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公开(公告)号：CN103108919A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180044742.9
申请日：2011-08-11
Applicant: 气体产品与化学公司
Abstract: 本发明公开了烷基乙氧基化醇或平均HLB值在10和15之间的烷基醇乙氧基化物的混合物作为基本上不含壬基酚乙氧基化物的水发泡聚氨酯泡沫制剂的增容剂。HLB定义为亲水性增容剂的平均结构质量百分数除以5。所述增容剂被混入聚氨酯制剂的B方中。所述喷涂泡沫制剂的B方包含多元醇、水、胺催化剂、和本发明的增容剂，使得水占B方制剂的约2重量％至约30重量％，而所述增容剂占所述B方制剂的约1重量％至约30重量％。所述制剂的B方可以进一步包含金属催化剂、阻燃剂、硅氧烷表面活性剂、开孔剂、抗氧化剂、以及其他添加剂。
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公开(公告)号：CN100387898C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510082198.3
申请日：2005-07-01
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: B01D35/02 , B01D46/0036 , B01D46/4272 , B01D2275/40
Abstract: 本发明是容纳和分配高纯流体的装置，包含能够在其内部容纳大量高纯流体的外容器；和外容器相连以分配高纯流体的出口；能够控制高纯流体通过出口流出外容器的阀；至少部分位于外容器中并和出口连接的内容器，具有和外容器的内部连接的入口；包含在内容器内的净化介质，以净化高纯流体中的不希望有的成分；以及防止高纯流体从内容器流到外容器内部的流体流动控制设备。
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公开(公告)号：CN1782124A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510129199.9
申请日：2005-09-28
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/448 , H01L21/31 , H01L27/12
Abstract: 本发明披露了一种多孔有机硅酸盐玻璃(OSG)薄膜：SivOwCxHyFz，其中v+w+x+y+z＝100％，v为10－35％原子，w为10－65％原子，x为5－30％原子，y为10－50％原子，而z为0－15％原子，所述薄膜具有带碳键如甲基(Si－CH3)的硅酸盐网络并且有直径小于3nm当量球体直径的孔，且介电常数小于2.7。由有机硅烷和/或有机硅氧烷前体，以及独立的成孔前体，通过化学气相淀积方法沉积预备薄膜。成孔剂前体在预备薄膜内形成孔，随后被除去以提供多孔薄膜。组合物，即成膜成套工具包括：含至少一个Si－H键的有机硅烷和/或有机硅氧烷化合物，以及含醇、醚、羰基、羧酸、酯、硝基、伯胺、仲胺和/或叔胺官能团或其组合的烃的成孔剂前体。
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公开(公告)号：CN1527366A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410032658.7
申请日：2004-03-04
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/3105 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/02126 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/31695
Abstract: 一种低介电材料和包含该低介电材料的薄膜，当在集成电路中用作为层间电介质时，具有改善性能，以及制备该材料和薄膜的方法。在本发明的一方面，有机硅酸盐玻璃薄膜被暴露在紫外光源下，其中该薄膜在曝光后，其机械性能(例如材料硬度和弹性模量)至少比沉积的薄膜要提高10％或更多。
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公开(公告)号：CN1367205A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN02102345.X
申请日：2002-01-17
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: C09D183/06 , B05D1/60 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02131 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3121 , H01L21/31629 , H01L21/31633
Abstract: 一种在基片形成低介电常数层间介质薄膜的方法,该方法是通过在足以在基片上沉积薄膜的化学气相沉积条件下,使包括甲硅烷基醚、甲硅烷基醚低聚物或含一个或多个活性基团的有机硅化合物的有机硅前体发生反应,以形成介电常数为3.5或更低的层间介质薄膜。由上述方法形成的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106810661A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710036796.X
申请日：2013-10-24
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: C08G18/1858 , C08G18/092 , C08G18/1825 , C08G18/1833 , C08G18/2027 , C08G18/225 , C08G18/227 , C08G18/34 , C08G18/4027 , C08G18/5021 , C08G18/546 , C08G2101/0025 , C08G2105/02 , C08J9/02 , C08J9/144 , C08J2201/022 , C08J2203/162 , C08J2205/052 , C08J2205/10 , C08J2207/04 , C08J2375/04
