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公开(公告)号：CN103887126A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410085728.9
申请日：2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号：CN105788997B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610216950.7
申请日：2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号：CN110998785A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050505.5
申请日：2018-05-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J40/06
Abstract: 透过型光电阴极具备：光透过性基板，其具有入射光的第一表面以及出射从第一表面侧入射的光的第二表面；光电变换层，其被设置于光透过性基板的第二表面侧，并且将从第二表面被出射的光转换为光电子；光透过性导电层，其由设置于光透过性基板和光电变换层之间的单层的石墨烯构成；以及具有光透过性的热应力缓和层，其被设置于光电变换层和光透过性导电层之间。热应力缓和层的热膨胀系数比光电变换层的热膨胀系数小，并且比石墨烯的热膨胀系数大。
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公开(公告)号：CN103887126B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410085728.9
申请日：2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102067264B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN200880129779.X
申请日：2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号：CN110998785B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201880050505.5
申请日：2018-05-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J40/06
Abstract: 透过型光电阴极具备：光透过性基板，其具有入射光的第一表面以及出射从第一表面侧入射的光的第二表面；光电变换层，其被设置于光透过性基板的第二表面侧，并且将从第二表面被出射的光转换为光电子；光透过性导电层，其由设置于光透过性基板和光电变换层之间的单层的石墨烯构成；以及具有光透过性的热应力缓和层，其被设置于光电变换层和光透过性导电层之间。热应力缓和层的热膨胀系数比光电变换层的热膨胀系数小，并且比石墨烯的热膨胀系数大。
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公开(公告)号：CN109154570A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780030146.2
申请日：2017-02-23
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01N21/64
Abstract: 基准体(1)包括：支撑体(10)，其设置有第1光通过部(18)及第2光通过部(19)、以及第1收纳空间(14)及第2收纳空间(15)；第1荧光体(20)，其收纳于第1收纳空间(14)，在第1波长区域的第1激发光经由第1光通过部(18)被照射时发出第2波长区域的第1荧光；第2荧光体(30)，其收纳于第2收纳空间(15)，在第1波长区域的第2激发光经由第2光通过部(19)被照射时发出第2波长区域的第2荧光；以及遮光部(13)，其配置于第1收纳空间(14)与第2收纳空间(15)之间。在入射至第1光通过部(18)的第1激发光的光量与入射至第2光通过部(19)的第2激发光的光量相互相等的情况下，自第1光通过部(18)出射的第1荧光的光量与自第2光通过部(19)出射的第2荧光的光量互不相同。
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公开(公告)号：CN105788997A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610216950.7
申请日：2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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公开(公告)号：CN102067264A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880129779.X
申请日：2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
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