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公开(公告)号：CN117650193A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311619088.0
申请日：2023-11-30
Applicant: 浙江理工大学 , 浙江理工大学龙港研究院有限公司
IPC: H01L31/108 , G02F3/00 , H01L31/18 , H01L31/0336
Abstract: 本发明涉及一种布尔逻辑门系统，具体是指一种基于光电化学型芯片的可调谐的布尔逻辑门系统及其制作方法，本发明先通过退火法在纯净钛(Ti)箔上生长二氧化钛(TiO2)薄膜，构造出Ti/TiO2结构，再将机械打磨之后的Ti箔为电极，将材料放入石英电解槽中，构建一个基于Ti/TiO2结构的光电化学型芯片，并以此芯片构造布尔逻辑门系统。本发明的优点是：所制备的Ti/TiO2结构电化学芯片性能稳定，工作波段为225nm‑410nm的紫外光谱波段，可零功耗工作，且灵敏度与响应度高，可应用于紫外加密通信、光电逻辑门等领域，具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN117650189A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311619007.7
申请日：2023-11-30
Applicant: 浙江理工大学 , 浙江理工大学龙港研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种深紫外光电探测器系统，具体是指一种基于Ti3C2Tx/α‑Ga2O3的自供电深紫外光电驱动逻辑门及制作方法，本发明先通过离心分离和抽滤等方法制备Ti3C2Tx水溶液，后通过水热法生产α‑Ga2O3多孔海绵状纳米柱阵列，探究了不同的Ti3C2Tx修饰程度的α‑Ga2O3纳米柱阵列的光电特性，并且利用其变化制备了器件，所制备的深紫外光电探测器性能稳定，对日盲区波段(UV‑C)的光谱具有响应，属于日盲光电器件。本发明的优点是器件可控、可调节，并且能够进一步集成组合为如半加器、全加器、四输入亦或门这样的组合逻辑电路器件。
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公开(公告)号：CN117650316A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311618714.4
申请日：2023-11-30
Applicant: 浙江理工大学 , 浙江理工大学龙港研究院有限公司 , 松山湖材料实验室
Abstract: 本发明涉及逻辑门系统，具体是指一种基于αβ‑Ga2O3纳米柱的自供电可调谐布尔逻辑门系统及其制作方法，本发明先通过水热法在纯净FTO玻璃上生长羟基氧化镓(GaOOH)，再经过多次退火得到α/β氧化镓(Ga2O3)纳米柱阵列，之后以FTO玻璃为电极，将材料放入石英电解槽中，构建一个基于α/β‑Ga2O3纳米柱阵列结构的光电化学型芯片，并以此芯片构造布尔逻辑门系统。本发明的优点是：所制备的α/β‑Ga2O3纳米柱阵列结构光电化学芯片性能稳定，工作波段为225nm‑265nm的日盲紫外光谱波段，可零功耗工作，且灵敏度与响应度高，可应用于日盲紫外加密通信、日盲紫外探测、光电逻辑门等领域，具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN117637893A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311617858.8
申请日：2023-11-30
Applicant: 浙江理工大学 , 松山湖材料实验室 , 浙江理工大学龙港研究院有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性氧化镓光电人工突触器件及其制备方法，具体是指以柔性聚酰亚胺薄膜(Pi)为衬底，激光诱导制备石墨烯电极(LIG电极)作为光电人工突触的电极部分，射频磁控溅射非晶Ga2O3薄膜作为器件的功能层，最后通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备用氩(Ar)等离子体轰击器件表面。本发明制备的光电人工突触器件具有可塑性高、响应速度快、功耗低、耐辐照、柔性可弯折、日盲等优点，且适合用于高温高压、高辐照等环境。
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公开(公告)号：CN114744060A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210391280.8
申请日：2022-04-14
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种电网电晕监测器及其制备方法，包括FTO衬底，所述FTO衬底的至少一侧具有氟掺杂氧化锡层，所述氟掺杂氧化锡层上生长有GaOOH纳米柱阵列，所述GaOOH纳米柱阵列经退火后形成α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列，所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列上设置有Ti3C2/Ag纳米线复合层，所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上设置有Ag电极，所述Ti3C2/Ag纳米线复合层上的Ti3C2层与所述α/β‑Ga2O3相结纳米柱阵列之间形成Ti3C2/α/β‑Ga2O3纳米柱阵列范德瓦尔斯异质结，具有三维空间异质结界面结构和日盲特性，具有优异的化学和热稳定性，耐压强，工作温度和功耗低，重复性良好，是一个具有超高响应度的自供电电网电晕监测器，可定向识别波长位于日盲波段的200‑280nm的紫外光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114675141A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210222085.2