Abstract: 公开了用于绝缘聚氨酯或聚异氰脲酸酯泡沫生产中的催化剂组合物。催化剂组合物对催化剂、含卤素的发泡剂和多元醇的混合物提供了提高的稳定性。这些催化剂组合物包括胺/酸盐，具有
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公开(公告)号：CN102569179B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210022734.0
申请日：2007-04-18
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/764 , H01L21/02115 , H01L21/02126 , H01L21/02172 , H01L21/02203 , H01L21/02205 , H01L21/02263 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L21/30604 , H01L21/31695 , H01L21/423 , H01L21/7682 , H01L2221/1047
Abstract: 本发明涉及形成受控的空隙的材料和方法。本发明的一个技术方案是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙；其中至少一种牺牲材料前体选自有机成孔剂；硅和极性溶剂可溶的金属氧化物和其混合物。
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公开(公告)号：CN1782124B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200510129199.9
申请日：2005-09-28
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/448 , H01L21/31 , H01L27/12
Abstract: 多孔低介电常数组合物、其制备方法及其使用方法本发明披露了一种多孔有机硅酸盐玻璃(OSG)薄膜：SivOwCxHyFz，其中v+w+x+y+z＝100％，v为10-35％原子，w为10-65％原子，x为5-30％原子，y为10-50％原子，而z为0-15％原子，所述薄膜具有带碳键如甲基(Si-CH3)的硅酸盐网络并且有直径小于3nm当量球体直径的孔，且介电常数小于2.7。由有机硅烷和/或有机硅氧烷前体，以及独立的成孔前体，通过化学气相淀积方法沉积预备薄膜。成孔剂前体在预备薄膜内形成孔，随后被除去以提供多孔薄膜。组合物，即成膜成套工具包括：含至少一个Si-H键的有机硅烷和/或有机硅氧烷化合物，以及含醇、醚、羰基、羧酸、酯、硝基、伯胺、仲胺和/或叔胺官能团或其组合的烃的成孔剂前体。
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公开(公告)号：CN100410420C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510008055.8
申请日：2002-01-17
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/30 , C08L83/04 , H01L21/316
CPC classification number: C09D183/06 , B05D1/60 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02131 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3121 , H01L21/31629 , H01L21/31633
Abstract: 本发明涉及一种形成低介电常数层间介质薄膜的方法，该方法包括在足以在基片上沉积薄膜的化学气相沉积条件下，使包括一种或多种有机硅化合物的有机硅前体，任选与一种或多种其他反应物质一起发生反应，以形成介电常数为3.5或更低的层间介质薄膜，所述有机硅化合物含一个或多个选自C2-C10环氧化物、C2-C8羧酸酯、C2-C8炔烃、C4-C8二烯烃、C3-C5张力环基团和C4-C10基团的活性侧基，这些侧基能在空间上阻碍或拉紧有机硅前体。本发明也涉及由上述方法形成的薄膜。
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公开(公告)号：CN1311097C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410071478.X
申请日：2004-05-28
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C23C16/40
CPC classification number: C03C11/00 , C03C3/045 , C23C16/401 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
Abstract: 一种通过调节此处公开的混合物中有机基团、例如甲基基团的量，来制备具有增强的机械性能、低介电常数有机硅酸盐(OSG)的化学气相沉积方法。在本发明一实施方案中，由包括含有3-4个Si-O键/Si原子、0-1个选自Si-H，Si-Br以及Si-Cl键中的一种键/Si原子、以及无Si-C键的第一含硅前体，以及一含有至少一个Si-C键/Si原子的第二含硅前体的混合物沉积得到OSG薄膜。在本发明另一实施方案中，由包括一种不对称含硅前体的混合物沉积得到OSG薄膜。在任一实施方案中，为提供一种多孔的OSG薄膜，混合物中还可以含有一种成孔剂前体。
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