公开(公告)号：CN103132050A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210568217.3

申请日：2008-04-24

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： 萧满超 ,  T.R.加夫尼

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  H01L45/00

CPC classification number: C23C16/06 ,  C01B19/002 ,  C07B59/004 ,  C07B2200/05 ,  C07C395/00 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02562 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 本发明涉及用于制造相变存储器材料的碲前驱体。说明书中公开了用于制造相变存储器材料的碲(Te)前驱体，特别是含碲(Te)前驱体、含Te硫属元素化物相变材料。说明书中还公开了使用ALD、CVD或循环CVD法制造含Te硫属元素化物相变材料的方法，其中至少一种公开的含碲(Te)前驱体引入该方法。

公开(公告)号：CN105369215A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510250443.0

申请日：2008-02-27

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： H.思里丹达姆 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  T.R.加夫尼 ,  E.J.小卡瓦克基

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明公开了由含有Si-H3的烷氨基硅烷，优选式(R1R2N)SiH3(其中R1和R2独立地选自C2-C10)以及氮源或氧源(优选氨或氧)进行等离子体增强周期化学气相沉积氮化硅、碳氮化硅、氧氮化硅、羧基氮化硅和掺碳的氧化硅的方法，使得膜与由热化学气相沉积获得的膜相比具有改进的特性，例如蚀刻速率、氢浓度和应力。