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公开(公告)号：CN117637893A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311617858.8
申请日：2023-11-30
Applicant: 浙江理工大学 , 松山湖材料实验室 , 浙江理工大学龙港研究院有限公司
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性氧化镓光电人工突触器件及其制备方法，具体是指以柔性聚酰亚胺薄膜(Pi)为衬底，激光诱导制备石墨烯电极(LIG电极)作为光电人工突触的电极部分，射频磁控溅射非晶Ga2O3薄膜作为器件的功能层，最后通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备用氩(Ar)等离子体轰击器件表面。本发明制备的光电人工突触器件具有可塑性高、响应速度快、功耗低、耐辐照、柔性可弯折、日盲等优点，且适合用于高温高压、高辐照等环境。
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公开(公告)号：CN117650193A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311619088.0
申请日：2023-11-30
Applicant: 浙江理工大学 , 浙江理工大学龙港研究院有限公司
IPC: H01L31/108 , G02F3/00 , H01L31/18 , H01L31/0336
Abstract: 本发明涉及一种布尔逻辑门系统，具体是指一种基于光电化学型芯片的可调谐的布尔逻辑门系统及其制作方法，本发明先通过退火法在纯净钛(Ti)箔上生长二氧化钛(TiO2)薄膜，构造出Ti/TiO2结构，再将机械打磨之后的Ti箔为电极，将材料放入石英电解槽中，构建一个基于Ti/TiO2结构的光电化学型芯片，并以此芯片构造布尔逻辑门系统。本发明的优点是：所制备的Ti/TiO2结构电化学芯片性能稳定，工作波段为225nm‑410nm的紫外光谱波段，可零功耗工作，且灵敏度与响应度高，可应用于紫外加密通信、光电逻辑门等领域，具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN117650189A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311619007.7
申请日：2023-11-30
Applicant: 浙江理工大学 , 浙江理工大学龙港研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种深紫外光电探测器系统，具体是指一种基于Ti3C2Tx/α‑Ga2O3的自供电深紫外光电驱动逻辑门及制作方法，本发明先通过离心分离和抽滤等方法制备Ti3C2Tx水溶液，后通过水热法生产α‑Ga2O3多孔海绵状纳米柱阵列，探究了不同的Ti3C2Tx修饰程度的α‑Ga2O3纳米柱阵列的光电特性，并且利用其变化制备了器件，所制备的深紫外光电探测器性能稳定，对日盲区波段(UV‑C)的光谱具有响应，属于日盲光电器件。本发明的优点是器件可控、可调节，并且能够进一步集成组合为如半加器、全加器、四输入亦或门这样的组合逻辑电路器件。
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公开(公告)号：CN117650316A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311618714.4
申请日：2023-11-30
Applicant: 浙江理工大学 , 浙江理工大学龙港研究院有限公司 , 松山湖材料实验室
Abstract: 本发明涉及逻辑门系统，具体是指一种基于αβ‑Ga2O3纳米柱的自供电可调谐布尔逻辑门系统及其制作方法，本发明先通过水热法在纯净FTO玻璃上生长羟基氧化镓(GaOOH)，再经过多次退火得到α/β氧化镓(Ga2O3)纳米柱阵列，之后以FTO玻璃为电极，将材料放入石英电解槽中，构建一个基于α/β‑Ga2O3纳米柱阵列结构的光电化学型芯片，并以此芯片构造布尔逻辑门系统。本发明的优点是：所制备的α/β‑Ga2O3纳米柱阵列结构光电化学芯片性能稳定，工作波段为225nm‑265nm的日盲紫外光谱波段，可零功耗工作，且灵敏度与响应度高，可应用于日盲紫外加密通信、日盲紫外探测、光电逻辑门等领域，具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN114709281B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202210349931.7
申请日：2022-04-02
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化镓异质结构的日盲紫外探测器及制备方法，所述探测器依次包括蓝宝石衬底，置于蓝宝石衬底上方的β‑Ga2O3光吸收层，置于β‑Ga2O3光吸收层上方的SSO层，置于SSO层上方的第一测试电极以及置于β‑Ga2O3光吸收层上方的第二测试电极；其中于β‑Ga2O3光吸收层与SSO层，形成β‑Ga2O3/SSO异质结，构成内界电场，以分离光生载流子。所制备的氧化镓基紫外探测器性能稳定，灵敏度高，响应速度快，具有自供电性能可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测，在高压电晕检测领域具有很大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116014009A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211381075.X
