公开(公告)号：CN119392272A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411482214.7

申请日：2024-10-23

Applicant: 江南大学

Inventor： 陈治伟 ,  李杨 ,  王霄 ,  刘璋成 ,  尤杰 ,  敖金平

IPC: C25B9/00 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C25B9/65 ,  C25B11/052 ,  C25B11/087 ,  H02J50/20 ,  H02J50/27 ,  H02J50/23 ,  H02J50/40 ,  H02S40/30

Abstract: 本发明公开了一种无源无线耦合光电解水产氢系统，包括发射装置、接收装置和电解装置；发射装置包括商用太阳能电池，用于提供电能；接收装置包括整流天线，由整流器和天线组成，其中整流器是采由肖特基二极管，即微纳加工的Si基GaN器件，天线则是采用PCB和陶瓷制备；电解装置包括电解槽、光电阴极、阳极和电解液；其中光电阴极采用p‑Si作为基底，背电极为磁控溅射的Al层，正面为均匀分布的微米柱阵列，表面负载有MoS2助催化层。本发明提出将光电阴极与无线能量传输系统耦合搭建，以无线供电的方式替代传统电源，并在前端将太阳能转变为氢能源，实现远距离的新型能源的生产，从而拓宽了新型氢能源的应用前景。

公开(公告)号：CN118538819A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410639654.2

申请日：2024-05-22

Applicant: 江南大学

Inventor： 刘璋成 ,  敖金平 ,  王霄 ,  李杨 ,  陈治伟

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/028 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种三维结构单晶金刚石紫外探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该探测器解决了传统平面结构和现有三维结构金刚石紫外探测器载流子收集效率低的问题，从而提高了器件的响应度，提升了金刚石紫外探测器的性能和应用前景。该探测器的具体结构为，由下至上层叠设置的p型单晶金刚石层衬底、n型单晶金刚石层和i型单晶金刚石条；在i型单晶金刚石条之间的沟槽区域设置叉指形状的正极金属电极和负极金属电极。

公开(公告)号：CN118782644A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410489058.0

申请日：2024-04-23

Applicant: 江南大学

Inventor： 敖金平 ,  王文倩 ,  左敏 ,  朱霞 ,  王霄 ,  李杨 ,  刘璋成 ,  陈治伟 ,  白利华 ,  赵森 ,  夏文浩

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种P沟道氮化铝晶体管及其制备方法，本发明涉及电力电子器件领域，包括MIS结构，包括第一部分、氮化铝钪势垒层、P层；所述P层顶部中心处设有N帽层，所述N帽层上方沉积有电介质层，所述电介质层上方沉积有栅极。通过调整氮化铝钪势垒层厚度可以提高p沟道的空穴浓度，在栅金属与异质结构间插入N帽层，可以耗尽p沟道中的二维空穴气，以实现器件的增强特性。

公开(公告)号：CN118712272A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410846450.6

申请日：2024-06-27

Applicant: 江南大学

Inventor： 刘璋成 ,  王霄 ,  陈治伟 ,  李杨 ,  敖金平

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/115

Abstract: 本发明公开了一种三维石墨电极结构金刚石辐射探测器的制作方法，包括如下步骤：在金刚石晶片上制备条形金属掩膜；刻蚀未被金属掩膜覆盖的区域，去除金属掩膜；生长本征单晶金刚石外延层；制备金属钨叉指电极并连接沟槽阵列；置于微波等离子体腔体中，进行氢气等离子体、甲烷‑氢气等离子体处理，使金刚石晶片与金属钨叉指电极交界处的本征单晶金刚石外延层转变成石墨层；紫外臭氧照射将表面氢终端转变为氧终端，使用酸溶液去除金属钨叉指电极，得到三维石墨电极结构金刚石辐射探测器。本发明比激光加工加工精度高，电极尺寸设计灵活度高，不会在晶片内产生较大应力，不会引起晶片开裂，有利于载流子的收集，为提高器件灵敏度、响应时间奠定基础。

公开(公告)号：CN119372698A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411482216.6

申请日：2024-10-23

Applicant: 江南大学

Inventor： 陈治伟 ,  时文祥 ,  王鑫雨 ,  李威 ,  李淼涛 ,  尤杰 ,  刘璋成 ,  王霄 ,  李杨 ,  敖金平

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/04 ,  C25B1/55 ,  C25B11/053 ,  C25B11/059

Abstract: 本发明公开了一种多功能中间层修饰的硅基纳米线光电阴极，包括p‑Si基底层、纳米线形貌层、CdS层和MoS2助催化剂层；其制备方法为：(1)将p‑Si基底清洗干净，吹干备用；(2)在第一沉积液中沉积，制得表面吸附银粒子的p‑Si基底；(3)放入刻蚀液中刻蚀，在p‑Si基底上形成纳米线结构；(4)放入第二沉积液中沉积，在纳米线结构上形成CdS层；(5)将步骤(4)处理后的p‑Si基底作为工作电极，在电沉积液中沉积，制得所述硅基纳米线光电阴极。本发明光电阴极中CdS层与MoS2助催化剂层，减少两者直接负载的晶格失配问题，同时与硅基底形成异质pn结结构，多层协同作用，显著提高了光电化学性能。

公开(公告)号：CN118583846A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410635544.9

申请日：2024-05-22

Applicant: 江南大学

Inventor： 陈治伟 ,  李淼涛 ,  时文祥 ,  李威 ,  王鑫雨 ,  王霄 ,  李杨 ,  刘璋成 ,  敖金平

IPC: G01N21/76 ,  G01N27/26

Abstract: 本发明属于光电化学传感器领域，特别是一种硅基亚硝酸盐光电化学传感器及其制造方法。一种硅基亚硝酸盐光电化学传感器，其具体结构为，下至上层叠构建的铝(Al)背电极欧姆接触层、微纳加工处理的n型单晶硅(n‑Si)基底吸光层、表面金(Au)特异性层。本发明提出将微纳加工工艺以及物理生长法引入到光电化学传感器设计中，解决了传统化学型传感器重现性和稳定性差的问题，从而提升并拓宽了硅基光电化学传感器的应用前景。

公开(公告)号：CN118336389A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410384454.7

申请日：2024-04-01

Applicant: 江南大学

Inventor： 李杨 ,  钮蔓萱 ,  李莹莹 ,  李淼涛 ,  黄韧频 ,  邵波 ,  姚俊超 ,  王霄 ,  陈治伟 ,  刘璋成 ,  敖金平

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q1/38 ,  H01Q1/22 ,  H01Q1/50 ,  H01Q1/48 ,  H01Q9/04 ,  G01N27/22

Abstract: 本发明公开了一种圆极化超表面湿度传感天线，属于物联网传感器领域。所述天线包括：超表面阵列层和圆极化微带天线，所述超表面阵列层和圆极化微带天线之间设有第一介质基板层；超表面阵列层由风扇叶片形单元构成，相邻鼠标形超表面单元贴片之间的缝隙上方设有高分子感湿膜；本发明的天线实现了对环境中无线微波能量的收集，并将电磁波传输至整流器。天线加载了湿敏电容，具备感知空气湿度的能力，能够随着湿度的变化而调节‑10dB阻抗带宽和轴比带宽，为整流器提供了一种自适应性的保护机制，使得整流器在正常环境下能够稳定运行，而在极端湿度环境下降低工作效率，有效地保护整流器免受外部高湿恶劣环境的影响。