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公开(公告)号：CN118118104A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410393242.5
申请日：2024-04-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请提供基于误差网络的Thru结构小信号去嵌方法、装置、终端及介质，获取所述Thru结构的散射参数，构建用于检测校准平面与去嵌平面之间误差的Thru误差网络，将所述散射参数输入至Thru误差网络中，以计算得到检测校准平面与去嵌平面之间误差。本申请实现了小信号参数的高精度去嵌，同时提高了测试数据的稳定性，具有高准确度、计算量小、稳定性佳等优势。通过使用较少的去嵌结构获得了更优的去嵌结果，有效降低了工艺流片成本。
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公开(公告)号：CN118152783A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410557836.5
申请日：2024-05-08
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F18/213
Abstract: 本发明提供一种Switch HEMT小信号模型、参数提取方法及存储介质，其中模型包括本征单元和寄生单元，所述本征单元包括漏源本征电阻Rds、漏源本征电容Cds和第一连接结构，所述漏源本征电阻Rds、漏源本征电容Cds和第一连接结构三者并联；所述第一连接结构包括串联连接的栅源本征电容Cgs和栅漏Cgd本征电容。基于本发明的Switch HEMT小信号模型可以提高Switch HEMT器件的小信号模型提取精度和提取效率。
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公开(公告)号：CN116613145A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310578403.3
申请日：2023-05-22
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种栅凹槽刻蚀缺陷密度的测量方法，包括：制备样品步骤，于基底上沉积GaN层和AlGaN层，刻蚀AlGaN层以形成栅凹槽，于栅凹槽中沉积金属形成第一电极，于AlGaN层的外侧沉积金属形成第二电极，第一电极、第二电极和AlGaN层构成环形电容；测量计算步骤，在10KHz～1MHz频率范围，测试环形电容的电容‑电压曲线，采用电容‑电压法获取栅凹槽的缺陷密度；在高于1MHz和低于1010KHz频率范围，测量环形电容的平行电导，采用等效电导法获取栅凹槽的缺陷密度。本发明采用电容‑电压法和等效电导法能够对不同时间常数的缺陷进行定量评估，利于优化栅刻蚀工艺、能够对损伤进行修复评估以提升器件可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112993033B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110181529.8
申请日：2021-02-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种GaN器件结构及其制备方法，制备包括：提供衬底；制备外延结构、辅助功能部以及器件电极，所述辅助功能结构包括若干个叠置的且为p型掺杂层的辅助单元层，辅助掺杂层的掺杂浓度自下层至上层逐渐增加。通过引入多层p型掺杂且浓度渐变的辅助功能部，辅助功能部同时作为器件的帽层结构，可以使得当栅极电压不断增加时，空穴开始注入沟道并产生相等数量的电子，从而增加2DEG。具有高迁移率的电子将在电场的作用下到达漏极，而空穴将保留，因为它们的迁移率远低于电子，从而电流通过注入的空穴数量进行调制，可以在跨导曲线中显示一个双峰，有效改善器件的线性度。
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公开(公告)号：CN113053748A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110269228.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种GaN器件及制备方法，GaN器件中包括衬底、第一势垒层、第二势垒层、单层石墨烯薄膜、SiN钝化层及电极，其中，单层石墨烯薄膜位于漏极下方，且单层石墨烯薄膜的长度Lg与漏极的长度LD及栅漏间距LG‑D的关系为LD
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公开(公告)号：CN112993033A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110181529.8
申请日：2021-02-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种GaN器件结构及其制备方法，制备包括：提供衬底；制备外延结构、辅助功能部以及器件电极，所述辅助功能结构包括若干个叠置的且为p型掺杂层的辅助单元层，辅助掺杂层的掺杂浓度自下层至上层逐渐增加。通过引入多层p型掺杂且浓度渐变的辅助功能部，辅助功能部同时作为器件的帽层结构，可以使得当栅极电压不断增加时，空穴开始注入沟道并产生相等数量的电子，从而增加2DEG。具有高迁移率的电子将在电场的作用下到达漏极，而空穴将保留，因为它们的迁移率远低于电子，从而电流通过注入的空穴数量进行调制，可以在跨导曲线中显示一个双峰，有效改善器件的线性度。
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公开(公告)号：CN118152783B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410557836.5
申请日：2024-05-08
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F18/213
Abstract: 本发明提供一种Switch HEMT小信号模型、参数提取方法及存储介质，其中模型包括本征单元和寄生单元，所述本征单元包括漏源本征电阻Rds、漏源本征电容Cds和第一连接结构，所述漏源本征电阻Rds、漏源本征电容Cds和第一连接结构三者并联；所述第一连接结构包括串联连接的栅源本征电容Cgs和栅漏Cgd本征电容。基于本发明的Switch HEMT小信号模型可以提高Switch HEMT器件的小信号模型提取精度和提取效率。
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公开(公告)号：CN113053748B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202110269228.0
申请日：2021-03-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种GaN器件及制备方法，GaN器件中包括衬底、第一势垒层、第二势垒层、单层石墨烯薄膜、SiN钝化层及电极，其中，单层石墨烯薄膜位于漏极下方，且单层石墨烯薄膜的长度Lg与漏极的长度LD及栅漏间距LG‑D的关系为LD
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