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公开(公告)号：CN107924807B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201680050641.5
申请日：2016-08-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种微通道板(10)，其具备：基体(11)，其具有输入面(11a)及输出面(11b)；多个通道(12)，其从基体的输入面贯通至输出面；电子发射膜(14)，其设置于通道的内壁面(12a)；保护膜(15)，其设置于电子发射膜上；输入电极(16)及输出电极(17)，其分别设置于基体的输入面上及输出面上。电子发射膜由Al2O3形成。保护膜由SiO2形成。电子发射膜的厚度比保护膜的厚度厚。
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公开(公告)号：CN103887126A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410085728.9
申请日：2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号：CN101111923B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580047243.X
申请日：2005-07-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电子倍增器单元等，其通过响应一次电子的入射而多级连续发射二次电子来实现电子的级联倍增。电子倍增器单元具有配置有让一次电子进入的入口孔的第一支撑构件和定位成面向第一支撑构件的第二支撑构件。该第一和第二支撑构件固定用于级联倍增的电子倍增部分和阳极。电子倍增部分包括：至少一个盒型的第一倍增器电极，和具有定位成面向第一倍增器电极并且配置成接收来自第一倍增器电极的二次电子并发射二次电子至第一倍增器电极所在一侧的反射型二次电子发射表面的第二倍增器电极。阳极位于从第一倍增器电极发射的二次电子不能直接到达的位置，且第二倍增器电极改变二次电子的行进路径，使其被保持在第一和第二支撑构件之间的空间内。
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公开(公告)号：CN101111923A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200580047243.X
申请日：2005-07-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种电子倍增器单元等，其通过响应一次电子的入射而多级连续发射二次电子来实现电子的级联倍增。电子倍增器单元具有配置有让一次电子进入的入口孔的第一支撑构件和定位成面向第一支撑构件的第二支撑构件。该第一和第二支撑构件固定用于级联倍增的电子倍增部分和阳极。电子倍增部分包括：至少一个盒型的第一倍增器电极，和具有定位成面向第一倍增器电极并且配置成接收来自第一倍增器电极的二次电子并发射二次电子至第一倍增器电极所在一侧的反射型二次电子发射表面的第二倍增器电极。阳极位于从第一倍增器电极发射的二次电子不能直接到达的位置，且第二倍增器电极改变二次电子的行进路径，使其被保持在第一和第二支撑构件之间的空间内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105788997B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610216950.7
申请日：2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号：CN105684122A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480058539.0
申请日：2014-08-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 透过型光电阴极(2)包括：光透过性基板(4)，其具有光入射的外侧面(4a)和出射从外侧面(4a)侧入射的光的内侧面(4b)；设置在光透过性基板(4)的内侧面(4b)侧、将从内侧面(4b)出射的光转换为光电子的光电转换层(5)；和设置在光透过性基板(4)和光电转换层(5)之间的由石墨烯构成的光透过性导电层(6)。
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公开(公告)号：CN104603907A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380046343.5
申请日：2013-07-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/86 , C23C16/45525 , H01J5/08 , H01J5/10 , H01J29/88 , H01J31/50 , H01J40/18
Abstract: 在本发明所涉及的电子管(1)中，具有电绝缘层以及导电层的层叠结构或者电绝缘材料以及导电材料的混合结构的电子膜(31)是以通过使用原子层沉积法从而覆盖第2外壳层12的内壁面以及外壁面的整体形式被形成的。通过使用原子层沉积法从而无须含有如粘合剂那样的材料就能够将具有所希望的电阻值的牢固而且致密的电阻膜(31)形成于绝缘面上。然后，通过使电阻膜(31)具有一点点导电性从而就能够抑制发生由于绝缘面的带电等引起的耐压不良，并且能够实现耐电压特性的稳定化。
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公开(公告)号：CN107924807A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680050641.5
申请日：2016-08-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 一种微通道板(10)，其具备：基体(11)，其具有输入面(11a)及输出面(11b)；多个通道(12)，其从基体的输入面贯通至输出面；电子发射膜(14)，其设置于通道的内壁面(12a)；保护膜(15)，其设置于电子发射膜上；输入电极(16)及输出电极(17)，其分别设置于基体的输入面上及输出面上。电子发射膜由Al2O3形成。保护膜由SiO2形成。电子发射膜的厚度比保护膜的厚度厚。
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公开(公告)号：CN105788997A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610216950.7
申请日：2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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