一种荧光高相变配位化合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113999189A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111406456.4

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种荧光高相变配位化合物及其制备方法和应用,该配位化合物分子通式为(C6H14NO)2MnCl4,属于三斜晶系,空间群为P‑1,Mn原子均处于四配位的正四面体构型中心,晶体结构稳定。该配位化合物的激发波长为545nm,在450nm处出现强发射频带,发出绿光,具有荧光效应。在425K和365K处有一对吸热峰和放热峰,展现了一对可逆相变,且相变温度高达425K。该配位化合物是利用氯化锰和N‑乙基吗啉,采用直接水合成和慢速蒸发法制得。制备方法简单,操作可控。本发明配位化合物可应用于发光二极管、涂料、薄膜、损伤检测、建筑装潢、交通运输、军事设施等诸多领域。

    一种半导体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113929586B

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202111404027.3

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种半导体材料及其制备方法,该半导体材料的结构通式中R=H,Br,Cl或F,即其分子式为C30H48Cl9N3Sb2、C30H45Br3Cl9N3Sb2、C30H45Cl12N3Sb2和C30H45Cl9F3N3Sb2,该半导体材料为晶体结构;该半导体材料的制备方法为将含Sb3+的可溶性化合物和BTAB衍生物混合采用溶液自然挥发溶剂自组装制得材料。本发明公开的半导体材料,热分解温度点相对较高,晶体颗粒均匀;同时其制备工艺简单、易操作、原料来源充足、生产成本低、产率高以及重复性好。

    一种调控具有可切换介电开关性能的高温分子基相变化合物、制备方法及用途

    公开(公告)号:CN114085227B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202111410092.7

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明公开了调控具有可切换介电开关性能的高温分子基相变化合物、制备方法及用途,该分子基介电开关高温相变材料化合物分别为[ClEt‑Dabco][ReO4]2(1)和[BrEt‑Dabco][ReO4]2(2)。在296K温度下,晶体1,2属于单斜晶系,P‑1中心对称空间群;将高度对称的高铼酸溶液与三乙烯二胺衍生物混合采用溶液自然挥发溶剂自组装制得产品;在合成的过程中调控不同的卤素原子获得了一系列高温且相变温度可调的化合物。本发明产率高以及重复性好。具有可调谐性、灵活性和良好的生物相容性,可在数据存储、信号处理器和传感器等领广泛应用,有望在下一代可穿戴设备中得到应用。

    一种荧光高相变配位化合物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113999189B

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202111406456.4

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种荧光高相变配位化合物及其制备方法和应用,该配位化合物分子通式为(C6H14NO)2MnCl4,属于三斜晶系,空间群为P‑1,Mn原子均处于四配位的正四面体构型中心,晶体结构稳定。该配位化合物的激发波长为545nm,在450nm处出现强发射频带,发出绿光,具有荧光效应。在425K和365K处有一对吸热峰和放热峰,展现了一对可逆相变,且相变温度高达425K。该配位化合物是利用氯化锰和N‑乙基吗啉,采用直接水合成和慢速蒸发法制得。制备方法简单,操作可控。本发明配位化合物可应用于发光二极管、涂料、薄膜、损伤检测、建筑装潢、交通运输、军事设施等诸多领域。

    一种有机-无机杂化分子铁电材料及其制备和应用

    公开(公告)号:CN114315873A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202210030292.8

    申请日:2022-01-12

    Abstract: 本发明公开了一种有机‑无机杂化分子铁电材料,为晶体结构,所述晶体的分子通式为:[CPA]2CuBr4(CPA=环戊胺阳离子),不对称单元由2个[CPA]+阳离子和一个畸变的[CuBr4]2‑阴离子组成,该晶体在室温293K下属于单斜晶系Pna21空间群,在395 K时结晶于正交晶系的Pnma空间群,居里温度393K超过大多数分子铁电体可与商用铁电体BaTiO3(393 K)媲美;本晶体采用溶液挥发法制备,工艺简单,可重复性高,晶体结构稳定。本发明分子铁电材料展现出优良的可逆介电性质和铁电性,具备应用于信息存储、太阳能储能、传感器、可变电容器和智能开关等领域。

    一种类球状MoP-HCCN复合光催化剂及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113967481B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202111410478.8

