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公开(公告)号：CN107247314A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710487138.2
申请日：2017-06-23
Applicant: 河南仕佳光子科技股份有限公司
CPC classification number: G02B6/4296 , G02B6/1245 , G02B6/13 , G02B6/4204
Abstract: 本发明公开了一种与光波导集成的二氧化硅微透镜的制作方法，步骤如下：S1，确定微透镜的尺寸；S2，制作微透镜掩膜版；S3，制作PLC型光分路器或阵列波导光栅；S4，ICP深刻蚀做出一个凹槽；S5，生长掺锗的SiO2透镜层；S6，微透镜；S7，刻蚀的透镜进行镀膜。本发明将光波导和微透镜的制作融合在一起，直接在制作的光波导的合适位置制作出微透镜，不需要再进行贴装，即使多通道，也不会增加制作成本或者延长生产周期。采用一体刻蚀避免了由于贴装误差造成系统总的耦合效率降低的发生，提高了系统总的耦合效率和产品的成品率。
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公开(公告)号：CN107764791A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710943245.1
申请日：2017-10-11
Applicant: 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC: G01N21/64
CPC classification number: G01N21/6486 , G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种基于倏逝波的离子浓度测试芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括衬底、波导和包层，包层将波导包裹在衬底上，且在包层上与波导相对应的位置设置有微槽，微槽的宽度大于波导的宽度，且在微槽的内壁涂覆有待测离子物质荧光识别材料。以及制作方法，步骤1，清洗衬底；步骤2，淀积波导芯层；步骤3，高温退火；步骤4，形成掩膜层；步骤5，涂覆光刻胶；步骤6，刻蚀掩膜层；步骤7，形成波导芯层；步骤8，去除掩膜层；步骤9，淀积上包层；步骤10，上包层形成掩膜层；步骤11，涂覆光刻胶；步骤12，去除光刻胶层；步骤13，形成微槽；步骤14，去除掩膜层；步骤15，切割并磨抛。本发明灵敏度高，生物特异性强。
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公开(公告)号：CN108572412B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201810428523.4
申请日：2018-05-07
Applicant: 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种高稳定性温度自适应补偿装置，包括底板和温度驱动器，底板包括移动部Ⅰ、移动部Ⅱ和旋转连接轴，移动部Ⅰ和移动部Ⅱ之间设置有间隙，旋转连接轴设置在间隙内并将移动部Ⅰ和移动部Ⅱ连接在一起；在移动部Ⅰ侧端设置有凸耳Ⅰ，在移动部Ⅱ侧端设置有凸耳Ⅱ，凸耳Ⅰ和凸耳Ⅱ相对应，温度驱动器安装在凸耳Ⅰ和凸耳Ⅱ之间，且底板的膨胀系数和温度驱动器的膨胀系数不同。本发明采用了三个或三个以上的旋转轴，实现了其高稳定性，并且旋转轴与底板上其他部分是通过挖空相关区域而直接形成的，是一个统一的整体，不需要其他任何粘接方式，从而进一步提高了其稳定性。并且本发明能自动补偿光波导器件的温度依赖性，大大降低了器件的功耗。
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公开(公告)号：CN108572412A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810428523.4
申请日：2018-05-07
Applicant: 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种高稳定性温度自适应补偿装置，包括底板和温度驱动器，底板包括移动部Ⅰ、移动部Ⅱ和旋转连接轴，移动部Ⅰ和移动部Ⅱ之间设置有间隙，旋转连接轴设置在间隙内并将移动部Ⅰ和移动部Ⅱ连接在一起；在移动部Ⅰ侧端设置有凸耳Ⅰ，在移动部Ⅱ侧端设置有凸耳Ⅱ，凸耳Ⅰ和凸耳Ⅱ相对应，温度驱动器安装在凸耳Ⅰ和凸耳Ⅱ之间，且底板的膨胀系数和温度驱动器的膨胀系数不同。本发明采用了三个或三个以上的旋转轴，实现了其高稳定性，并且旋转轴与底板上其他部分是通过挖空相关区域而直接形成的，是一个统一的整体，不需要其他任何粘接方式，从而进一步提高了其稳定性。并且本发明能自动补偿光波导器件的温度依赖性，大大降低了器件的功耗。
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公开(公告)号：CN106371169A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610909510.X
申请日：2016-10-19
Applicant: 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G02B6/122 , G02B2006/12038 , G02B2006/12197
Abstract: 本发明公开了一种多模波导90°转向阵列芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括衬底、波导和包层，包层将波导包裹在衬底上，所述波导平行设置且波导之间间隔相等，且波导的一侧端面为全反射面。所述波导的条数和波导间距可以根据具体情况做调整。没有引入透镜，光程很短，更利于光集成。直接耦合，减少了Lens array的加入和贴装工序，耦合精度更高，光路整体稳定性更好。波导阵列的加工技术比较成熟，成本低廉。不需要昂贵的透镜设计和开模费用，前期研发投入少。光波导阵列使用的全是石英玻璃材质，不存在高温下的老化问题，高低温条件的可靠性会更好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106876249B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201710099133.2
申请日：2017-02-23