申请日：2022-03-09
Applicant: 浙江理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于物联网的高压电网电晕监测方法及系统，包括若干底层传感器、上层后端数据库、互联网服务器、上层后端业务逻辑、上层前端移动终端、上层前端电脑终端、上层前端警报装置，所述底层传感器即节点探测仪，由电晕传感模块、无线传输模块、节点主控模块、太阳能供电模块、定位模块组成，所述上层后端数据库的输入端与所述无线传输模块的输出端连接，所述上层前端移动终端的输入端与所述上层后端数据库的输出端连接，基于物联网的高压电网电晕监测系统具有全天候、远程监测、故障定位等特性。
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公开(公告)号：CN111613691B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202010299593.1
申请日：2020-04-16
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结的柔性紫外探测器及制备方法，所述探测器包括依次设置的柔性铜片衬底，所述柔性铜片衬底的至少一侧具有氧化铜层，位于所述铜片衬底一侧的氧化铜层上设置β‑Ga2O3纳米柱阵列，位于所述β‑Ga2O3纳米柱阵列上的石墨烯/Ag纳米线复合层，位于所述石墨烯/Ag纳米线复合层上的Ag电极，所述氧化铜与所述β‑Ga2O3纳米柱阵列之间形成氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结，所述柔性铜片衬底作为铜电极与所述Ag电极形成通路。本发明的紫外探测器，具有三维空间异质结界面结构和日盲特性，具有优异的化学和热稳定性，柔性可弯曲，耐压强，工作温度和功耗低，重复性良好，可定向识别波长位于日盲波段的200‑280nm的紫外光。
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公开(公告)号：CN111613691A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010299593.1
申请日：2020-04-16
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种基于氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结的柔性紫外探测器及制备方法，所述探测器包括依次设置的柔性铜片衬底，所述柔性铜片衬底的至少一侧具有氧化铜层，位于所述铜片衬底一侧的氧化铜层上设置β-Ga2O3纳米柱阵列，位于所述β-Ga2O3纳米柱阵列上的石墨烯/Ag纳米线复合层，位于所述石墨烯/Ag纳米线复合层上的Ag电极，所述氧化铜与所述β-Ga2O3纳米柱阵列之间形成氧化铜/氧化镓纳米柱阵列pn结，所述柔性铜片衬底作为铜电极与所述Ag电极形成通路。本发明的紫外探测器，具有三维空间异质结界面结构和日盲特性，具有优异的化学和热稳定性，柔性可弯曲，耐压强，工作温度和功耗低，重复性良好，可定向识别波长位于日盲波段的200-280nm的紫外光。
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公开(公告)号：CN106409963B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201610837110.2
申请日：2016-09-21
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0264
Abstract: 本发明公开了一种Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指以c面蓝宝石单晶为衬底，采用磁控溅射生长沿着晶面择优生长的Zn掺杂β‑Ga2O3薄膜(Zn:Ga2O3)作为光吸收层，并在其上溅射Au/Ti叉指电极作为光生载流子的收集电极，制备获得的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器。本发明通过Zn掺杂提高了Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器的光响应速度，采用在Ga2O3靶材起辉圈周围放置特定数量的Zn颗粒生长特定浓度Zn:Ga2O3薄膜，方法简单。本发明采用商业化的制备方法磁控溅射生长薄膜，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、可大面积制备、重复性好。该发明制备的Zn:Ga2O3薄膜基MSM结构日盲紫外光电探测器在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN107841785A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711020720.4
申请日：2017-10-27
Applicant: 浙江理工大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓相结纳米柱阵列及其制备方法，包括衬底，位于衬底上的Ga2O3籽晶层，位于Ga2O3籽晶层背离衬底层方向的有序的Ga2O3相结纳米柱阵列，所述Ga2O3纳米柱阵列由α-Ga2O3和β-Ga2O3构成相异质结构成。本发明通过在衬底上覆盖一层氧化镓籽晶层，利用水热法在籽晶层上生长GaOOH纳米柱阵列，并进行400℃脱水形成α-Ga2O3纳米柱阵列，通过高温快速退火处理的方式在α-Ga2O3纳米柱的周围形成一层β-Ga2O3，获得α-Ga2O3/β-Ga2O3相结纳米柱阵列。本发明的制备方法操作简单、成本低、重复性好，纳米柱阵列分布均匀、直径和长度可控；通过构建α/β-Ga2O3相结，在界面处形成第二类型的能带排列，能使载流子(电子空穴对)快速、有效的分离，同时纳米柱阵列具有高比表面积的优势，可应用于深紫外光电器件。
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