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公开(公告)号：CN105428258B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510940893.2
申请日：2015-12-16
Applicant: 济南市半导体元件实验所
Abstract: 本发明公开了一种控制半导体腔内可动多余物的封装工艺，所述封装工艺包括清洗管座和管帽、选择缓冲剂、缓冲剂制备、涂缓冲剂和密封5个步骤，本发明利用利用高真空微孔密封剂的粘性，在管帽和管座的密封筋处涂缓冲剂，将管座和管帽焊接在一起时产生的可动多余物随密封筋的熔化固定在熔焊处，有效控制半导体腔内的可动多余物，提高半导体的可靠性，器件的气密性和内部气氛也不受影响。
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公开(公告)号：CN107452723B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201710617980.3
申请日：2017-07-26
Applicant: 济南市半导体元件实验所
IPC: H01L25/07 , H01L23/043 , H01L23/06 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/31 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法，选用金属陶瓷外壳以适用于大功率高功耗的电路，选用高导热的无氧铜材料作为金属底板，内部选用高热导率的氮化铝陶瓷片作为电路载体，采用高温合金钎料焊接芯片，电连接采用高纯铝丝超声键合，电路内部采用高绝缘电阻灌封胶灌封，采用平行缝焊工艺保证了电路的气密性；经过实验验证，本申请提供的高压大功率碳化硅肖特基整流桥可以在1200V的电压下正常工作，其外壳对地的绝缘耐压为3500V/DC。
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公开(公告)号：CN107452723A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710617980.3
申请日：2017-07-26
Applicant: 济南市半导体元件实验所
IPC: H01L25/07 , H01L23/043 , H01L23/06 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/31 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L25/072 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/043 , H01L23/06 , H01L23/3107 , H01L23/488 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/485 , H01L2224/85205
Abstract: 本发明提供了一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法，选用金属陶瓷外壳以适用于大功率高功耗的电路，选用高导热的无氧铜材料作为金属底板，内部选用高热导率的氮化铝陶瓷片作为电路载体，采用高温合金钎料焊接芯片，电连接采用高纯铝丝超声键合，电路内部采用高绝缘电阻灌封胶灌封，采用平行缝焊工艺保证了电路的气密性；经过实验验证，本申请提供的高压大功率碳化硅肖特基整流桥可以在1200V的电压下正常工作，其外壳对地的绝缘耐压为3500V/DC。
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公开(公告)号：CN207097816U
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201720918375.5
申请日：2017-07-26
Applicant: 济南市半导体元件实验所
IPC: H01L25/07 , H01L23/043 , H01L23/06 , H01L23/488 , H01L23/49 , H01L23/31 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型提供了一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥，选用金属陶瓷外壳以适用于大功率高功耗的电路，选用高导热的无氧铜材料作为金属底板，内部选用高热导率的氮化铝陶瓷片作为电路载体，采用高温合金钎料焊接芯片，电连接采用高纯铝丝超声键合，电路内部采用高绝缘电阻灌封胶灌封，采用平行缝焊工艺保证了电路的气密性；经过实验验证，本申请提供的高压大功率碳化硅肖特基整流桥可以在1200V的电压下正常工作，其外壳对地的绝缘耐压为3500V/DC。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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