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公开(公告)号：CN101908580A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010216949.7
申请日：2010-06-25
Applicant: 清华大学 , 张家港保税区华冠光电技术有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于光伏新能源材料技术领域的一种连续制备铜铟镓硒硫太阳能电池吸收层的工艺。首先制备CuInGa合金预制膜，再采用连续式硒化硫化炉对CuInGa合金预制膜进行硒化硫化。采用磁控溅射的方法制备CuInGa合金预制膜，实现了大面积、成分均匀的薄膜的制备；采用低毒性的固态硒源、硫源制备CIGSeS/CIGSe复合薄膜，避免使用剧毒硒源，提高了实验和生产的安全性；采用连续的硒化硫化工艺制备复合薄膜，提高了吸收层的质量，制备出具备S成分梯度分布的CIGSeS/CIGSe复合薄膜，形成沿厚度方向具有禁带梯度分布的吸收层，提高了对太阳光谱中能量的吸收，显著改善了CISe系太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101908580B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010216949.7
申请日：2010-06-25
Applicant: 清华大学 , 张家港保税区华冠光电技术有限公司
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于光伏新能源材料技术领域的一种连续制备铜铟镓硒硫太阳能电池吸收层的工艺。首先制备CuInGa合金预制膜，再采用连续式硒化硫化炉对CuInGa合金预制膜进行硒化硫化。采用磁控溅射的方法制备CuInGa合金预制膜，实现了大面积、成分均匀的薄膜的制备；采用低毒性的固态硒源、硫源制备CIGSeS/CIGSe复合薄膜，避免使用剧毒硒源，提高了实验和生产的安全性；采用连续的硒化硫化工艺制备复合薄膜，提高了吸收层的质量，制备出具备S成分梯度分布的CIGSeS/CIGSe复合薄膜，形成沿厚度方向具有禁带梯度分布的吸收层，提高了对太阳光谱中能量的吸收，显著改善了CISe系太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101333645B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200810116717.7
申请日：2008-07-16
Applicant: 清华大学 , 张家港保税区华冠光电技术有限公司
Abstract: 本发明属于光电材料新能源技术领域，特别涉及一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺。通过制备或市场购买Cu2Se粉末和In2Se3粉末，混合后在行星式球磨机中球磨，而后冷压成型，制得Cu2Se和In2Se3混合材料素坯，将此素坯置于密闭的真空烧结炉中，在H2保护气氛中，烧结，冷却后脱模，即得到铜铟硒靶材。所制得的靶材具有均一的铜铟硒相，相对密度达到95％以上。本发明具有工艺简便，效率高，成本低，稳定性好等优点，为制备铜铟硒吸收层薄膜的制备工艺提供了便捷和稳定的保证。
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公开(公告)号：CN101397647B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200810225482.5
申请日：2008-11-03
Applicant: 清华大学 , 张家港保税区华冠光电技术有限公司
Abstract: 本发明公开了属于光电功能材料领域的一种铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法。是按照CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2太阳能电池吸收层的化学计量比将高纯度硒化亚铜粉末、硒化铟粉末、硒化镓粉末或硒化铝粉末充分混合均匀后，在保护气氛中热压烧结成型，或者经过冷压成型或冷等静压成型制成素坯，然后将素坯在保护气氛中施加一定的压力烧结或者不加压烧结。本发明工艺简便、效率高、成本低，所制成的溅射靶材成分均匀，具有均一的CuIn1-xGaxSe2或CuIn1-xAlxSe2相，相对密度达到90％以上，性能稳定。本发明主要用于铜铟镓硒和铜铟铝硒太阳能薄膜电池吸收层的制备。
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公开(公告)号：CN101916794A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010216946.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 清华大学 , 张家港保税区华冠光电技术有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了属于制备光伏新能源材料所用设备技术领域的一种连续制备铜铟镓硒硫太阳能电池吸收层的设备。该设备为连续式五室硒化硫化炉，预热室、硒化室、过渡室、硫化室和冷却室顺次相连，采用连续式五室硒化硫化炉可制备出具有S成分梯度分布的CIGSeS/CIGSe复合吸收层，使得该吸收层不仅在CISe基础上提高了带隙，而且使之沿吸收层厚度方向形成带隙梯度，增加对太阳光谱中光能的吸收，提高了CISe系太阳能电池的光电转换效率。本发明可以使得铜铟硒系薄膜太阳能电池的制造工艺简单，制造成本低，操作稳定性好，生产效率高，为制备高光电转换效率、大面积CISe系太阳能电池提供了便捷和设备保证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101728461B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910237133.X
