材料和方法。本发明的一个技术方案是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙；其中至少一种牺牲材料前体选自有机成孔剂；硅和极性溶剂可溶的金属氧化物和其混合物。

公开(公告)号：CN102569179A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210022734.0

申请日：2007-04-18

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： R·N·弗尔蒂斯 ,  吴定军 ,  M·L·奥奈尔 ,  M·D·比特纳 ,  J·L·文森特 ,  E·J·小卡瓦克基 ,  A·S·卢卡斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/764 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/423 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明涉及形成受控的空隙的材料和方法。本发明的一个技术方案是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙；其中至少一种牺牲材料前体选自有机成孔剂；硅和极性溶剂可溶的金属氧化物和其混合物。

公开(公告)号：CN101060095B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN200710103575.6

申请日：2007-04-18

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： R·N·弗尔蒂斯 ,  吴定军 ,  M·L·奥奈尔 ,  M·D·比特纳 ,  J·L·文森特 ,  E·J·小卡瓦克基 ,  A·S·卢卡斯

IPC: H01L21/764

CPC classification number: H01L21/764 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/423 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047

Abstract: 形成受控的空隙的材料和方法，本发明是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙；其中至少一种牺牲材料前体选自有机成孔剂；硅和极性溶剂可溶的金属氧化物和其混合物。

公开(公告)号：CN101192508A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200610162431.3

申请日：2006-11-22

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： 吴定军 ,  E·J·小卡瓦克基

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3213 ,  C23C16/00 ,  B08B7/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B08B7/0035 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67028

Abstract: 本发明涉及用于从常见于半导体沉积室装置和工具中的二氧化硅(石英)和SiN表面选择性蚀刻TiN的改进方法。在该方法中，其上具有TiN的SiO2或者SiN表面和XeF2在接触区中接触，从而选择性地将TiN转变成挥发性物质，然后从所述接触区去除所述挥发性物质。XeF2可以通过Xe和氟化合物的反应而预先形成或者原位形成。

公开(公告)号：CN101060095A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710103575.6

申请日：2007-04-18

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： R·N·弗尔蒂斯 ,  吴定军 ,  M·L·奥奈尔 ,  M·D·比特纳 ,  J·L·文森特 ,  E·J·小卡瓦克基 ,  A·S·卢卡斯

IPC: H01L21/764

CPC classification number: H01L21/764 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/423 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙；其中至少一种牺牲材料前体选自有机成孔剂；硅和极性溶剂可溶的金属氧化物和其混合物。