公开(公告)号：CN116153933A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310263055.0

申请日：2023-03-17

Applicant: 江南大学

Inventor： 敖金平 ,  朱霞 ,  左敏 ,  王霄 ,  李杨 ,  陈治伟 ,  白利华

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8252

Abstract: 本发明公开了一种GaN基CMOS器件及其制备方法，包括衬底；缓冲层，缓冲层的下表面与所述衬底接触；外延层，由位于所述缓冲层上表面的PMOS区和NMOS区构成；以及，电极，包括在所述NMOS区设置的NMOS肖特基栅电极、NMOS欧姆电极以及在所述PMOS区设置的PMOS欧姆电极和PMOS肖特基栅电极；其中，所述NMOS肖特基栅电极和所述PMOS肖特基栅电极均为鳍状结构。本发明的GaN基CMOS器件，载流子迁移率大大提升，栅控能力更强，栅泄漏较小，具有更广的实用范围。

公开(公告)号：CN118782644A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410489058.0

申请日：2024-04-23

Applicant: 江南大学

Inventor： 敖金平 ,  王文倩 ,  左敏 ,  朱霞 ,  王霄 ,  李杨 ,  刘璋成 ,  陈治伟 ,  白利华 ,  赵森 ,  夏文浩

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种P沟道氮化铝晶体管及其制备方法，本发明涉及电力电子器件领域，包括MIS结构，包括第一部分、氮化铝钪势垒层、P层；所述P层顶部中心处设有N帽层，所述N帽层上方沉积有电介质层，所述电介质层上方沉积有栅极。通过调整氮化铝钪势垒层厚度可以提高p沟道的空穴浓度，在栅金属与异质结构间插入N帽层，可以耗尽p沟道中的二维空穴气，以实现器件的增强特性。