申请日：2009-11-06
Applicant: 清华大学 , 张家港保税区华冠光电技术有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，属于光电功能材料和新能源技术领域。其特征在于，采用真空磁控溅射法制备铜铟硒或铜铟镓硒或铜铟铝硒吸收层，直接使用铜铟硒或铜铟镓硒或铜铟铝硒合金靶材，由靶材成分控制吸收层成分，由溅射工艺控制成膜质量。磁控溅射法制备的吸收层随后还可在保护气氛中进行退火处理，以进一步改善结晶质量。本发明制备的吸收层由均一的铜铟硒相或铜铟镓硒相或铜铟铝硒相构成，成分分布均匀，并且与靶材成分一致。本发明工艺简便，易于控制，沉积时基体温度较低，可选择衬底种类多，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN101728461A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910237133.X
申请日：2009-11-06
Applicant: 清华大学 , 张家港保税区华冠光电技术有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，属于光电功能材料和新能源技术领域。其特征在于，采用真空磁控溅射法制备铜铟硒或铜铟镓硒或铜铟铝硒吸收层，直接使用铜铟硒或铜铟镓硒或铜铟铝硒合金靶材，由靶材成分控制吸收层成分，由溅射工艺控制成膜质量。磁控溅射法制备的吸收层随后还可在保护气氛中进行退火处理，以进一步改善结晶质量。本发明制备的吸收层由均一的铜铟硒相或铜铟镓硒相或铜铟铝硒相构成，成分分布均匀，并且与靶材成分一致。本发明工艺简便，易于控制，沉积时基体温度较低，可选择衬底种类多，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN116217104B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202310039446.4
申请日：2023-01-12
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请提供了一种多源固废协同全固废高强胶凝材料及其制备，所述胶凝材料包括粉煤灰、高炉矿渣、钢渣和硅渣中的至少两种以及激活剂；所述胶凝材料按重量份计包括所述粉煤灰0至100份，所述高炉矿渣0至100份，所述钢渣0至40份，所述硅渣0至40份和所述激活剂40至50份；本申请可获得具备显著强度优势的碱激发无机胶凝材料，28天养护后强度可达115.8MPa。本申请提出多源固废协同制备碱激发无机胶凝材料，无需高温煅烧与复杂工艺流程，获得高强胶凝材料同步消纳多种固体废弃物，实现多种固体废弃物同步处置，推动多源固体废弃物的协同综合利用与高值资源化，丰富碱激发材料原料种类与配比。
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公开(公告)号：CN116173965B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310039511.3
申请日：2023-01-12
Applicant: 清华大学
IPC: B01J23/78 , B09B3/38 , C02F1/72 , C02F101/38 , C02F101/30
Abstract: 本申请提供了一种基于固体废弃物的多反应中心类芬顿催化材料及其制备和应用，所述制备方法包括：将氧化钙含量大于50wt.％的高钙高炉矿渣与钢铁冶炼残渣混合得到混合粉体；将所述混合粉体与零价铁和氧化亚铜混合均匀，制得混合物1；将水合硅酸盐溶液、激活剂和水混合均匀，制得澄清透明的混合物2；将所述混合物1和所述混合物2混合均匀，固化后即得所述类芬顿催化材料。本申请通过首次提出的限温、限时的限制性养护过程干预材料冗余物化稳定性，通过长程无序聚合同步负载过渡金属元素实现铁铜双金属反应中心活性位点。在提升碱激发无机胶凝材料催化性能的同时，实现多种固体废弃物材料的同步消纳。
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公开(公告)号：CN116775367A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210234440.8
申请日：2022-03-10
Abstract: 本申请提供一种数据校验方法及装置，涉及通信技术领域。校验节点向节点i发送校验指令；节点i为n个数据存储节点中的任一节点；i取遍1～n；节点i存储编码数据Ci，节点i为n个数据存储节点中的任一节点；Ci为1×N矩阵；Ci对应的数据量为N码元；Ci为存储数据C的第i行数据，存储数据C包括n行；节点i接收到来自校验节点的校验指令后，确定第一计算矩阵V；V为N×s矩阵；s为小于N的正整数；节点i根据V以及Ci，确定传递数据Di；Di为1×s矩阵；Di对应的数据量为s码元；节点i传输Di至校验节点进行校验，确定存储数据是否正确。该方式中传输的数据量较少，占用带宽资源少，数据处理效率高。
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