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公开(公告)号：CN115830648A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211458050.5
申请日：2022-11-16
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光学相干断层扫描的指纹提取方法及相关设备，包括：通过光学相关断层扫描的方式，获取指尖的三维图像，根据预设的图像重构方式，对三维图像进行重构，得到N层二维的亚表面指纹图像，分别对每层亚表面指纹图像进行特征提取，得到每层亚表面指纹图像对应的特征图，并将所有特征图进行加权融合，得到融合特征图，基于融合特征图，确定指纹的各个细节点的位置图和方向图，并将各个细节点的位置图和方向图作为目标指纹信息，提高了提取到的指纹细节点信息的质量。
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公开(公告)号：CN115346115A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210897001.5
申请日：2022-07-28
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明实施例提供图像目标检测方法、装置、设备和存储介质，涉及人工智能技术领域。图像目标检测方法通过获取待检测图像，利用编码模块对待检测图像进行特征提取得到至少一个编码特征图；利用解码模块对至少一个编码特征图进行密集连接得到解码特征图；利用特征增强模型对解码特征图进行特征金字塔变换得到增强特征图；利用检测头预测模型对增强特征图进行预测得到目标检测结果。本实施例利用编解码模块对待检测图像的编码特征图进行密集连接得到解码特征图，增强特征提取能力，利用特征金字塔变换对解码特征图进行特征增强，有效提升后续检测头预测模型对多尺度目标的检测能力，提高SAR目标图像检测算法的检测性能，缓解运算能力紧张问题。
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公开(公告)号：CN113078208A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110258903.X
申请日：2021-03-09
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种环绕栅极场效应晶体管及其制备方法，环绕栅极场效应晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的半导体纳米线，所述半导体纳米线包括沟道区；位于所述半导体衬底上的栅介质层，所述栅介质层环绕所述沟道区；位于所述半导体衬底上的界面层，所述界面层位于所述沟道区与所述栅介质层之间，所述界面层适于阻挡所述栅介质层中的氧扩散至沟道区。所述环绕栅极场效应晶体管具有稳定的阈值电压。
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公开(公告)号：CN108807530B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810628897.0
申请日：2018-06-19
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种异质结场效应晶体管及其制备方法。该制备方法，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上制备AlGaN/GaN异质外延层；在所述AlGaN/GaN异质外延层上制备源电极和漏电极；利用磁控溅射法在所述AlGaN/GaN异质外延层上沉积p型氧化物，制得p型氧化物栅极。该制备方法工艺简单，既可以避免p型氧化物被污染，又可以实现制备较高浓度的p型氧化物栅极，而且还能保证对GaN基异质结场效应晶体管阈值电压的正向调控能力，最终该异质结场效应晶体管的器件功率得到显著提高。
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公开(公告)号：CN111863938A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010542757.9
申请日：2020-06-15
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种氮化镓基肖特基二极管及其制备方法，该氮化镓基肖特基二极管包括依次层叠设置的欧姆接触电极、衬底、n型氮化镓层和肖特基金属电极，还包括：氧化镓绝缘层，设置于所述n型氮化镓层背离所述衬底一侧的两端部边缘处，并至少部分地被所述肖特基金属电极覆盖。本发明提供的氮化镓基肖特基二极管器件结构简单，并且氧化镓具有良好的绝缘隔离作用，有效缓解了势垒边缘电场集中的问题，明显提高了防止击穿漏电的能力，显著提高了器件的实际击穿电压，避免因为局部电场过高引起的器件击穿问题，增强器件的击穿性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111863936A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010494372.X
申请日：2020-06-03
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基结势垒肖特基二极管及其制备方法，所述的一种氮化镓基结势垒肖特基二极管包括依次层叠设置的欧姆接触电极、衬底、n型氮化镓层、p型氮化镓组块和阳极接触电极，所述p型氮化镓组块与阳极接触电极之间还设置有p+型氮化镓铝层，所述p型氮化镓组块包裹在p+型氮化镓铝层与n型氮化镓层之间。本发明的结构具有高耐压、低压降、小漏电、高频特性好及强抗过压和浪涌电流能力等效果。
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公开(公告)号：CN105871508B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201610177923.3
申请日：2016-03-25
Applicant: 深圳大学
IPC: H04L1/00
Abstract: 本发明提供一种网络编解码方法及系统，属于计算机技术领域。本发明网络解码过程包括如下步骤：获取移位矩阵T的子矩阵T‑，其中，子矩阵T‑由代表失效的系统码块所在行和代表幸存校验码块所在列所组成；从第一行开始提取子矩阵T‑中每行与在先选取值不同列的最小数，每行的选取值代表在该行对应的校验码块取码的起始位置，然后从起始位置提取校验编码包的前L位；根据提取的幸存的校验码块的数据元素及幸存的系统码块进行逐位代入解码。本发明的有益效果为：减小了解码过程中的传输带宽，大大缩短了编解码的时延，提高了编解码效率。
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公开(公告)号：CN109583232A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811383626.X
申请日：2018-11-20
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明适用信息安全技术领域，提供了一种基于CP-ABE的医疗档案管理方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：当接收到的登录请求中的用户类型为普通用户时，获取并显示输出用户已存在的所有医疗档案，当接收到用户发送的档案共享请求时，首先，根据系统属性集对医疗档案制定医疗档案访问策略，然后，使用该医疗档案访问策略对医疗档案进行CP-ABE加密，得到与医疗档案访问策略相关的密文档案，最后，将密文档案上传至云存储服务中心，以实现对医疗档案的云端共享管理，从而实现了基于CP-ABE的医疗档案细粒度的数据访问控制，保障了医疗档案中个人隐私数据的私密性，提高了云端医疗档案管理的灵活性和安全性。
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公开(公告)号：CN115345903A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210897234.5
申请日：2022-07-28
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本申请公开了一种目标跟踪方法、装置、电子设备及存储介质，包括：获取待检测视频序列并确定示例图像和搜索图像；将示例图像和搜索图像分别输入训练好的特征提取网络进行处理，得到第一特征图集和第二特征图集；将第一特征图集和第二特征图集输入训练好的孪生互注意力模块进行处理，得到强化后的第二特征图集；根据第一特征图集和强化后的第二特征图集，得到回归特征；根据回归特征进行锚框回归，得到待检测目标在搜索图像中的位置，进而确定待检测目标在待检测视频序列中的位置。本申请通过孪生互注意力模块进行特征强化，将待检测目标的信息施加到提取的特征上，使强化后的第二特征图集的适应性更强，实现了稳健、高效、准确的目标跟踪。
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公开(公告)号：CN108807530A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810628897.0
申请日：2018-06-19
Applicant: 深圳大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L21/285
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/28575 , H01L29/42316 , H01L29/66462
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种异质结场效应晶体管及其制备方法。该制备方法，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上制备AlGaN/GaN异质外延层；在所述AlGaN/GaN异质外延层上制备源电极和漏电极；利用磁控溅射法在所述AlGaN/GaN异质外延层上沉积p型氧化物，制得p型氧化物栅极。该制备方法工艺简单，既可以避免p型氧化物被污染，又可以实现制备较高浓度的p型氧化物栅极，而且还能保证对GaN基异质结场效应晶体管阈值电压的正向调控能力，最终该异质结场效应晶体管的器件功率得到显著提高。
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