    申请日:2021-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种类球状MoP‑HCCN复合光催化剂及其制备方法与应用,该复合光催化剂是由高度结晶的HCCN与MoP复合得到。该复合光催化剂提高了普通g‑C3N4的结晶度,能够抑制光合电子‑空穴对的复合,增加载流子迁移率,并且类球状结构使表面活性位点增多,比表面积减小,引入MoP后MoP纳米粒子能够更加有效分布在高结晶氮化碳上从而进一步提升了电子传递速度,其光吸收能力显著增强,整体的光催化活性显著提高,产氢能力明显增强,具有优异催化性能。本发明制备工艺简单、生产成本低、容易操作、原料来源充足,并结合高级氧化工艺的优点,具有高的光催化活性,形貌特殊,在实际应用方面有很

    具有可逆热致变色特性的有机-无机杂化金属卤化物及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116284061A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211101961.2

    申请日:2022-09-09

    Abstract: 本发明公开了具有可逆热致变色特性的有机‑无机杂化金属卤化物,化学式为C7H17Br3CuN2O,C7H13Br3CuFN2O,C8H19Br3CuN2O和C8H18Br3CuFN2O中的一种,本发明还提供了这四种化合物的制备方法和应用。四种化合物均具有完全可逆的热致变色、窄带隙和近红外性质。本发明通过调控有机阳离子,提供一种带隙更窄的具有可逆热致变色特性的化合物,带隙从2.120eV缩窄到1.590eV;化合物的制备方法方法简单,易操作,原料来源充足、生产成本低;本发明提出的具有热致变色特性的化合物,可以作为一项绿色技术应用于温度传感器、视觉温度计和智能窗口。

    一种调控具有可切换介电开关性能的高温分子基相变化合物、制备方法及用途

    公开(公告)号:CN114085227A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202111410092.7

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明公开了调控具有可切换介电开关性能的高温分子基相变化合物、制备方法及用途,该分子基介电开关高温相变材料化合物分别为[ClEt‑Dabco][ReO4]2(1)和[BrEt‑Dabco][ReO4]2(2)。在296K温度下,晶体1,2属于单斜晶系,P‑1中心对称空间群;将高度对称的高铼酸溶液与三乙烯二胺衍生物混合采用溶液自然挥发溶剂自组装制得产品;在合成的过程中调控不同的卤素原子获得了一系列高温且相变温度可调的化合物。本发明产率高以及重复性好。具有可调谐性、灵活性和良好的生物相容性,可在数据存储、信号处理器和传感器等领广泛应用,有望在下一代可穿戴设备中得到应用。

    一种类球状MoP-HCCN复合光催化剂及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113967481A

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202111410478.8

    申请日:2021-11-25

    Abstract: 本发明公开了一种类球状MoP‑HCCN复合光催化剂及其制备方法与应用,该复合光催化剂是由高度结晶的HCCN与MoP复合得到。该复合光催化剂提高了普通g‑C3N4的结晶度,能够抑制光合电子‑空穴对的复合,增加载流子迁移率,并且类球状结构使表面活性位点增多,比表面积减小,引入MoP后MoP纳米粒子能够更加有效分布在高结晶氮化碳上从而进一步提升了电子传递速度,其光吸收能力显著增强,整体的光催化活性显著提高,产氢能力明显增强,具有优异催化性能。本发明制备工艺简单、生产成本低、容易操作、原料来源充足,并结合高级氧化工艺的优点,具有高的光催化活性,形貌特殊,在实际应用方面有很大的潜力。

    一种半导体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113929586A

    公开(公告)日:2022-01-14

    申请号:CN202111404027.3

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种半导体材料及其制备方法,该半导体材料的结构通式中R=H,Br,Cl或F,即其分子式为C30H48Cl9N3Sb2、C30H45Br3Cl9N3Sb2、C30H45Cl12N3Sb2和C30H45Cl9F3N3Sb2,该半导体材料为晶体结构;该半导体材料的制备方法为将含Sb3+的可溶性化合物和BTAB衍生物混合采用溶液自然挥发溶剂自组装制得材料。本发明公开的半导体材料,热分解温度点相对较高,晶体颗粒均匀;同时其制备工艺简单、易操作、原料来源充足、生产成本低、产率高以及重复性好。

Patent Agency Ranking