公开(公告)号：CN103887126A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410085728.9

申请日：2008-11-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 松井利和 ,  浜名康全 ,  中村公嗣 ,  石上喜浩 ,  小栗大二郎

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J31/26

CPC classification number: H01J40/06 ,  H01J1/34 ,  H01J31/26

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。

公开(公告)号：CN105788997B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201610216950.7

申请日：2008-11-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 松井利和 ,  浜名康全 ,  中村公嗣 ,  石上喜浩 ,  小栗大二郎

IPC: H01J1/34 ,  H01J31/26 ,  H01J40/06

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。

公开(公告)号：CN105788997A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610216950.7

申请日：2008-11-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 松井利和 ,  浜名康全 ,  中村公嗣 ,  石上喜浩 ,  小栗大二郎

IPC: H01J1/34 ,  H01J31/26 ,  H01J40/06

CPC classification number: H01J40/06 ,  H01J1/34 ,  H01J31/26

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。

公开(公告)号：CN102067264A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880129779.X

申请日：2008-11-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 松井利和 ,  浜名康全 ,  中村公嗣 ,  石上喜浩 ,  小栗大二郎

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06

CPC classification number: H01J40/06 ,  H01J1/34 ,  H01J31/26

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。

公开(公告)号：CN103887126B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201410085728.9

申请日：2008-11-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 松井利和 ,  浜名康全 ,  中村公嗣 ,  石上喜浩 ,  小栗大二郎

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J31/26

CPC classification number: H01J40/06 ,  H01J1/34 ,  H01J31/26

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。

公开(公告)号：CN102067264B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN200880129779.X

申请日：2008-11-07

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 松井利和 ,  浜名康全 ,  中村公嗣 ,  石上喜浩 ,  小栗大二郎

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06

CPC classification number: H01J40/06 ,  H01J1/34 ,  H01J31/26

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。