公开(公告)号：CN110568541A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910797065.6

申请日：2019-08-27

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 周倩 ,  倪凯 ,  晁银银 ,  汪伟奇 ,  白本锋 ,  李星辉 ,  王晓浩

IPC: G02B5/30

Abstract: 本发明公开了一种金属偏振片，所述金属偏振片包括基底、介质层和金属层；所述介质层设置于所述基底一侧的表面上，所述金属层设置于所述介质层远离所述金属层一侧的表面上；所述介质层包括介质薄层、光栅介质层；所述介质薄层厚度为0.04～0.06μm。本发明还提供一种金属偏振片的制作方法。本发明所提供的金属偏振片可在小范围改变透过率变化的基础上，大幅度增加消光比。

公开(公告)号：CN110568720A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910798261.5

申请日：2019-08-27

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 周倩 ,  倪凯 ,  晁银银 ,  白本锋 ,  汪伟奇 ,  李星辉 ,  王晓浩

IPC: G03F7/00 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明公开了一种微偏振片模板的制作方法，包括：S1：在基底一侧的表面设置第一光刻胶层；S2：制作掩膜版；S3：利用所述掩膜版对所述第一光刻胶层进行接触曝光；S4：在所述第一光刻胶层远离所述基底的一侧的表面涂覆第二光刻胶层；S5：利用全息光刻对所述第二光刻胶层进行曝光并显影；S6：在所述第二光刻胶层远离所述底板一侧表面上沉积金属层；S7：将所述第一光刻胶层、所述第二光刻胶层剥离，得到所述微偏振片模板。本发明公开的微偏振片模板的制作方法避免了电子束直写曝光制作周期长且设备使用费昂贵问题。

公开(公告)号：CN110568720B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN201910798261.5

申请日：2019-08-27

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 周倩 ,  倪凯 ,  晁银银 ,  白本锋 ,  汪伟奇 ,  李星辉 ,  王晓浩

IPC: G03F7/00 ,  G02B5/30

Abstract: 本发明公开了一种微偏振片模板的制作方法，包括：S1：在基底一侧的表面设置第一光刻胶层；S2：制作掩膜版；S3：利用所述掩膜版对所述第一光刻胶层进行接触曝光；S4：在所述第一光刻胶层远离所述基底的一侧的表面涂覆第二光刻胶层；S5：利用全息光刻对所述第二光刻胶层进行曝光并显影；S6：在所述第二光刻胶层远离所述底板一侧表面上沉积金属层；S7：将所述第一光刻胶层、所述第二光刻胶层剥离，得到所述微偏振片模板。本发明公开的微偏振片模板的制作方法避免了电子束直写曝光制作周期长且设备使用费昂贵问题。

公开(公告)号：CN210347981U

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201921406529.8

申请日：2019-08-27

Applicant: 清华大学深圳研究生院

Inventor： 周倩 ,  倪凯 ,  晁银银 ,  汪伟奇 ,  白本锋 ,  李星辉 ,  王晓浩

IPC: G02B5/30

Abstract: 本实用新型公开了一种金属偏振片，其特征在于所述金属线栅偏振片包括基底、介质层和金属层；所述介质层覆盖在基底层上，所述金属层覆盖在介质层上。本实用新型所提供的金属偏振片可在小范围改变透过率变化的基础上，大幅度增加消光比。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利