Applicant: 河南仕佳光子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅厚膜的制备方法，步骤如下：S1，选取基片，并采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜，厚度为0.7um～1.8um；S2，对多晶硅薄膜热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，温度由低到高，热氧化时间为78～3个小时，形成二氧化硅膜，二氧化硅膜的厚度为1.49～4.10μm；S3，在二氧化硅膜上生长新的多晶硅薄膜，厚度为0.7um～1.8um；S4，对新的多晶硅薄膜进行热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，热氧化时间为78～3个小时，形成另一层二氧化硅膜，二氧化硅膜的厚度为1.49～4.10um；S5，重复步骤S3和步骤S4，直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。本发明分层制备，二氧化硅厚膜氧化热预算较低，成品率稳定，作为硅基二氧化硅光波导器件下包层的SiO2厚膜可在多种基片上进行制备。
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公开(公告)号：CN107247314B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201710487138.2
申请日：2017-06-23
Applicant: 河南仕佳光子科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种与光波导集成的二氧化硅微透镜的制作方法，步骤如下：S1，确定微透镜的尺寸；S2，制作微透镜掩膜版；S3，制作PLC型光分路器或阵列波导光栅；S4，ICP深刻蚀做出一个凹槽；S5，生长掺锗的SiO2透镜层；S6，微透镜；S7，刻蚀的透镜进行镀膜。本发明将光波导和微透镜的制作融合在一起，直接在制作的光波导的合适位置制作出微透镜，不需要再进行贴装，即使多通道，也不会增加制作成本或者延长生产周期。采用一体刻蚀避免了由于贴装误差造成系统总的耦合效率降低的发生，提高了系统总的耦合效率和产品的成品率。
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公开(公告)号：CN108803711A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810427042.1
申请日：2018-05-07
Applicant: 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC: G05D23/20
CPC classification number: G05D23/20
Abstract: 本发明公开了一种宽温高稳定性温度自适应平坦化补偿装置，包括底板和至少两个温度驱动器，底板包括移动部Ⅰ、移动部Ⅱ和旋转连接轴；在移动部Ⅰ侧端设置有凸耳Ⅰ和凸耳Ⅱ，在移动部Ⅱ侧端设置有凸耳Ⅲ，凸耳Ⅰ、凸耳Ⅱ和凸耳Ⅲ相对应，在凸耳Ⅰ和凸耳Ⅲ之间、凸耳Ⅱ和凸耳Ⅲ之间分别安装有温度驱动器，且温度驱动器之间至少有一个温度驱动器的一端固定、另一端活动，至少有一个温度驱动器的两端固定；底板的膨胀系数和温度驱动器的膨胀系数不同。本发明装置采用二个或二个以上温度驱动器；可以根据环境的变化而自动发生移动，从而补偿PLC光波导器件的温度依赖性，使其温度补偿曲线更为平坦化，并且采用至少三个旋转轴来增加其可靠性及稳定性。
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公开(公告)号：CN107764791B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201710943245.1
申请日：2017-10-11
Applicant: 河南仕佳光子科技股份有限公司
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种基于倏逝波的离子浓度测试芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括衬底、波导和包层，包层将波导包裹在衬底上，且在包层上与波导相对应的位置设置有微槽，微槽的宽度大于波导的宽度，且在微槽的内壁涂覆有待测离子物质荧光识别材料。以及制作方法，步骤1，清洗衬底；步骤2，淀积波导芯层；步骤3，高温退火；步骤4，形成掩膜层；步骤5，涂覆光刻胶；步骤6，刻蚀掩膜层；步骤7，形成波导芯层；步骤8，去除掩膜层；步骤9，淀积上包层；步骤10，上包层形成掩膜层；步骤11，涂覆光刻胶；步骤12，去除光刻胶层；步骤13，形成微槽；步骤14，去除掩膜层；步骤15，切割并磨抛。本发明灵敏度高，生物特异性强。
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公开(公告)号：CN106876249A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710099133.2
申请日：2017-02-23
Applicant: 河南仕佳光子科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02554 , C23C16/44 , H01L21/0262 , H01L21/02664
Abstract: 本发明公开了一种二氧化硅厚膜的制备方法，步骤如下：S1，选取基片，并采用LPCVD工艺在基片上生长一层多晶硅薄膜，厚度为0.7um～1.8um；S2，对多晶硅薄膜热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，温度由低到高，热氧化时间为78～3个小时，形成二氧化硅膜，二氧化硅膜的厚度为1.49～4.10μm；S3，在二氧化硅膜上生长新的多晶硅薄膜，厚度为0.7um～1.8um；S4，对新的多晶硅薄膜进行热氧化处理，热氧化温度为1000℃～1300℃，热氧化时间为78～3个小时，形成另一层二氧化硅膜，二氧化硅膜的厚度为1.49～4.10um；S5，重复步骤S3和步骤S4，直至获得所需要厚度的二氧化硅厚膜。本发明分层制备，二氧化硅厚膜氧化热预算较低，成品率稳定，作为硅基二氧化硅光波导器件下包层的SiO2厚膜可在多种基片上进行制备。
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