申请日：2022-11-06
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/08
Abstract: 本发明涉及一种Ga2O3基柔性日盲光电探测器及其制备方法，探测器包括柔性衬底、β‑Ga2O3纳米线阵列、Ag金属薄膜电极、Ga金属电极以及引线，其中，β‑Ga2O3纳米线阵列位于衬底上，Ag金属薄膜电极位于β‑Ga2O3纳米线阵列背离柔性衬底一侧，Ga金属电极与β‑Ga2O3纳米线阵列接触，引线连接与Ag金属薄膜电极和Ga金属电极之间，其中柔性衬底包括柔性玻璃纤维织物。本发明的Ga2O3基柔性日盲光电探测器稳定性高、具有零功耗、高响应度以及日盲特性，可应用于野外作业人员巡检、紫外破雾导航、臭氧层空洞监测、森林防火紫外监测等方面。
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公开(公告)号：CN115911171A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310019051.8
申请日：2023-01-06
Applicant: 浙江理工大学常山研究院有限公司
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器及其制备方法，所述探测器依次包括石英衬底，位于石英衬底上方的GaON薄膜，并对其进行原位等离子体处理；位于GaON薄膜上方的CuCrO2层；位于GaON薄膜上方的第一测试电极以及位于CuCrO2层的上方的第二测试电极；其中GaON薄膜与CuCrO2层，形成CuCrO2/GaON异质结，构成内界电场，以分离光生载流子。所制备的CuCrO2/GaON异质结构的日盲紫外探测器性能稳定，灵敏度高，响应速度快，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测。
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公开(公告)号：CN112062163B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010985134.9
申请日：2020-09-18
Applicant: 浙江理工大学
Abstract: 本发明涉及一种Fe3O4@MoxSn1‑xS2@SnO2双功能磁性复合结构及其制备方法，包括以下步骤：a.将乙酸铁和乙酸钠溶于去离子水中，搅拌，形成混合溶液A；b.将混合溶液A中加入一定量的尿素和聚乙二醇，搅拌一定时间，形成混合溶液B；c.将所述混合溶液B加入到反应釜中，一定温度下反应数小时，即得到球状Fe3O4；d.将钼酸钠、四氯化锡和硫代乙酰胺溶于乙醇和醋酸溶液中，再加入球状Fe3O4，形成混合溶液C；e.将配置好的混合溶液C加入到反应釜中，一定温度下反应数小时，即得到Fe3O4@MoxSn1‑xS2球形花状结构；f.将得到的Fe3O4@MoxSn1‑xS2球形花状结构置于马弗炉中一定温度下退火数分钟，得到Fe3O4@MoxSn1‑xS2@SnO2双功能磁性复合结构。该方法步骤少，制备的颗粒均匀、比表面积大，具有优异的催化、气敏和电化学等性能。
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公开(公告)号：CN114975682A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210506920.5
申请日：2022-05-10
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种基于Ga2O3日盲芯片的电晕监测系统的制备方法，包括如下步骤：取一片(0001)面α‑Al2O3衬底，将所述α‑Al2O3衬底依次浸泡到丙酮、乙醇、去离子水中各超声10分钟，取出后再用去离子水冲洗，最后用干燥的N2气吹干，待用；将步骤一中用干燥的N2气吹干的所述α‑Al2O3衬底转移到样品托上，并用压片压住所述α‑Al2O3衬底的四个角，使其能与样品托紧紧贴牢，以99.99％纯度的Ga2O3陶瓷为靶材，使用激光分子束外延法生长晶粒尺寸为150nm、厚度为200nm的β‑Ga2O3薄膜；将步骤二中的所述使用激光分子束外延法生长生长晶粒尺寸为150nm、厚度为200nm的β‑Ga2O3薄膜用镂空的叉指电极掩膜板遮挡，采用磁控溅射方法先后溅射金属Ti层和Au层获得Au/Ti叉指电极，具有响应速度快等优点。
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公开(公告)号：CN114551608A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210221893.7
申请日：2022-03-09
Applicant: 浙江理工大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种等离子处理氧化镓基日盲紫外探测器及其制备方法包括衬底、氧化镓薄膜、等离子处理界面层和电极；所述衬底为蓝宝石，所述等离子体处理界面层是采用等离子体对所述氧化镓薄膜进行表面处理后形成，所述等离子体处理界面层上设置有金属的电极，通过等离子体进行薄膜的表面处理，有效降低氧化镓薄膜中的空位缺陷，提高了界面质量，极大地提高紫外探测器的光电性能。本发明的优点：所制备的氧化镓基紫外探测器性能稳定，可实现对波长小于280nm的日盲紫外光的有效探测，具有高灵敏度和响应速度，暗电流小等诸多优势，特别合适在高压变电系统、高压输电线路等各种恶劣环境下的电晕检测应用。
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