公开(公告)号：CN207217502U

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201720918484.7

申请日：2017-07-26

Applicant: 济南市半导体元件实验所

Inventor： 张宝财 ,  王迎春 ,  周晓军 ,  史伟伟 ,  赵杰 ,  赵晶

IPC: H01L23/08 ,  H01L23/047 ,  H01L23/10 ,  H01B17/58

Abstract: 本实用新型提供了一种耐高压的金属陶瓷封装外壳，包括金属底板、金属框、金属盖板、若干块铜钼铜片、若干个陶瓷绝缘子以及若干根引线；本申请将陶瓷绝缘子的尺寸在允许的情况下尽可能地做大，来扩大金属之间的绝缘距离；本申请中将导电图形居中靠拢，在导电图形的周边空出较大的边缘距离，以免金属陶瓷封装外壳与导电图形之间发生空气击穿；本申请采用平行缝焊工艺将金属盖板与金属框密封焊接，保证了金属陶瓷封装外壳的气密性；经过实验验证，本申请提供的耐高压的金属陶瓷封装外壳可以在1200V的电压下正常工作，其外壳对地的绝缘耐压为3500V/DC。

公开(公告)号：CN207097816U

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201720918375.5

申请日：2017-07-26

Applicant: 济南市半导体元件实验所

Inventor： 王迎春 ,  赵晶 ,  高超 ,  徐姝丽 ,  黄吉明 ,  史伟伟

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/043 ,  H01L23/06 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L23/31 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本实用新型提供了一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥，选用金属陶瓷外壳以适用于大功率高功耗的电路，选用高导热的无氧铜材料作为金属底板，内部选用高热导率的氮化铝陶瓷片作为电路载体，采用高温合金钎料焊接芯片，电连接采用高纯铝丝超声键合，电路内部采用高绝缘电阻灌封胶灌封，采用平行缝焊工艺保证了电路的气密性；经过实验验证，本申请提供的高压大功率碳化硅肖特基整流桥可以在1200V的电压下正常工作，其外壳对地的绝缘耐压为3500V/DC。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利