离子液体添加剂在电解铜箔中的应用及高抗拉高延伸电解铜箔的制备方法

    公开(公告)号:CN116024618A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202310155372.0

    申请日:2023-02-23

    Abstract: 本发明涉及一种离子液体添加剂在电解铜箔中的应用及高抗拉高延伸电解铜箔的制备方法,所述离子液体添加剂的结构为:其中,R1、R2代表任意烷基基团中的一种;X代表H、‑COOH、‑SO3H、‑PO3H、‑NH2、‑SH、‑CN中的一种;Y代表任意阴离子中的一种。本发明是利用定向合成的离子液体添加剂配制电解液,使其与电解液中的硫酸和硫酸铜产生协同促进作用,该添加剂在直流电沉积工艺条件下能够同步提高铜箔抗拉强度以及延伸率,降低铜箔表面粗糙度和平均晶粒尺寸;本发明采用可替代传统复合添加剂的新型单一离子液体添加剂,在减少添加剂种类以及用量的同时实现了铜箔性能的综合提升。

    一种电解生箔粗化用添加剂在电解生箔粗化中的应用、粗化液和电解铜箔制备方法

    公开(公告)号:CN119372725A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411553189.7

    申请日:2024-11-01

    Abstract: 本发明属于电解铜箔技术领域,具体涉及一种电解生箔粗化用添加剂在电解生箔粗化中的应用、粗化液和电解铜箔制备方法。本发明提供的于电解生箔粗化的电解生箔粗化用添加剂选自1‑羟乙基‑3‑甲基咪唑聚苯乙烯磺酸盐、1‑丁基‑3‑甲基咪唑聚苯乙烯磺酸盐、聚1‑丁基(3‑羟基)‑3‑甲基咪唑氯盐和瓜尔豆胶中的一种或多种。通过引入聚离子液体,能够在铜箔毛面生成大量均匀、细小的纳米级“铜牙”,从而提高了铜箔表面的比表面积,进而保证低轮廓度的同时实现与树脂基板间的高剥离强度,所得到的铜箔具有低表面粗糙度、高剥离强度的性能,能够满足5G通讯下PCB传输频率高、速度快、损耗低的性能需求。

    一种界面相转变制备水稳定全无机铯铅溴钙钛矿纳米带的方法

    公开(公告)号:CN116285978B

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202211563993.4

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明提出的一种界面相转变制备水稳定全无机铯铅溴钙钛矿纳米带的方法是利用N‑甲基吡咯烷酮作为溶剂,油酸、油胺作为表面配体,制得铯的前驱体溶液和含溴化铅的反应溶液;将铯的前驱体溶液和含溴化铅的反应溶液通过热注入法合成了分散在正己烷中的Cs4PbBr6纳米晶体分散溶液,而后在室温条件下通过水引发转化将溶于正己烷中无荧光的Cs4PbBr6纳米晶体在两相界面处经过相转变转化为尺寸较小、有荧光且能在水中稳定分散的CsPbBr3纳米带,而且在非极性溶剂和水的两相存在时,CsPbBr3纳米带随着时间的推移,绿色荧光仍然可以良好的保持,具有较好的水稳定性。

    一种铜离子电沉积形核生长行为的准原位SEM观察方法

    公开(公告)号:CN117434096A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311365731.1

    申请日:2023-10-20

    Abstract: 本发明公开了一种铜离子电沉积形核生长行为的准原位SEM观察方法,属于铜离子电沉积形核生长形貌观察表征领域。该方法先进行钛阴极试样的制备及表面处理,然后在钛阴极试样的待沉积面上加工特征标记,之后准原位观察不同累积沉积时间下铜沉积层的表面形貌。由于现有的SEM设备不能进行电沉积实验,因而限制了采用原位SEM技术研究铜离子电沉积铜箔过程的形核生长行为的研究。该方法能够追踪不同沉积时间下钛阴极表面相同位置处的铜沉积层微观形貌,并分析钛阴极晶粒度对铜离子电沉积形核生长行为的影响,为电解铜箔生产用钛阴极的晶粒度调控奠定理论和技术指导,且过程简单可控,对制样技术要求低,实验成功率高。

    一种用于反转铜箔表面粗化的粗化液和反转铜箔制备方法

    公开(公告)号:CN119372726A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411553190.X

    申请日:2024-11-01

    Abstract: 本发明属于电解铜箔技术领域,具体涉及一种用于反转铜箔表面粗化的粗化液和反转铜箔制备方法。本发明提供的用于反转铜箔表面粗化的粗化液由电解母液和添加剂组成,电解母液包括CuSO4和H2SO4,添加剂包括咪唑类离子液体,所述咪唑类离子液体选自氯化1‑羟乙基‑3‑甲基咪唑、溴化1‑(4‑巯基丁基)‑3‑甲基咪唑、1‑丁基‑3‑甲基咪唑硫酸氢盐中的一种或多种,粗化液中添加剂的质量浓度为10~90mg/L。通过选用特定类型的咪唑类离子液体添加剂及其组合物,通过络合吸附作用在电解铜箔光面形成阻挡层,促进铜箔表面微小的纳米级“针状多面体”粗化形貌的形成,保证较高抗剥离强度的情况下同时实现了铜箔表面的低粗糙度。

    一种用于电解铜箔制备的复合添加剂、电解液和电解铜箔的制备方法

    公开(公告)号:CN119372724A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411553185.9

    申请日:2024-11-01

    Abstract: 本发明属于电解铜箔技术领域,具体涉及一种用于电解铜箔制备的复合添加剂、电解液和电解铜箔的制备方法。本发明的用于电解铜箔制备的复合添加剂选自1‑己基‑3‑甲基咪唑氯盐、1‑羟乙基‑3‑甲基咪唑氯盐、1‑丁基‑3‑甲基咪唑四氟硼酸盐、1‑丙基‑3‑甲基咪唑溴盐中的两种以上。通过将两种以上功能化离子液体进行复合,使得功能化离子液体中的不同官能团能够协同作用,使其具备特定的功能,在阴极附近参与Cu2+的还原过程中,促进铜晶粒的均匀沉积,能够制备出超低轮廓电解铜箔,降低铜箔表面粗糙度。

    一种界面相转变制备水稳定全无机铯铅溴钙钛矿纳米带的方法

    公开(公告)号:CN116285978A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211563993.4

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明提出的一种界面相转变制备水稳定全无机铯铅溴钙钛矿纳米带的方法是利用N‑甲基吡咯烷酮作为溶剂,油酸、油胺作为表面配体,制得铯的前驱体溶液和含溴化铅的反应溶液;将铯的前驱体溶液和含溴化铅的反应溶液通过热注入法合成了分散在正己烷中的Cs4PbBr6纳米晶体分散溶液,而后在室温条件下通过水引发转化将溶于正己烷中无荧光的Cs4PbBr6纳米晶体在两相界面处经过相转变转化为尺寸较小、有荧光且能在水中稳定分散的CsPbBr3纳米带,而且在非极性溶剂和水的两相存在时,CsPbBr3纳米带随着时间的推移,绿色荧光仍然可以良好的保持,具有较好的水稳定性。

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